公开(公告)号：FR3022688A1

公开(公告)日：2015-12-25

申请号：FR1455785

申请日：2014-06-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  BOUTON GUILHEM

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/00

Abstract: Le procédé de fabrication comprend une réalisation, au sein d'un substrat semiconducteur, d'une région isolante (2) délimitant une zone active (la), une réalisation d'une région de grille isolée (3) au-dessus de la zone active, une première implantation de dopants dans la zone active de part et d'autre de la région de grille isolée, une réalisation de régions latérales isolantes sur les flancs de la région de grille isolée et une deuxième implantation de dopants dans la zone active, plus profonde que la première implantation, à travers une fenêtre d'implantation (100) débordant de part et d'autre des régions latérales isolantes. La fenêtre d'implantation exclut de la zone active au moins une première zone d'exclusion (101) située d'un côté de la région de grille isolée (3) à distance de la région latérale isolante correspondante (8).

公开(公告)号：FR3021457A1

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：FR1454552

申请日：2014-05-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： WUIDART SYVIE ,  RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat (1) et au moins un composant (TR) disposé au moins partiellement au sein d'une région active (10) du substrat (1) limitée par une région isolante (2). Ce circuit comprend en outre une structure capacitive (STC) possédant une première électrode destinée à être reliée à un premier potentiel (GND), une deuxième électrode destinée à être reliée à un deuxième potentiel (Vdd), l'une des deux électrodes étant située au moins en partie dans la région isolante (2) ; la structure capacitive (STC) est ainsi configurée pour permettre également une réduction de contraintes en compression dans ladite région active.

公开(公告)号：FR3007198A1

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：FR1355476

申请日：2013-06-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Circuit intégré, comprenant un substrat (1) et au moins un transistor NMOS (TRN) ayant au sein du substrat (1) une région active (10) entourée par une région isolante (2). Ladite région isolante (2) comporte au moins une zone dans laquelle elle possède deux domaines isolants (20, 21) mutuellement séparés par une région de séparation (11) formée par une partie du substrat.

公开(公告)号：FR3007195A1

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：FR1355477

申请日：2013-06-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

Abstract: Le circuit intégré, comprend un substrat (1) et au moins un transistor NMOS (TRN) ayant au sein du substrat (1) une région active (10) entourée par une région isolante (2) et une région isolante supplémentaire (4) disposée au-dessus de la région de grille du transistor, de la région active et de la région isolante. Ledit au moins un transistor NMOS comprend au moins une région de contact métallique (9) traversant ladite région isolante supplémentaire et venant contacter au moins la face supérieure d'une portion de ladite région isolante.

公开(公告)号：FR3005204A1

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：FR1353945

申请日：2013-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L23/64 ,  H01L29/94

Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Le circuit comprend en outre au moins un dispositif capacitif commutable (DIS) ayant une valeur capacitive ajustable et comportant au moins une cellule capacitive commutable (CEL) possédant un condensateur principal (CDP) et un système métallique disposé au moins en partie dans un logement de ladite partie d'interconnexion et électriquement connecté audit condensateur principal, le système métallique ayant un premier (BR) et un deuxième (PQI) éléments métalliques mobiles relativement l'un à l'autre dans ledit logement (LGT), et étant commutable entre une première configuration dans laquelle les deux éléments sont mutuellement espacés de façon à former un condensateur auxiliaire électriquement connecté audit condensateur principal et conférer une première valeur capacitive à ladite cellule capacitive, et une deuxième configuration dans laquelle les deux éléments métalliques sont mutuellement en contact de façon à conférer une deuxième valeur capacitive à la cellule capacitive.

公开(公告)号：FR2966268B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1058474

申请日：2010-10-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: G06K19/073 ,  H01L35/00

公开(公告)号：FR2950969B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR0956876

申请日：2009-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN

IPC: G01K7/20 ,  G06K19/077

公开(公告)号：FR2950969A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956876

申请日：2009-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN

IPC: G01K7/20 ,  G06K19/077

Abstract: L'invention concerne un dispositif de détection de variations de température du substrat d'une puce de circuit intégré, comportant, dans le substrat, des résistances implantées (41, 43, 45, 47) reliées en un pont de Wheatstone, dans lequel chacune de deux premières résistances (45, 47) opposées du pont est recouverte d'un réseau de lignes métalliques parallèles à une première direction, la première direction étant telle qu'une variation des contraintes du substrat selon cette direction entraine une variation de la valeur de déséquilibre (V ) du pont.

公开(公告)号：FR2946460A1

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：FR0953703

申请日：2009-06-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/528

Abstract: Circuit intégré, comprenant au moins une région (RG) contenant au moins un matériau thermoélectrique (MTH) et configurée pour être soumise à au moins un gradient de température résultant d'une circulation d'un courant électrique dans moins une partie du circuit intégré (PSTA, PSTB) lors de son fonctionnement, et des moyens de sortie électriquement conducteurs couplés à ladite ou auxdites régions pour délivrer l'énergie électrique produite par le ou les matériaux thermoélectriques.

公开(公告)号：FR3069370B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1756939

申请日：2017-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DELALLEAU JULIEN ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/8232 ,  H01L23/522 ,  H05K1/02

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat (1), une partie d'interconnexion (3), une région isolante (2) située entre le substrat et la partie d'interconnexion et au moins une structure de leurre (STLR) située au sein de ladite région isolante et comportant un secteur siliciuré (CSS1) électriquement isolé du substrat.