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    Drucksensor-Package mit integrierter Dichtung sowie Herstellungsverfahren dafür
    1.
    发明专利
    Drucksensor-Package mit integrierter Dichtung sowie Herstellungsverfahren dafür 未知

    公开(公告)号：DE102014114014B4

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：DE102014114014

    申请日：2014-09-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： VAUPEL MATHIAS ,  THEUSS HORST ,  WIETSCHORKE HELMUT

    IPC: H01L23/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  G01L9/08 ,  G01L19/14 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

    Abstract: Drucksensor-Package, das aufweist:eine Anschlussleitung;einen Halbleiter-Chip, der von der Anschlussleitung beabstandet ist, und der einen Anschluss und eine Membran, die auf einer ersten Seite des Chips angeordnet ist oder sind, umfasst, wobei der Chip dafür ausgelegt ist, einen elektrischen Parameter in Reaktion auf einen Druckunterschied über der Membran zu ändern;einen elektrischen Leiter, der den Anschluss mit der Anschlussleitung verbindet;eine Pressmasse, die den elektrischen Leiter, den Chip und einen Abschnitt der Anschlussleitung ummantelt;einen Hohlraum in der Pressmasse, der die Membran freilegt; undeinen Dichtungsring, der auf einer Seite der Pressmasse mit dem Hohlraum angeordnet ist, wobei der Dichtungsring den Hohlraum umgibt und einen niedrigeren Elastizitätsmodul als die Pressmasse aufweist;wobei der Dichtungsring einen Bereich besitzt, der innerhalb der Pressmasse verankert ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mittels eines Elektroplattierungsprozesses
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mittels eines Elektroplattierungsprozesses 未知

    公开(公告)号：DE102010060272B4

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：DE102010060272

    申请日：2010-10-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POHL JENS ,  BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  STEINER RAINER ,  ROBL WERNER ,  VAUPEL MATHIAS

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Substrats (102), das mindestens einen Kontakt (108) umfasst;Aufbringen einer dielektrischen Schicht (122) über dem Substrat (102);Aufbringen einer ersten Keimschicht (124) über der dielektrischen Schicht (122);Aufbringen einer inerten Schicht (126) über der Keimschicht (124) ;Strukturieren der inerten Schicht (126), der ersten Keimschicht (124) und der dielektrischen Schicht (122), um mindestens einen Abschnitt des Kontakts (108) zu exponieren;Aufbringen einer zweiten Keimschicht (130) über exponierten Abschnitten der strukturierten dielektrischen Schicht (122) und des Kontakts (108), so dass die zweite Keimschicht (130) mit der strukturierten ersten Keimschicht (124) einen elektrischen Kontakt herstellt, wobei es dort, wo die inerte Schicht (126) die erste Keimschicht (124) und die dielektrische Schicht (110) bedeckt, keine Abscheidung der zweiten Keimschicht (130) gibt; undElektroplattieren eines Metalls auf die zweite Keimschicht (130), wobei es dort, wo die inerte Schicht (126) die erste Keimschicht (124) und die dielektrische Schicht (110) überdeckt, keine Abscheidung der Metallschicht (114) gibt.

    Sensoranordnung
    4.
    发明专利
    Sensoranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102014112495A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：DE102014112495

    申请日：2014-08-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEHMANN THOMAS ,  THEUSS HORST ,  VAUPEL MATHIAS

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L7/00 ,  H01L49/00

    Abstract: Sensoranordnung zum Erfassen einer Umgebungseigenschaft einer Umgebung der Sensoranordnung, wobei die Sensoranordnung umfasst: • einen Träger; • eine aktive Sensorkomponente angeordnet am Träger und ausgebildet zum Bereitstellen eines die Umgebungseigenschaft anzeigenden Sensorsignals; • eine wenigstens einen Teil einer Außenfläche des Trägers verkapselnde und eine die aktive Sensorkomponente zur Umgebung freilegende Zugangsvertiefung umfassende Formstruktur; • wobei die Zugangsvertiefung asymmetrisch zum Träger angeordnet ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Prüfprozess
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Prüfprozess 未知

    公开(公告)号：DE102012109355B4

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：DE102012109355

    申请日：2012-10-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MARTENS STEFAN ,  VAUPEL MATHIAS

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/66

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Bereitstellen eines Wafers mit einer oberen Oberfläche und einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei die obere Oberfläche eine Mehrzahl von Zerteilungskanälen (15) aufweist, wobei der Wafer angrenzend an die obere Oberfläche eine Mehrzahl von Chips (100) aufweist, wobei jeder Chip der Mehrzahl von Chips (100) durch einen Zerteilungskanal (15) der Mehrzahl von Zerteilungskanälen (15) von einem anderen Chip (100) der Mehrzahl von Chips (100) getrennt wird; • Bilden von Gräben in dem Wafer von der oberen Oberfläche aus, wobei die Gräben entlang der Mehrzahl von Zerteilungskanälen (15) orientiert sind, wobei das Bilden von Gräben in dem Wafer ein Bilden von rauen Seitenwänden mittels eines groben mechanischen Zerteilungsprozesses und ein Glätten der rauen Seitenwände mit einem von der oberen Oberfläche ausgeführten Ätzprozess aufweist; • Prüfen der Mehrzahl von Chips (100) nach dem Bilden von Gräben, um erste Chips (100) der Mehrzahl von Chips (100) zu identifizieren, wobei die ersten Chips (100) identifiziert werden, um von verbleibenden Chips (100) der Mehrzahl von Chips (100) getrennt zu werden; und • Schleifen des Wafers von der hinteren Oberfläche aus nach dem Prüfen der Mehrzahl von Chips (100), um den Wafer zu der Mehrzahl von Chips (100) zu trennen.

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