公开(公告)号：DE102014112342A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112342

申请日：2014-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VAUPEL MATHIAS ,  RUHL GÜNTHER

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  H01L23/28

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Verarbeiten von Halbleiter-Dies bereitgestellt. Jeder Halbleiter-Die weist eine erste Seite mit einem oder mehreren Anschlüssen, eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite und sich zwischen der ersten und zweiten Seite erstreckende Seitenwände auf. Die Halbleiter-Dies werden verarbeitet, indem die Halbleiter-Dies auf einem Stützsubstrat platziert werden, so dass die erste Seite jedes Halbleiter-Die dem Stützsubstrat zugewandt ist und die zweite Seite dem Stützsubstrat abgewandt ist. Eine Beschichtung wird auf die auf dem Stützsubstrat platzierten Halbleiter-Dies aufgetragen. Die Beschichtung besitzt ein niedrigeres Reflexionsvermögen als die erste Seite der Halbleiter-Dies. Die Beschichtung bedeckt die zweite Seite und mindestens ein Gebiet der Seitenwände am nächsten zur zweiten Seite jedes Halbleiter-Die. Die Halbleiter-Dies werden von dem Stützsubstrat entfernt, nachdem die Beschichtung aufgebracht worden ist, und zwar zur weiteren Verarbeitung als lose Dies wie etwa Gurten.

公开(公告)号：DE102014108441A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：DE102014108441

申请日：2014-06-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VAUPEL MATHIAS ,  GEHRIG KURT ,  QUECK KIAN PIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67

Abstract: Ein Ausführungsformverfahren zum Trennen von Halbleiterbauelementen von einem Wafer umfasst das Verwenden eines Trägers, der eine einstellbare Klebekraft auf die Halbleiterbauelemente ausübt, und Entfernen der Halbleiterbauelemente von dem Träger durch Ausüben eines mechanischen oder akustischen Impulses auf den Träger.

公开(公告)号：DE102012109354A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102012109354

申请日：2012-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERNRIEDER SEBASTIAN ,  KOLLER ADOLF ,  MARTENS STEFAN ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/67

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterbauelement (100) durch Anordnen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (100) auf einem Rahmen (31) mit einer Klebefolie (32) hergestellt. Die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (100) wird an der Klebefolie (32) angebracht. Die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (100) wird unter Verwendung eines Kohlendioxidschnee-Jets (60) und/oder eines Laserprozesses von dem Rahmen (31) mit der Klebefolie (32) entfernt.