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公开(公告)号：KR101823947B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020160136037
申请日：2016-10-19
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: C08J5/18 , C08J3/20 , C08K3/08 , C08K3/10 , C08K3/22 , C08K2003/2248 , C08K2003/2296 , C08K2201/011
Abstract: 본발명의일 관점에따른나노입자필름의제조방법은, 기판상에전기화학적방법으로분산된형태의나노입자들을형성하는단계와, 상기나노입자들을분산된형태로고정시키도록상기기판상에폴리머층을형성하는단계와, 상기기판으로부터상기폴리머층을분리하여상기나노입자들이분산된폴리머필름을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 在根据本发明的一个方面的制造纳米颗粒膜，包括形成纳米颗粒的电化学方法的各个步骤的方法分散形式在基板上，所述聚合物在所述基板上以固定以分散形式所述纳米颗粒 然后将聚合物层与基底分离以形成其中分散有纳米粒子的聚合物膜。
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公开(公告)号：KR101767165B1
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020150148835
申请日：2015-10-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명은웨어러블열전장치에관한것으로서, 인체대향면과외부대향면사이의온도차이를이용하여열기전력을발생시키는열전모듈; 및상기인체대향면의적어도일부분에설치되고, 인체로부터상기열전모듈로전달되는열 에너지의손실을방지할수 있도록상기인체대향면인근에에어포켓을형성하는에어포켓형성부재;를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160064273A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140167086
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L35/34
CPC classification number: H01L35/34 , Y10S257/93
Abstract: 본실시예에따른 HPPD를이용한나노구조체형열전박막형성장치는플라즈마가스주입구가일측에배치되며, 에너지부가유닛이설치된플라즈마토치유닛; 상기플라즈마토치유닛에결합되며, 적어도하나이상의반응체주입부와나노입자가배출되는노즐을가지는반응체주입유닛; 내부가진공을유지하도록일단에펌프유닛이설치되는디포지션챔버; 및상기디포지션챔버의상기노즐을마주보는면에배치되는기판;을포함하며, 상기디포지션챔버내부의압력은 100 내지 1000Pa로형성되어, 상기노즐에서가속된나노입자의관성력에의해상기기판표면에서물리적증착과고온으로활성화된기상반응체에의한화학적증착이동시에진행될수 있다.
Abstract translation: 根据本实施例，提供了一种使用超音速等离子体粒子沉积（HPPD）制造纳米结构热电膜的装置，其包括：等离子体炬单元，其具有设置在一侧的等离子体气体入口并设置有能量加入单元; 反应物注入单元，其耦合到所述等离子体触摸单元并且具有至少一个反应物注入部分和喷嘴，通过所述喷嘴释放纳米颗粒; 沉积室，其一端安装有泵单元以保持真空; 以及设置在面向沉积室的喷嘴的表面上的基板。 因此，沉积室的内部压力在100至1000Pa的范围内，使得由于加速纳米颗粒的惯性力而导致的基板表面上的物理沉积以及由于化学气相反应物在 可以同时进行高温。
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公开(公告)号：KR101349744B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020120070515
申请日：2012-06-29
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은, 템플릿이나 계면활성제를 사용하지 않고 기판 상에 수직 성장된 나노 구조체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 나노 구조체의 제조 방법은, 나노 구조체 형성 대상 물질을 포함하는 초희석 전해 용액을 제공하는 단계; 초희석 전해 용액 내에 전도성 기판을 침지하는 단계; 나노 구조체 형성 대상 물질을 전도성 기판에 증착시켜 나노 구조체를 형성하도록, 전도성 기판에 전자를 제공하는 환원 전압을 인가하는 단계; 및 전도성 기판에 증착된 나노 구조체의 적어도 일부를 용해시키도록, 전도성 기판에 전자를 제거하는 산화 전압을 인가하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140003812A
公开(公告)日：2014-01-10
申请号：KR1020120070515
申请日：2012-06-29
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: The present invention relates to a nano-structure and a manufacturing method thereof which are vertically developed on a substrate without using a template or a surfactant. The manufacturing method of a nano-structure according to an embodiment of the present invention comprises: a step of providing ultra-diluted electrolyte solution which includes a nano-structure forming target material; a step of dipping a conductive substrate in the ultra-diluted electrolyte solution; a step of applying a reducing voltage which provides an electron in the conductive substrate in order to form the nano-structure by depositing the nano-structure forming target material in the conductive substrate; a step of applying an oxidizing voltage which removes the electron in the conductive substrate in order to dissolve at least a part of nano-structure which is deposited on the conductive substrate. [Reference numerals] (S1) Providing ultra-diluted electrolyte solution which includes a nano-structure forming target material; (S2) Dipping a conductive substrate in the ultra-diluted electrolyte solution; (S3) Applying a reducing voltage which provides an electron in the conductive substrate in order to form the nano-structure by depositing the nano-structure forming target material in the conductive substrate; (S4) Applying an oxidizing voltage which removes the electron in the conductive substrate in order to dissolve at least a part of nano-structure which is deposited on the conductive substrate
Abstract translation: 本发明涉及在不使用模板或表面活性剂的情况下在衬底上垂直显影的纳米结构及其制造方法。 根据本发明实施方案的纳米结构的制造方法包括：提供包括纳米结构形成靶材料的超稀释电解质溶液的步骤; 将导电性基材浸渍在超稀释电解液中的工序; 通过在导电基板中沉积形成纳米结构的靶材料来施加降低电压的步骤，该还原电压在导电衬底中提供电子以便形成纳米结构; 施加氧化电压的步骤，其去除导电衬底中的电子，以便溶解沉积在导电衬底上的纳米结构的至少一部分。 （S1）提供包含纳米结构形成靶材的超稀释电解质溶液; （S2）将导电性基材浸渍在超稀释电解液中; （S3）通过在导电基板中沉积形成纳米结构的靶材料，在导电基板中施加提供电子的还原电压以便形成纳米结构; （S4）施加氧化电压，其去除导电基板中的电子，以便溶解沉积在导电基板上的至少一部分纳米结构
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050092613A
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：KR1020040017717
申请日：2004-03-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G21K1/06
Abstract: 본 발명은 X-선 모노크로메타 크리스탈의 미세조절장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 한 쌍으로 구비되는 고정블럭에 각각 두 개의 제 1미세조정볼트와 한 개의 제 2미세조정볼트를 통해 크리스탈의 곡면을 형성하고, 이렇게 형성된 곡면의 뒤틀림을 보정하여 최소화하기 위한 X-선 모노크로메타 크리스탈의 미세조절장치에 관한 것이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 고정블럭을 "ㄴ" 형상의 2개로 형성하고 각각을 제 1미세조정볼트 및 제 2미세조정볼트로 3개소에서 상/하 구동하게 함으로써 크리스탈의 곡률 형성뿐만 아니라 형성된 곡면의 뒤틀림을 보정할 수 있어 크리스탈의 각 부위의 곡률 반경에 대한 편차를 최소화하여 보다 정밀한 극미세구조의 분석 및 해석을 가능하게 할 수 있다. 그리고 본 발명에 의하면, 기초판의 저면에 길이방향으로 도브테일 형상의 밑판을 구성함으로써 본 발명에 따른 장치의 장착 및 고정시에 크리스탈에 가해지는 외력을 최소로 하여 크리스탈에 형성된 곡률 반경이 그대로 유지되도록 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180102745A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：KR1020170029250
申请日：2017-03-08
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명은측정대상인열전소재의상측에이동가능하게배치되는상부모듈; 측정대상인열전소재의하측에배치되어열전소재가안치되는하부모듈; 및상기하부모듈을고정시키고, 상기상부모듈을이동시키는고정모듈;을포함하는열전특성측정장치를제공하여, 열전특성을파악하기위한제백계수, 전기전도도및 열전도도(k)를개별적으로측정할수 있으며, 열전소재를다양한방향에서정밀하게측정할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170048657A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150148835
申请日：2015-10-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명은웨어러블열전장치에관한것으로서, 인체대향면과외부대향면사이의온도차이를이용하여열기전력을발생시키는열전모듈; 및상기인체대향면의적어도일부분에설치되고, 인체로부터상기열전모듈로전달되는열 에너지의손실을방지할수 있도록상기인체대향면인근에에어포켓을형성하는에어포켓형성부재;를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可穿戴式热电装置，更具体地说，涉及一种利用人体相对表面和外部相对表面之间的温差产生热电的热电模块。 并且，在人体相对面的至少一部分上设置有气穴形成构件，在人体相对面附近形成气穴，以防止从人体向热电模块传递的热能的损失。
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公开(公告)号：KR101662713B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020140167085
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의열전특성측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 바닥면에는제 2 패턴이형성되고, 상부면에는제 3 패턴이형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및 2 패턴들과면 접촉하도록배치될수 있다.
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公开(公告)号：KR101662714B1
公开(公告)日：2016-10-07
申请号：KR1020140167084
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의제백계수측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 제 2 패턴의하부면에형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및제 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및제 2 패턴과면 접촉하도록배치될수 있다.
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