Magnetfeldstromsensoren und Verfahren

    公开(公告)号:DE102009054892B4

    公开(公告)日:2015-01-08

    申请号:DE102009054892

    申请日:2009-12-17

    Abstract: Magnetstromsensor (300; 1000), der in einer integrierten Schaltung (IS) integriert ist und in einem IS-Gehäuse gehäust ist, mit folgenden Merkmalen: einem IS-Chip, der ausgebildet ist, um zumindest drei Magneterfassungselemente (1004) an einer ersten Oberfläche aufzuweisen; einem Leiter, wobei zumindest ein Schlitz in dem Leiter gebildet ist, wobei ein erstes Ende des zumindest einen Schlitzes und zumindest eines der Magneterfassungselemente (1004) relativ positioniert sind, derart, dass das zumindest eine der Magneterfassungselemente (1004) konfiguriert ist, um ein erhöhtes Magnetfeld zu erfassen, das in dem Leiter in der Nähe des ersten Endes des zumindest einen Schlitzes induziert wird; und einer elektrisch isolierenden Schicht, die zwischen dem Leiter und dem IS-Chip angeordnet ist, wobei die zumindest drei Magneterfassungselemente (1004) linear angeordnet sind und voneinander beabstandet sind.

    Sensoren, Systeme und Verfahren zur Erfassung von Fehlerstrom

    公开(公告)号:DE102014103190A1

    公开(公告)日:2014-09-18

    申请号:DE102014103190

    申请日:2014-03-11

    Abstract: Ausführungsformen betreffen Sensorsysteme und Verfahren zum Erfassen von Fehlerströmen. In den Ausführungsformen umfasst ein Sensor einen Magnetkern und eine Vielzahl von Leitern, die durch eine Öffnung des Kerns hindurch gehen. Der Magnetkern umfasst in dem Kern selbst einen Spalt, und ein Magnetfeldsensor ist in der Nähe, aber im Gegensatz zu herkömmlichen Ansätzen nicht in diesem Spalt angeordnet, damit ein Nettofluss in dem Kern erfasst wird. Die Ausführungsformen können vorteilhafterweise in Anwendungen verwendet werden, in denen es gewünscht ist, Wechselstrom oder Gleichstrom zu erfassen.

    Vertikale Hall-Vorrichtung mit hoch leitendem Gegenflächenknoten für einen elektrischen Anschluss von einem ersten und zweiten Hall-Effekt-Gebiet

    公开(公告)号:DE102014201178A1

    公开(公告)日:2014-07-31

    申请号:DE102014201178

    申请日:2014-01-23

    Abstract: Eine vertikale Hall-Vorrichtung weist ein erstes Hall-Effekt-Gebiet und ein davon verschiedenes zweites Hall-Effekt-Gebiet, beide in einem gemeinsamen Halbleiterkörper, auf. Das erste und zweite Hall-Effekt-Gebiet haben eine Hauptfläche bzw. eine Gegenfläche. Ein hoch leitender Gegenflächenknoten ist mit der Gegenfläche des ersten Hall-Effekt-Gebiets und der Gegenfläche des zweiten Hall-Effekt-Gebiets im Halbleiterkörper in ohmschem Kontakt. Die vertikale Hall-Vorrichtung weist auch ein erstes Paar von Kontakten in oder an der Hauptfläche des ersten Hall-Effekt-Gebiets und ein zweites Paar von Kontakten in oder an der Hauptfläche des zweiten Hall-Effekt-Gebiets auf. Eine konvex umschreibende Kontur des zweiten Paares von Kontakten ist von einer konvex umschreibenden Kontur des ersten Paares von Kontakten disjunkt. Alternative Ausführungsformen weisen ein Paar von Kontakten und einen Gegenflächenknotenkontakt auf.

    Halbleiterpackages, Systeme und Verfahren für deren Ausbildung

    公开(公告)号:DE102013113186A1

    公开(公告)日:2014-06-05

    申请号:DE102013113186

    申请日:2013-11-28

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Halbleiterpackage eine Stromschiene mit einer ersten Kontaktfläche und einer zweiten Kontaktfläche, einer ersten Nut und einer zweiten Nut und einem Magnetfeld-Erzeugungsabschnitt. Entlang einer Stromflussrichtung ist die erste Nut zwischen der ersten Kontaktfläche und dem Magnetfeld-Erzeugungsabschnitt angeordnet und die zweite Nut ist zwischen dem Magnetfeld-Erzeugungsabschnitt und der zweiten Kontaktfläche angeordnet. Die Dicke der Stromschiene an der ersten Nut ist kleiner als die Dicke der Stromschiene an der ersten Kontaktfläche.

    Drehwinkelsensor zur absoluten Drehwinkelbestimmung auch bei mehrfachen Umdrehungen

    公开(公告)号:DE102012202404A1

    公开(公告)日:2013-08-22

    申请号:DE102012202404

    申请日:2012-02-16

    Abstract: Ein Drehwinkelsensor zur Erfassung eines absoluten Drehwinkels bei Einfach- oder Mehrfachumdrehungen bezüglich einer Rotationsachse umfasst einen Magnetfeldsensor 30 und eine Geberanordnung 20. Der Magnetfeldsensor 30 ist geeignet zur Erfassung von zumindest zwei orthogonale Größen eines Magnetfelds. Die Geberanordnung 20 ist in Abhängigkeit von dem absoluten Drehwinkel relativ zu dem Magnetfeldsensor um die Rotationsachse drehbar, so dass das von dem Magnetfeldsensor erfasste Magnetfeld von einer relativen Winkelposition der Geberanordnung zu dem Magnetfeldsensor abhängt. Die Geberanordnung 20 ist weiterhin verschiebbar gegenüber dem Magnetfeldsenor. Aus den zumindest zwei von dem Magnetfeldsensor erfassten orthogonalen Größen des Magnetfelds ist die relative Winkelposition und die relative translatorische Position der Geberanordnung 20 zu dem Magnetfeldsensor 30 bestimmbar. Der absolute Drehwinkel ist mittels der relativen Winkelposition und der relativen translatorischen Position bestimmbar. Gemäß einer alternativen Ausführungsform umfasst die Geberanordnung ein Multipolrad. Ein Verfahren zur Bestimmung eines absoluten Drehwinkels ist ebenfalls offenbart.

    Hochstromsensoren
    36.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102012109224A1

    公开(公告)日:2013-03-28

    申请号:DE102012109224

    申请日:2012-09-28

    Abstract: Die Ausführungsformen betreffen Hochstromsensoren, die im Allgemeinen Flachleiter aufweisen. In einer Ausführungsform ist der Leiter aus einem nicht magnetischen Material, wie z.B. Kupfer oder Aluminium, ausgebildet und weist einen groben Schlitz auf, der die Querschnittsfläche für den Stromfluss ungefähr um einen Faktor zwei verringert. Der Schlitz dient auch als eine Öffnung, in der das Sensorpaket befestigt werden kann, wodurch es vor Umgebungseinflüssen geschützt ist.

    Magnetische Positionssensoren, Systeme und Verfahren

    公开(公告)号:DE102012214648A1

    公开(公告)日:2013-02-21

    申请号:DE102012214648

    申请日:2012-08-17

    Abstract: Magnetische Positionssensoren, Systeme und Verfahren sind offenbart. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Positionserfassungssystem eine Magnetfeldquelle mit einem Dipolmoment in einer Richtung entlang einer z-Achse; und ein Sensormodul, das von einer Mitte des Dipolmoments um eine Distanz y0 entlang einer y-Achse beabstandet ist und um eine Distanz z0 von einer Mitte des Dipolmoments entlang einer z-Achse beabstandet ist, wobei zumindest entweder die Magnetfeldquelle oder das Sensormodul ausgebildet ist, sich relativ zu dem anderen entlang eines Pfads in der Ebene y = y0 zu bewegen, wobei das Sensormodul ausgebildet ist, eine relative Position der Magnetfeldquelle zu dem Sensormodul im Hinblick auf den Pfad zu bestimmen, aus einem Verhältnis eines Gradienten dBz/dx zu einem Gradienten dBz/dy, wobei Bz eine Magnetfeldkomponente ist, die dem Dauermagneten zugeordnet ist, und wobei eine x-Achse, die y-Achse und die z-Achse im rechten Winkel sind.

    HALLPLATTE MIT NIEDRIGEM SPINNING-STROM-VERSATZ UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN DERSELBEN

    公开(公告)号:DE102012201727A1

    公开(公告)日:2012-08-09

    申请号:DE102012201727

    申请日:2012-02-06

    Abstract: Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Apparatur zum Beseitigen der Auswirkung von Kontaktwiderständen auf Kontakte von Hall-Effekt-Vorrichtungen. Bei einem Ausführungsbeispiel weist die Apparatur eine Hall-Effekt-Vorrichtung auf, die eine Mehrzahl von Kraft- und Erfassungskontaktpaaren aufweist. Die Kraft- und Erfassungskontaktpaare weisen einen Kraftkontakt und einen separaten und gesonderten Erfassungskontakt auf. Der Kraftkontakt ist dazu konfiguriert, als Versorgungsanschluss zu fungieren, der ein Eingangssignal empfängt, während der Erfassungskontakt dazu konfiguriert ist, als Ausgangsanschluss zu fungieren, um ein Ausgangssignal zu liefern, das einen gemessenen Magnetfeldwert angibt. Durch Verwenden separater Kontakte zum Eingeben eines Signals (z. B. eines angelegten Stroms) und Auslesen eines Signals (z. B. einer induzierten Spannung) können die durch Kontaktwiderstände erzeugten Nicht-Linearitäten beseitigt werden, wodurch die Nullpunktversatzspannung des gemessenen Magnetfeldes minimiert wird.

    MAGNETORSISTIVE WINKELSENSOREN
    39.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102011088710A1

    公开(公告)日:2012-06-21

    申请号:DE102011088710

    申请日:2011-12-15

    Abstract: Magnetoresistive Winkelsensoren, Sensorsysteme und Verfahren sind offenbart. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein magnetoresistiver Winkelsensor eine erste Mehrzahl aus Leitern, die parallel zueinander in einer ersten Ebene angeordnet sind, um ein erstes Array zu bilden; eine zweite Mehrzahl aus Leitern, die parallel zueinander in einer zweiten Ebene angeordnet sind, um ein zweites Arrays zu bilden, wobei die zweite Ebene unterschiedlich zu und beabstandet von der ersten Ebene ist, und die zweite Mehrzahl aus Leitern orthogonal im Hinblick auf die erste Mehrzahl aus Leitern angeordnet ist; und das zumindest eine magnetoresistive Element zwischen der ersten Ebene und der zweiten Ebene angeordnet ist.

    GMR-SENSOREN, DIE VERRINGERTE AMR-EFFEKTE AUFWEISEN

    公开(公告)号:DE102011078069A1

    公开(公告)日:2011-12-29

    申请号:DE102011078069

    申请日:2011-06-24

    Abstract: Ausführungsbeispiele, die auf Giant-Magnetoresistenz-Winkelsensorlayouts (GMR-Winkelsensorlayouts) bezogen sind, die verringerte anisotrope magnetoresistive Effekte (AMR-Effekte) aufweisen. Ausführungsbeispiele liefern GMR-Winkelsensorlayouts, die eine auf AMR-Effekte bezogene Verzerrung verringern oder eliminieren, leichter maßstäblich vergrößert oder verkleinert werden können und kompakter sind, um eine verfügbare Oberflächengröße effizienter zu nutzen.

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