公开(公告)号：CN113632196A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080024585.4

申请日：2020-03-06

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 席庆坡 ,  胡学让 ,  刘学东 ,  任伟明 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28

Abstract: 公开了一种包括可调射束分离器的多射束检查装置。可调射束分离器被配置为改变次级粒子射束的路径。可调射束分离器包括第一维恩过滤器和第二维恩过滤器。两个维恩过滤器都与初级光学轴线对准。第一维恩过滤器和第二维恩过滤器是分别经由第一激励输入和第二激励输入而独立可控的。可调射束分离器被配置为基于第一激励输入和第二激励输入，沿着初级光学轴线来移动可调射束分离器的有效弯曲点。

公开(公告)号：CN111213219A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880060710.X

申请日：2018-09-14

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·G·M·J·玛森 ,  P·P·亨佩尼尤斯 ,  任伟明 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28

Abstract: 一种带电粒子束装置包括子束形成单元，该子束形成单元被配置为在样品(440)上形成子束阵列(410)并且对其进行扫描。子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面(430)上，并且子束阵列的第二部分具有至少一个子束，该至少一个子束相对于焦平面具有离焦水平(490)。该带电粒子束装置还包括检测器，其被配置为检测由子束阵列形成的样品的图像；以及处理器，其被配置为基于检测的图像来估计焦平面与样品之间的分隔水平，并且然后基于估计水平来减小分隔水平。

公开(公告)号：CN110574139A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880027803.2

申请日：2018-04-04

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 胡学让 ,  任伟明 ,  刘学东 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/12

Abstract: 本文中公开了一种设备，其包括：第一导电层；第二导电层；多个光学元件，在第一导电层和第二导电层之间，其中多个光学元件被配置为影响多个带电粒子束；第三导电层，在第一导电层和第二导电层之间；以及电绝缘层，物理连接到光学元件，其中电绝缘层被配置为使光学元件与第一导电层和第二导电层电绝缘。

公开(公告)号：CN110383415A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880010544.2

申请日：2018-02-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 王勇新 ,  任伟明 ,  董仲华 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: 提供了用于带电粒子检测的系统和方法。检测系统包括信号处理电路(502)，该信号处理电路(502)被配置为基于从多个电子感测元件(244)接收的电子强度数据来生成一组强度梯度。检测系统进一步包括束斑处理模块(506)，该束斑处理模块(506)被配置为：基于一组强度梯度来确定束斑的至少一个边界；以及基于所述至少一个边界来确定多个电子感测元件中的第一组电子感测元件在束斑内。束斑处理模块可以进一步被配置为：基于从第一组电子感测元件接收的电子强度数据来确定束斑的强度值，并且还基于强度值来生成晶片的图像。

公开(公告)号：CN113632196B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202080024585.4

申请日：2020-03-06

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 席庆坡 ,  胡学让 ,  刘学东 ,  任伟明 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28

Abstract: 公开了一种包括可调射束分离器的多射束检查装置。可调射束分离器被配置为改变次级粒子射束的路径。可调射束分离器包括第一维恩过滤器和第二维恩过滤器。两个维恩过滤器都与初级光学轴线对准。第一维恩过滤器和第二维恩过滤器是分别经由第一激励输入和第二激励输入而独立可控的。可调射束分离器被配置为基于第一激励输入和第二激励输入，沿着初级光学轴线来移动可调射束分离器的有效弯曲点。

公开(公告)号：CN114420523B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202210041735.3

申请日：2016-11-30

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 任伟明 ,  刘学东 ,  胡学让 ,  陈仲玮

IPC: H01J37/145 ,  H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28 ,  G01N23/2251

Abstract: 披露了多个带电粒子束的设备。提出了一种多束设备中的二次投影成像系统，该二次投影成像系统使二次电子检测具有高收集效率和低串扰。该系统采用一个变焦透镜，一个投影透镜和一个防扫描偏转单元。变焦透镜和投影透镜分别执行变焦功能和防旋转功能，以相对于多个一次细束的着陆能量和/或电流保持总成像放大倍率和总图像旋转。防扫描偏转单元执行防扫描功能以消除由于多个一次细束的偏转扫描而导致的动态图像移位。

公开(公告)号：CN119343614A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380046265.2

申请日：2023-07-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 王勇新 ,  任伟明

IPC: G01T1/29

Abstract: 一种带电粒子检测器包括多个感测元件，其中每个感测元件进一步被划分为子感测元件。所述子感测元件可以在图像模式中在高分辨率图像获取期间被单独地寻址，并且可以在束模式中在高速检测期间被分组在一起。这种布置允许速度与分辨率之间的可选折衷，而不引入显著的寄生参数。

公开(公告)号：CN119340181A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411696009.0

申请日：2019-11-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 任伟明 ,  张乾 ,  胡学让 ,  刘学东

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/317

Abstract: 公开了包括改进的源转换单元的多束检查装置。改进的源转换单元可以包括微结构偏转器阵列，微结构偏转器阵列包括多个多极结构。微偏转器的偏转器阵列可以包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。

公开(公告)号：CN119013756A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033464.X

申请日：2023-03-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 龚子洲 ,  季晓宇 ,  O·克鲁宾 ,  任伟明

IPC: H01J37/20 ,  H01L21/683

Abstract: 公开了一种改进系统，例如用于带电粒子束系统(诸如扫描电子显微镜(SEM))中的晶片外部检查。该系统使用晶片703周围的多个导电电极(例如，环710、711)来校正晶片外部发生的电场畸变。这些环上施加不同的互补电压VS1、VS2，以便实现对电场畸变的精确补偿。

公开(公告)号：CN118302838A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280077673.X

申请日：2022-10-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 张大彤 ,  季晓宇 ,  任伟明 ,  刘学东 ,  林嘉文

IPC: H01J37/10

Abstract: 公开了使用初级带电粒子束的探测电流得到增强且电流密度高的带电粒子束装置来检查样品的系统和方法。该装置包括带电粒子源、被配置为会聚该初级带电粒子束并且可在第一模式和第二模式下操作的第一会聚透镜，其中：在该第一模式下，该第一会聚透镜被配置为会聚该初级带电粒子束，并且在该第二模式下，该第一会聚透镜被配置为充分会聚该初级带电粒子束以沿该初级光轴形成交叉。该装置还包括：第二会聚透镜，被配置为在该第一模式下调整该初级带电粒子束的第一射束电流并且在该第二模式下调整该初级带电粒子束的第二射束电流，该第二射束电流大于该第一射束电流。