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公开(公告)号:TW201903352A
公开(公告)日:2019-01-16
申请号:TW107118378
申请日:2018-05-30
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 瑞芬斯伯根 珍尼克 , RAVENSBERGEN, JANNEKE , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 周子理 , ZHOU, ZILI , 柯蘭 愛曼德 尤金尼 愛博特 , KOOLEN, ARMAND EUGENE ALBERT , 高爾登 賽巴斯汀亞努斯 安德里亞努斯 , GOORDEN, SEBASTIANUS ADRIANUS , 法格金吉 歐兒 巴斯坦 歐尼 , FAGGINGER AUER, BASTIAAN ONNE , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
Abstract: 本文中揭示一種量測形成於一基板上之一結構以判定一所關注參數之度量衡裝置。該裝置包含一光學系統,該光學系統經組態以將輻射聚焦至該結構上且將在自該結構反射之後的輻射導引至一偵測器上,其中:該光學系統經組態使得該偵測器偵測由來自一光瞳平面場分佈中之至少兩個不同點之輻射之間的干涉產生的一輻射強度,其中該干涉係使得該偵測到之輻射強度之含有關於該所關注參數之資訊的一分量相對於該偵測到之輻射強度之一或多個其他分量得以增強。
Abstract in simplified Chinese: 本文中揭示一种量测形成于一基板上之一结构以判定一所关注参数之度量衡设备。该设备包含一光学系统,该光学系统经组态以将辐射聚焦至该结构上且将在自该结构反射之后的辐射导引至一侦测器上,其中:该光学系统经组态使得该侦测器侦测由来自一光瞳平面场分布中之至少两个不同点之辐射之间的干涉产生的一辐射强度,其中该干涉系使得该侦测到之辐射强度之含有关于该所关注参数之信息的一分量相对于该侦测到之辐射强度之一或多个其他分量得以增强。
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公开(公告)号:TWI634322B
公开(公告)日:2018-09-01
申请号:TW106114028
申请日:2017-04-27
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
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公开(公告)号:TW201823713A
公开(公告)日:2018-07-01
申请号:TW106128023
申请日:2017-08-18
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 凡 弗斯特 彼得 丹尼 , VAN VOORST, PETER DANNY , 林楠 , LIN, NAN , 盧波 山德 巴斯 , ROOBOL, SANDER BAS , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 凡 登 波斯 西特喜 希巨門 , VAN DER POST, SIETSE THIJMEN
Abstract: 本發明揭示一種檢測裝置及一種用於量測一基板上之一目標結構之相關聯方法。該檢測裝置包含:一照明源,其用於產生量測輻射;一光學配置,其用於將該量測輻射聚焦至該目標結構上;及一補償光學器件。該補償光學器件可包含一SLM,其可操作以在空間上調變該量測輻射之波前以便補償該光學配置中之一非均一製造缺陷。在替代性實施例中,該補償光學器件可位於量測輻射之光束中,或位於用於產生一HHG源中之高諧波輻射之泵浦輻射的光束中。該補償光學器件在位於泵浦輻射之光束的情況下可用於校正指向誤差,或在該量測輻射之一光束中賦予一所要剖面或不同照明圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种检测设备及一种用于量测一基板上之一目标结构之相关联方法。该检测设备包含:一照明源,其用于产生量测辐射;一光学配置,其用于将该量测辐射聚焦至该目标结构上;及一补偿光学器件。该补偿光学器件可包含一SLM,其可操作以在空间上调制该量测辐射之波前以便补偿该光学配置中之一非均一制造缺陷。在替代性实施例中,该补偿光学器件可位于量测辐射之光束中,或位于用于产生一HHG源中之高谐波辐射之泵浦辐射的光束中。该补偿光学器件在位于泵浦辐射之光束的情况下可用于校正指向误差,或在该量测辐射之一光束中赋予一所要剖面或不同照明图案。
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公开(公告)号:TWI623821B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:TW105139829
申请日:2016-12-02
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V.
Inventor: 布林克夫 拉夫 , BRINKHOF, RALPH , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 葛森 邁可 羅伯特 , GOOSEN, MAIKEL ROBERT , 德莫吉斯 凡氏立 , DEMERGIS, VASSILI , 力吉柏斯 巴特 , RIJPERS, BART
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公开(公告)号:TW201805727A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:TW106114730
申请日:2017-05-04
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 林楠 , LIN, NAN , 盧波 山德 巴斯 , ROOBOL, SANDER BAS , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
CPC classification number: G03F7/70575 , G02F1/353 , G02F2001/354 , G02F2201/16 , G03F7/2004 , G03F7/70033 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F2007/2067 , G21K5/04 , H05G2/00
Abstract: 本發明描述一種供用於微影製程中的在用於一檢測設備中之一照明設備中產生照明輻射的方法。提供包含複數個輻射脈衝之一驅動輻射光束。該光束被分裂成第一複數個驅動輻射脈衝及第二複數個驅動輻射脈衝。每複數個驅動輻射脈衝具有一可控制特性。該第一複數個驅動輻射脈衝及該第二複數個驅動輻射脈衝可用以產生具有一輸出波長光譜之一照明輻射光束。該第一可控制特性及該第二可控制特性經控制以便分別控制該照明輻射光束之該輸出波長光譜之第一部分及第二部分。
Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种供用于微影制程中的在用于一检测设备中之一照明设备中产生照明辐射的方法。提供包含复数个辐射脉冲之一驱动辐射光束。该光束被分裂成第一复数个驱动辐射脉冲及第二复数个驱动辐射脉冲。每复数个驱动辐射脉冲具有一可控制特性。该第一复数个驱动辐射脉冲及该第二复数个驱动辐射脉冲可用以产生具有一输出波长光谱之一照明辐射光束。该第一可控制特性及该第二可控制特性经控制以便分别控制该照明辐射光束之该输出波长光谱之第一部分及第二部分。
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公开(公告)号:TWI611277B
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:TW105128753
申请日:2016-09-06
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V.
Inventor: 保羅 亞歷山卓 , POLO, ALESSANDRO , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 庫斯東 史考特 道格拉斯 , COSTON, SCOTT DOUGLAS , 海弗林 羅南 詹姆斯 , HAVELIN, RONAN JAMES
CPC classification number: G03F9/7065 , G02B6/2938
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公开(公告)号:TW201730546A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:TW105142815
申请日:2016-12-22
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 林 楠 , LIN, NAN , 盧波 山德 巴斯 , ROOBOL, SANDER BAS
CPC classification number: G01N21/8806 , G01N2021/8822 , G01N2201/061 , G03F7/70191 , G03F7/70483 , G03F7/7065 , G03F9/7049 , G03F9/7065
Abstract: 一微影裝置為將一所要圖案施加至一基板上(通常施加至該基板之一目標部分上)的一機器。一微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。該微影裝置具有一檢測裝置,該檢測裝置具有利用具有2 nm至40 nm之一波長之照明輻射的一照明系統。該照明系統包括一光學元件,該光學元件將該照明輻射分裂成一第一照明輻射及一第二照明輻射,且誘發對該第一照明輻射或該第二照明輻射之一時間延遲。一偵測器偵測已由一目標結構散射之輻射。該檢測裝置具有一處理單元,該處理單元可操作以控制第一散射輻射與第二散射輻射之間的一時間延遲以便最佳化經組合之第一散射輻射及第二散射輻射之一性質。
Abstract in simplified Chinese: 一微影设备为将一所要图案施加至一基板上(通常施加至该基板之一目标部分上)的一机器。一微影设备可用于例如集成电路(IC)之制造中。该微影设备具有一检测设备,该检测设备具有利用具有2 nm至40 nm之一波长之照明辐射的一照明系统。该照明系统包括一光学组件,该光学组件将该照明辐射分裂成一第一照明辐射及一第二照明辐射,且诱发对该第一照明辐射或该第二照明辐射之一时间延迟。一侦测器侦测已由一目标结构散射之辐射。该检测设备具有一处理单元,该处理单元可操作以控制第一散射辐射与第二散射辐射之间的一时间延迟以便最优化经组合之第一散射辐射及第二散射辐射之一性质。
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公开(公告)号:TWI692634B
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:TW108107994
申请日:2017-08-18
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
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公开(公告)号:TWI669577B
公开(公告)日:2019-08-21
申请号:TW107125080
申请日:2018-07-20
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 努特 馬克 喬漢斯 , NOOT, MARC JOHANNES , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 巴塔哈爾亞 卡司徒夫 , BHATTACHARYYA, KAUSTUVE , 邊珍武 , BYUN, JINMOO , 金賢洙 , KIM, HYUN-SU , 張源宰 , JANG, WON-JAE , 戴維斯 帝摩希 鐸甘 , DAVIS, TIMOTHY DUGAN
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号:TW201921181A
公开(公告)日:2019-06-01
申请号:TW107132890
申请日:2018-09-19
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor: 賈克 馬丁 賈庫柏斯 喬漢 , JAK, MARTIN JACOBUS JOHAN , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 巴塔哈爾亞 卡司徒夫 , BHATTACHARYYA, KAUSTUVE , 張源宰 , JANG, WON-JAE , 邊珍武 , BYUN, JINMOO
Abstract: 一種用以判定一圖案化製程參數之方法,該方法包含:針對一目標,自藉由運用包含一中心波長之輻射照明該目標所獲得的資料計算用於一中間參數之一第一值;針對該目標,自藉由運用包含兩個不同中心波長之輻射照明該目標所獲得的資料計算用於該中間參數之一第二值;及基於用於該中間參數之該第一值及該第二值計算對於該圖案化製程參數之一組合之量測。
Abstract in simplified Chinese: 一种用以判定一图案化制程参数之方法,该方法包含:针对一目标,自借由运用包含一中心波长之辐射照明该目标所获得的数据计算用于一中间参数之一第一值;针对该目标,自借由运用包含两个不同中心波长之辐射照明该目标所获得的数据计算用于该中间参数之一第二值;及基于用于该中间参数之该第一值及该第二值计算对于该图案化制程参数之一组合之量测。
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