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公开(公告)号：WO2013100424A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/010528
申请日：2012-12-06
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: H01J37/317 , B82B3/0023 , B82B3/0076 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/901
Abstract: 본 발명의 목적은 이온빔을 이용하여 일차원 또는 이차원 나노 구조물을 굽힘 변형시키되, 나노 구조물의 회전 등과 같은 움직임을 필요로 하지 않으면서 굽힘 방향을 바꿀 수 있도록 하는, 이온빔을 이용한 일차원 또는 이차원 나노 구조물의 무운동 굽힘 방법을 제공함에 있다. 본 발명의 이온빔을 이용한 일차원 또는 이차원 나노 구조물의 무운동 굽힘 방법은, 이온빔(10)을 조사하여 일차원 또는 이차원 형상의 나노 구조물(20)을 구부러뜨리는 굽힘 방법으로서, 상기 이온빔(10)의 에너지에 따라 상기 나노 구조물(20)의 굽힘 방향이 제어되거나, 또는 상기 나노 구조물(20)의 굵기 또는 두께에 따라 상기 나노 구조물(20)의 굽힘 방향이 제어되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用离子束的一维或二维纳米结构的无运动弯曲方法，其中一维或二维纳米结构通过使用一维或二维纳米结构弯曲成不同的形状 离子束，使得可以改变弯曲方向而不需要诸如纳米结构的旋转的运动。 使用本发明的离子束的一维或二维纳米结构的无运动弯曲方法是一种弯曲方法，其中将具有一维或二维形状的纳米结构（20）制成 通过照射离子束（10）的曲线，并且涉及根据离子束（10）的能量来控制纳米结构（20）的弯曲方向，或者控制纳米结构（20）的弯曲方向， 根据纳米结构（20）的脂肪或厚度。
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公开(公告)号：KR101458011B1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020130104138
申请日：2013-08-30
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01J37/244 , H01J37/26
Abstract: 본 발명은 기판(100) 상에 설치되며 시편에서 반사된 반사전자에 의해 전자와 홀이 형성되는 포토다이오드(200)를 포함하는 주사전자현미경의 반사전자(BSE-Back scattered electron) 검출기에 있어서, 상기 포토다이오드(200)는 상기 기판(100) 상에 설치되는 제1전극(210); 상기 제1전극(210) 상에 화학기상증착(CVD)방법을 이용하여 비정질 N형반도체층(221), 비정질 N형반도체층(222), 비정질 P형반도체층(223)이 순차적으로 적층되어 형성되는 반도체(220); 및 상기 비정질 P형반도체층(223) 상에 설치되는 제2전극(230);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于扫描电子显微镜的背散射电子检测器，其包括安装在基板（100）上的光电二极管（200），并由来自试样的背散射电子形成电子和空穴。 光电二极管（200）包括安装在基板（100）上的第一电极（210），通过连续层叠非晶N型半导体层（221），非晶N型半导体 层（222）和使用CVD法的非晶P型半导体层（223）和安装在非晶P型半导体层（223）上的第二电极（230）。
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公开(公告)号：KR101383557B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020120093556
申请日：2012-08-27
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01J37/28 , H01J37/147
Abstract: 본 발명은 주사전자현미경의 전자통과막 보호장치 및 그것이 구비한 주사전자현미경에 관한 것이다.
본 발명 주사전자현미경의 전자통과막 보호장치는, 시료를 대기압 조건에 위치시켜 놓고 관찰할 수 있도록 전자통과막을 갖는 주사전자현미경의 전자빔출력부와 전자통과막 사이의 전자빔주사경로 상에 음전극이나 양전극을 인가하여 전자통과막 방향으로 향하던 전자가 음전극출력부나 양전극출력부 방향으로 향하여 주사방향이 변경되도록 한다.
본 발명의 주사전자현미경의 전자통과막 보호장치는 주사되는 전자빔이 전자통과막으로 향하도록 할 수도 있고, 전자통과막으로 향하지 않도록 할 수도 있는 것이어서 전자빔이 출력되고 있더라도 시료를 관찰하고 있지 않다면 전자가 전자통과막을 통과하지 않도록 하여 전자통과막의 수명단축이 방지되도록 할 수 있는 특징이 있다.-
公开(公告)号：KR101245193B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020100109714
申请日：2010-11-05
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 부도체 시료를 전자현미경에서 관찰할 때, 시료 전하 축적에 의한 방전을 방지하기 위해 도체막 형성을 하기 위해 이온 코팅에 관한 것으로서, 더 상세하게는 부도체 시료를 전자현미경에서 관찰할 때 자동적으로 이온 코팅 전류를 조절하여 코팅 작업을 한 번에 간편하게 할 수 있는 이온 스퍼터 코팅장치에 대한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020110134226A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100054091
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국표준과학연구원 , 경희대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/1214 , H01L27/14603 , H01L29/66765
Abstract: PURPOSE: An image sensor for an electronic beam and a manufacturing method thereof are provided to form a bias electrode which covers the outside of a photo diode, thereby minimizing feature lowering of a device due to charges accumulated in a photo diode. CONSTITUTION: A gate electrode(102) is formed on a substrate. A gate insulating film covers the gate electrode. A source electrode is connected to a data line. A drain electrode(110) is connected to the first electrode of a photo diode through a pixel contact hole. An active layer forms a channel for transferring charges between a source electrode and a drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于电子束的图像传感器及其制造方法，以形成覆盖光电二极管外部的偏置电极，从而最小化由于积聚在光电二极管中的电荷引起的器件的特征降低。 构成：在基板上形成栅电极（102）。 栅极绝缘膜覆盖栅电极。 源电极连接到数据线。 漏电极（110）通过像素接触孔与光电二极管的第一电极连接。 有源层形成用于在源电极和漏电极之间传送电荷的通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120048204A
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020100109714
申请日：2010-11-05
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: PURPOSE: An ion sputter coating device capable of automatically adjusting ion coating current is provided to enable precise ion coating in a high vacuum condition. CONSTITUTION: An ion sputter coating device capable of automatically adjusting ion coating current comprises a D/A(Digital/Analog) converter(130), an FET(Field Effect Transistor) unit(140), a high voltage transformer(150), a full bridge rectifier circuit(160), a current detecting unit(170), a comparator(120), and a pulse width modulator(110). The full bridge rectifier circuit generates DC high voltage by rectifying AC high voltage. The current detecting unit detects ion coating current corresponding to the DC high voltage. The comparator compares the ion coating current with the set ion coating current to create a difference value. The pulse width modulator transmits pulse according to the difference value to the FET unit.
Abstract translation: 目的：提供能够自动调节离子涂层电流的离子溅射涂层装置，以在高真空条件下实现精确的离子涂覆。 构成：能够自动调节离子涂覆电流的离子溅射涂覆装置包括D / A（数字/模拟）转换器（130），FET（场效应晶体管）单元（140），高压变压器（150）， 全桥整流电路（160），电流检测单元（170），比较器（120）和脉宽调制器（110）。 全桥整流电路通过整流交流高压生成直流高压。 电流检测单元检测与DC高电压相对应的离子涂覆电流。 比较器比较离子涂层电流和设定的离子涂层电流以产生差值。 脉冲宽度调制器根据差值将脉冲发送到FET单元。
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公开(公告)号：KR100836953B1
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070067428
申请日：2007-07-05
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A soft X-ray reflection apparatus for measuring a thickness of silicon compound formed on a silicon substrate is provided to perform a correct thickness measurement process by obtaining accurately an angle of light. A target(120) is formed to convert an electron beam(110) to an X-ray(121). The target is made of one or more elements of W, Re, and Os or is coated with one or more compounds. A soft X-ray spectrum single crystal(130) is formed to introduce a soft X-ray(131) from the target onto a sample(1) as a silicon substrate having a silicon compound. A detector(140) detects a degree of energy absorbed into the silicon substrate while the soft X-ray reflected from the soft X-ray spectrum single crystal is absorbed into the silicon substrate. An analyzer(150) analyzes an incident angle and an output angle of the soft X-ray by using the degree of the absorbed energy.
Abstract translation: 提供了用于测量形成在硅衬底上的硅化合物的厚度的软X射线反射设备，以通过准确地获得光的角度来执行正确的厚度测量过程。 形成靶（120）以将电子束（110）转换成X射线（121）。 靶由W，Re和Os的一种或多种元素制成或涂覆有一种或多种化合物。 形成软X射线光谱单晶（130），以将来自靶的软X射线（131）引入作为具有硅化合物的硅衬底的样品（1）上。 当从软X射线光谱单晶反射的软X射线被吸收到硅衬底中时，检测器（140）检测吸收到硅衬底中的能量的程度。 分析器（150）通过使用吸收能量的程度来分析软X射线的入射角度和输出角度。
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公开(公告)号：KR100603743B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040059385
申请日：2004-07-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: C04B35/01
Abstract: 본 발명은 저온소결용 고주파 유전체 조성물 및 그 제조 방법과 이를 이용한 고주파용 유전체 부품에 관한 것으로, 일반식 Ba(Mg
1/3 Nb
2/3 )O
3 -xB
2 O
3 -yCuO[BMN-B-Cu]로 표시되고, 조성물 전체에 대한 B
2 O
3 와 CuO의 몰분율은 각각 2.0mol% ≤ x ≤ 30.0mol%, 및 0.5mol% ≤ y ≤ 30.0mol%의 범위의 값을 가진다.
본 발명의 유전체는 높은 유전율(ε
r )과 품질계수(Q×f), 그리고 -8 ~ -3.11ppm/℃의 범위를 가지는 공진 주파수 온도계수(τ
f )를 가지고 있고, 이러한 유전체 조성물의 소결 공정의 온도는 850℃에서도 소결이 되므로 적층형 고주파 유전체의 세라믹스 부품 재료로 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는 고주파 유전체 조성물이다.
저온, 소결, 유전체, Ba, Mg, Nb-
公开(公告)号：KR1020140027687A
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020120093556
申请日：2012-08-27
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01J37/28 , H01J37/147
Abstract: The present invention relates to a scanning electron penetration film protection device of a scanning electron microscope and a scanning electron microscope having the same. The scanning electron penetration film protection device of a scanning electron microscope applies a negative electrode or a positive electrode to an electron beam scanning route between an electron beam output unit and an electron penetration film of the scanning electron microscope having the electron penetration film to locate a test sample in atmospheric pressure conditions to be observed so that a scanning direction of an electron heading toward the electron penetration film can be changed toward a negative electrode output unit or a positive electrode output unit. The scanning electron penetration film protection device of a scanning electron microscope allows the electron beam to head toward the electron penetration film or not to head toward the electron penetration film, thereby preventing the service life of the electron penetration film from being shortened by allowing the electron not to penetrate the electron penetration film if the test sample is not observed while outputting the electron beam.
Abstract translation: 本发明涉及扫描电子显微镜的扫描电子穿透膜保护装置及其扫描电子显微镜。 扫描电子显微镜的扫描电子穿透膜保护装置，在具有电子穿透膜的扫描电子显微镜的电子束输出单元和电子穿透膜之间的电子束扫描路径上施加负极或正极，以定位 测试样品在大气压力条件下进行观察，使得朝向电子穿透膜的电子的扫描方向可以朝向负极输出单元或正极输出单元改变。 扫描电子显微镜的扫描电子穿透膜保护装置允许电子束朝向电子穿透膜朝向电子穿透膜，从而通过允许电子束来减少电子穿透膜的使用寿命 如果在输出电子束时未观察到测试样品，则不会穿透电子穿透膜。
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