公开(公告)号：KR1020010058226A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990062442

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A multiple wavelength semiconductor laser array module and manufacturing method is provided to supply high effective single chip multiple wavelength semiconductor laser light source by using several bragg optical fiber for light feedback and single wavelength selection. CONSTITUTION: A multiple wavelength semiconductor laser array emits several wavelength lights to be required to optical communication system of wavelength division multiplexing method. A several semiconductor optical amplifier(111) emits lights which is arranged at a module substrate(101) and is of stable force of light output by wavelength and is of small divergence angle. A several bragg optical fiber selects and makes a feedback a wavelength desired from output light emitted from semiconductor optical amplifier(111). The more narrow a horizontal direction width of an activated layer(201) which light of semiconductor optical amplifier(111) is made a waveguide is formed, the more it goes from rearward of the activated layer(201) to exit surface. A high reflection film is formed at the rearward of the activated layer(201), a non-reflection film at the exit surface of one.

Abstract translation: 目的：提供多波长半导体激光阵列模块及其制造方法，通过使用多个布拉格光纤进行光反馈和单波长选择，提供高效单芯片多波长半导体激光光源。 构成：多波长半导体激光器阵列发射波分复用方法的光通信系统所需要的几种波长光。 几个半导体光放大器（111）发射配置在模块基板（101）的光，并且具有由波长输出的光的稳定的力并具有小的发散角。 几个布拉格光纤从半导体光放大器（111）发射的输出光中选择并产生希望的波长。 形成半导体光放大器（111）的光被制成波导的激活层（201）的水平方向宽度越窄，从激活层（201）的后方到出射面越多。 在激活层（201）的后方形成高反射膜，在其出射面形成非反射膜。

公开(公告)号：KR100275532B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980038955

申请日：1998-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 리지(ridge) 형태의 갖는 반도체 레이저의 리지 양측에 동일한 간격을 두고 대칭적으로 이온주입영역을 형성하기 위한 고출력 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 공정에서 발생하는 이용하여 원하는 리지 폭을 얻음과 동시에 상부 양측을 동일한 폭으로 덮는 이온주입 마스크를 형성하고, 자동정렬 방법으로 이온을 주입하여 고차 발진을 억제하고 기본 발진에는 영향이 없는 이온주입 영역을 형성하는데 그 특징이 있다. 본 발명에 따라 리지 양측으로부터 일정한 폭을 갖는 언더컷(undercut)을 형성하여 리지 양측으로 동일 간격을 두고 리지를 중심으로 대칭으로 이온주입 영역을 형성 할 수 있게 된다. 따라서, 고 주입전류에서 발생하는 1차 고차 횡모드를 효과적으로 흡수함으로써 고출력 동작에서도 출력 빔이 휘는 현상을 방지하여 광 결합효율이 일정하게 유지되도록 한다. 이에 의해, 칩 및 모듈 특성을 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온주입 마스크를 형성하기 위한 별도의 포토레지스트 패턴 형성 공정을 생략할 수 있어 제조 단가를 절감시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000039391A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device is provided to select and output light wavelength accurately agreed with a preset WDM(wavelength division multiplex) wavelength in DBR range in no relation to the drive conditions of the laser device. CONSTITUTION: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device comprises four areas(4a-4d) consisted of an individual p-electrode and an active layer. One of the four areas is a first reflection area in which continuous diffraction lattice is formed on a light wave guide. One of the four areas is a second reflection area on which periodic diffraction lattice is formed. One of the four areas is a light gain area formed between the first and second reflection areas. The other area of the four areas is a phase correction area formed between the first and second reflection areas.

Abstract translation: 目的：提供振荡波长选择半导体激光器件，以与激光器件的驱动条件无关地选择并输出与DBR范围内的预设WDM（波分复用）​​波长精确一致的光波长。 构成：振荡波长选择半导体激光器件包括由单独的p电极和有源层组成的四个区域（4a-4d）。 四个区域中的一个是在光波导上形成连续衍射格栅的第一反射区域。 四个区域中的一个是形成周期性衍射格栅的第二反射区域。 四个区域中的一个是形成在第一和第二反射区域之间的光增益区域。 四个区域的另一个区域是形成在第一和第二反射区域之间的相位校正区域。

公开(公告)号：KR100246604B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970064104

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98㎛ 반도체 레이저는 종래의 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 채널로부터 그 아래 활성층을 관통하는 영역에 걸쳐 광 흡수 효과를 가지는 이온 주입(ion implantation) 공정을 부가함으로써 고차 횡모드의 발진을 억제하는 기능을 가진다. 즉, RWG형 반도체 레이저의 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 채널 하부의 이온 주입된 활성층에서 흡수, 소멸시킴으로써 고차 횡모드 발진에 수반되는 킹크(kink)와 빔 스티어링beam steering)의 발생을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.

公开(公告)号：KR1020000007257A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: The laser device achieves high optical coupling efficiency with an optical fiber. CONSTITUTION: The laser device comprises an emission angle control optical wave guide(42) fabricated in a mesa etching process to define an active region(40) without etching and crystal growth to suppress the optical absorption of the emission angle control region after epitaxial crystal growth to form the active region of the semiconductor laser. The laser device comprises the active region for the operation of the laser, the wave guide to control the emission angle, a high reflection(HR) coating(41) to operate the laser in the active region and an anti-reflection(AR) coating to obtain high optical output intensity.

Abstract translation: 目的：激光器件利用光纤实现高耦合效率。 构成：激光装置包括在台面蚀刻工艺中制造的发光角度控制光波导（42），以在没有蚀刻和晶体生长的情况下限定有源区（40），以抑制外延晶体生长后的发射角控制区的光吸收 以形成半导体激光器的有源区。 激光装置包括用于激光的操作的有源区域，用于控制发射角的波导，用于在激活区域中操作激光的高反射（HR）涂层（41）和抗反射（AR）涂层 以获得高的光输出强度。

公开(公告)号：KR100232709B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960033174

申请日：1996-08-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  박철순 ,  조호성

IPC: H01S3/094

Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 모듈을 구성하는 케이싱 내부로 연장된 플랜지의 내측 선단에 일정한 파장의 광만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 선택적 광 투과필터를 설치한 것을 그 요지로 하며, 본 발명에 따른 광 투과 필터는 유리 표면에 유전체막을 증착함으로서 형성되며, 이 광 투과 필터는 프레임에 고정된 상태에서 플랜지의 홈에 수용된 프레임의 양축이 플랜지의 홈내에서의 자유로운 회전이 이루어짐에 따라 프레임이 양 축을 기준으로 회전되어 광 투과 필터에 대한 광의 입사각을 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990000230A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970022975

申请日：1997-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/227

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.

公开(公告)号：KR100155537B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950039680

申请日：1995-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 강승구 ,  송민규 ,  장동훈 ,  김동구

IPC: H01S3/09

Abstract: 본 발명은 광증폭용 레이저 다이오드 모듈 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 레이저 다이오드 구성부품의 변위를 최소화할 수 있으며 기계적 및 열적으로 안정된 구성을 지녀 우수한 광증폭 성능을 발휘할 수 있는 광증폭용 레이저 다이오드 모듈 및 전기한 레이저 다이오드 모듈을 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 레이저 다이오드 모듈은 외부환경으로부터 내부의 구성부품을 보호하기 위한 패키지(21) 내부에, 레이저 다이오드(24)에서 발생된 열을 패키지(21)의 외부로 방출하기 위한 냉각소자(23)가 구성되고, 전기한 냉각소자(23) 위에 펌핑용 빛을 방출하는 레이저 다이오드(24)가 히트싱크(25) 상에 형성되고, 전기한 히트싱크(25) 및 모니터 포토다이오드 마운트(34)가 세라믹 지지체(26)상에 형성되며, 전기한 세라믹 지지체(26)와 냉각소자(23) 사이에는 광섬유 페룰(27)을 지지하기 위한 웰드베이스(31)가 형성되고, 전기한 레이저 다이오드(24)에 맞추어 광정열된 광섬유(36)를 지지하기 위한 광섬유 페룰(27)이 광섬유(36)의 일단을 감싸면서 전기한 웰드베이스(31)의 일면을 관통하여 삽입형성되고, 전기한 광섬유 페룰(27)을 웰드베이스(31)의 일면에 고정시키기 � �한 축대칭구조의 광섬유 페룰 하우징(32)이 전기한 광섬유 페룰(27)과 웰드베이스(31)의 일면에 레이저 용접되어 구성된다.

公开(公告)号：KR100155513B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950042601

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  박철순 ,  조호성

IPC: H01S5/10

Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절율이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제2도� ��형의 제2클래드층과 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제1 및 제2도전형 전극을 포함한다.
따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100119279B1

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: An metal organic bubbler structure used for metal organic supply of MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) apparatus is provided to easily grow an epitaxial layer of compound semiconductor. The bubbler structure comprises: a bubbler body(5) for injecting flow gases on the surface the metal organic(6) in order to increase the flowing area of gases; and a separating layer(7) located in the center of the bubbler body(5) to separate an inlet portion(9) and an outlet portion(10) of gas. For flowing gases, a hole(8) is formed at the bottom of the separating layer(7).

Abstract translation: 提供用于MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备的金属有机供应的金属有机起泡器结构，以容易地生长化合物半导体的外延层。 起泡器结构包括：用于在金属有机物（6）的表面上注入流动气体以增加气体流动面积的起泡器本体（5） 以及位于所述起泡器体（5）的中心以分离气体的入口部分（9）和出口部分（10）的分离层（7）。 对于流动气体，在分离层（7）的底部形成孔（8）。