公开(公告)号：KR100047463B1

公开(公告)日：1992-01-06

申请号：KR1019890003420

申请日：1989-03-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 황인덕

IPC: H01L29/16

公开(公告)号：KR100243653B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960069822

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황인덕 ,  곽명신

IPC: H03H3/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
능동 180도 전력 분배기
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
고주파 회로에서 각 회로는 임피던스 정합되어야하므로 고주파 증폭기는 출력 임피던스 정합회로(output impedance matching circuit)를 포함하여야하며 고주파 증폭기의 출력 임피던스 정합회로는 FET의 드레인 단자와 수동 180도 전력 분배기의 입력단자를 임피던스 정합하는 역할을 하기 위하여 사용해야하는 소자의 수가 많아지고 크기가 커진다는 단점을 갖는다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
출력단자가 2개인 고주파 증폭기를 이용하여 크기가 같고 위상이 180도 틀린 두 개의 증폭된 마이크로웨이브를 얻는, 즉, 전류소모가 적고 소형이며, 경제적이며, 위상차이가 180도인 두개의 출력신호의 이득(gain)을 얻을수 있도록 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
전력 분배기

公开(公告)号：KR100119279B1

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: An metal organic bubbler structure used for metal organic supply of MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) apparatus is provided to easily grow an epitaxial layer of compound semiconductor. The bubbler structure comprises: a bubbler body(5) for injecting flow gases on the surface the metal organic(6) in order to increase the flowing area of gases; and a separating layer(7) located in the center of the bubbler body(5) to separate an inlet portion(9) and an outlet portion(10) of gas. For flowing gases, a hole(8) is formed at the bottom of the separating layer(7).

Abstract translation: 提供用于MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备的金属有机供应的金属有机起泡器结构，以容易地生长化合物半导体的外延层。 起泡器结构包括：用于在金属有机物（6）的表面上注入流动气体以增加气体流动面积的起泡器本体（5） 以及位于所述起泡器体（5）的中心以分离气体的入口部分（9）和出口部分（10）的分离层（7）。 对于流动气体，在分离层（7）的底部形成孔（8）。

公开(公告)号：KR1019970055703A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052638

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황인덕

IPC: H04B1/66

Abstract: 본 발명에 의한 능동 쿼드러춰 전력 분배기는 출력 신호 1을 출력하는 출력단자 1와 출력신호2의 위상차이가 90도가 되도록 제1출력 신호를 출력하는 제1출력단자(output port1)와; 제2출력 신호를 출력하는 제2출력단자(output port1)와; 게이트 전극과 드레인 전극 및 소스 전극으로 이루어지는 FET소자와; 입력신호를 정합하여 상기 FET소자의 게이트 단자에 전달하는 입력 임피던스 정합회로와; 한쪽 끝이 FET의 드레인과 연결되고 한쪽 끝은 교류적으로 접지되는 서로 직렬로 연결되 두 개의 리액티브 소자로 구성되며 두 개의 리액티브 소자의 교점이 위의 능동 쿼드러춰 전력 분배기의 제2출력단자가 되는 리액티브 분압기(reactive voltage divider); 및 한쪽 끝이 FET의 드레인과 연결되고 다른 한쪽 끝은 상기 제1출력단자와 연결되며 리액티브 분압기(reactive voltage divider)와 함께 FET의 출력신호간에 위상차가 90도를 유지하는 것을 특징으로 하는 능동 직교 전력 분배기를 제공하여 기본적으로 마이크로웨이브 증폭기로 동작하므로 출력신호 1과 출력신호 2는 입력신호가 증폭된 결과이며 이능동 전력 분배기는 수동 전력 분배기와는 달리 전력 이득을 얻을 수 있으며 하나의 FET를 사용하여 두 개의 출력신호가 하나의 출력 임피던스 정합회로에서 출력되므로 회로가 간단하다는 장점을 갖난다.

公开(公告)号：KR100110411B1

公开(公告)日：1997-01-09

申请号：KR1019930027626

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤광준 ,  김민건 ,  황인덕 ,  고범규

IPC: H03F1/34

公开(公告)号：KR1019950022042A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027626

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤광준 ,  김민건 ,  황인덕 ,  고범규

IPC: H03F1/34

Abstract: 본 발명은 갈륨비소 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)를 사용한 모노리식 초고주파 광대역 증폭회로에 관한 것으로, 공통소오스(112)와 공통게이트(115)가 직렬로 연결된 캐스코우드회로에 캐패시터(111)와 저항(110)을 사용한 공통게이트 회로와 직렬로 연결된된 저항(102)과 인덕터(103)를 병렬로 연결하고 캐패시터(101)와 직렬로 연결하여 입력단을 50ohm에 임피던스 정합시키는 입력단 정합회로(100)와, 캐패시터(106) (107)과 인덕터(108)(109)를 병렬 및 직렬로 연결하여 입력단 정합회로(100)의 출력부와 고이득 광대역회로(200)의 입력부를 정합시켜 주는 임피던스 정합회로(300)와 공통소오스 MESFET(126)의 드레인과 인덕터(129)를 직렬연결하고 궤환회로인 저항(123)과 인덕터(124), 캐패시터(125)를 공통소오스 MESFET(126)의 게이트와 인덕터(129)에 연결하고 자기바이 어스 회로인 저항(127)과 캐패시터(128)를 공통소오스 MESFET(126)의 소오스에 연결하여 출력단 증폭회로 (400)를 포함함으로써 전력소비가 적은 장점을 갖는다.

公开(公告)号：KR1019950020999A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: 본 발명은 화학물 반도체 에피성장 장비인 유기금속 기상결정 성장장치의 유기금속 공급부위에 사용되는 유기 금속을 담는통의 구조를 개선한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조에 관한 것으로, TMIn의 증기압을 안정시켜 재현성이 향상된 반도체 결정을 성장하는데 용이하도록 한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조로서 버브러몸통(5)의 내부를 유입부(9)와 배출부(10)로 구분하여 그사이를 막아 분리한 분리막(7)을 설치하되 상기 분리막(7)의 하부는 상기 유입부(9)와 배출부(10)가 서로 통할 수 있도록 구멍(8)을 형성하여 줌을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970011519B1

公开(公告)日：1997-07-11

申请号：KR1019930027028

申请日：1993-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  송민규 ,  강승구 ,  황인덕

IPC: G02B6/00

Abstract: Disclosed is an apparatus for compensating alignment of an optic module in optic communication where an optic tool(4) is fixed by an alignment support(3) and combines light between an optic device(2) and an optic fiber(5). The optic tool(4) has the optic fiber(5) which is combined by light to a side of a package(1) that is embedded in the optic device. The apparatus comprises a compensating support cylinder(7) of a predetermined length which has relatively a little bigger inside diameter than the outside diameter of the alignment support(3) and is fixed to the package(1) so that it can be positioned in the optic tool(4) and a core, and an internal bump(8d) the outside of which is inserted into the compensating support cylinder(7) and in the outside of which a adjusting flange is formed and which has a piece core of the same diameter of the optic tool(4). Thus, the function of the optic module and production yield are improved.

Abstract translation: 公开了一种用于在光学通信中补偿光学模块的对准的装置，其中光学工具（4）由对准支撑件（3）固定并且在光学装置（2）和光纤（5）之间组合光。 光学工具（4）具有光（5），光纤（5）通过光结合到嵌入在光学器件中的封装（1）的一侧。 该装置包括一个预定长度的补偿支撑筒（7），该补偿支撑筒（7）具有比对准支撑件（3）的外径相对更大的内径，并且固定到包装（1）上，使得其可以位于 光学工具（4）和芯部，以及内部凸起（8d），其外侧插入补偿支撑筒（7）中，并且其外侧形成有调节凸缘，并且其具有相同的芯片 光学工具（4）的直径。 因此，提高了光模块的功能和产量。

公开(公告)号：KR1019970007470B1

公开(公告)日：1997-05-09

申请号：KR1019930029088

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  윤광준 ,  황인덕 ,  박형무

IPC: H01L23/48

Abstract: A grounding method of a super-high frequency circuit is described that can reduce the deterioration of chip performance. The ground terminals 550 to 552 of elements 540 to 542 in a chip, comprising the super-high frequency circuit, are not combined in common in the chip but laid out by being divided into terminals. The divided ground terminals 550 to 552 are connected to a common pad 570 via down bondings 560 to 562. The common pad 570 is connected to a lead 590 via a wire bonding 580. The ground terminals 550 to 552 can be connected to leads 670 to 672, respectively. Thereby, it is possible to reduce the deterioration thereof, provide the circuit design satisfying a required standard and thus make it easy to implement the circuit.

Abstract translation: 描述了可以减少芯片性能劣化的超高频电路的接地方法。 包括超高频电路的芯片中的元件540至542的接地端子550至552在芯片中不共同组合，而是通过分为端子布局。 分开的接地端子550至552通过下焊接560至562连接到公共焊盘570.公共焊盘570通过引线键合580连接到引线590.接地端子550至552可连接到引线670至 672。 由此，可以降低其劣化，提供满足所需标准的电路设计，从而容易实现电路。

公开(公告)号：KR1019960005096B1

公开(公告)日：1996-04-20

申请号：KR1019920024999

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  황인덕 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: The invention relates to epoxyling of the probe card for electrical characteristic measurement of IC wafer. The end portion of a probe tip(4) connected to printed circuit board(1) of the probe card, has elastic force by epoxyling the probe tip(4). A thin metal film(5) formed on upper surface of the molded portion is electrically connected to the probe tip(4) through via hole(6). The probe card reduces delay time due to signal conversion, since the probe card has 40-50% reduced self-inductance.

Abstract translation: 本发明涉及用于IC晶片的电特性测量的探针卡的环氧化。 连接到探针卡的印刷电路板（1）的探针尖端（4）的端部通过环氧化探针尖端（4）而具有弹性力。 形成在模制部分的上表面上的薄金属薄膜（5）通过通孔（6）与探针头（4）电连接。 探针卡由于信号转换而减少了延迟时间，因为探针卡的自感降低了40-50％。