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    STOCKAGE DANS UNE MEMOIRE NON VOLATILE
    31.
    发明专利
    STOCKAGE DANS UNE MEMOIRE NON VOLATILE 未知

    公开(公告)号：FR3058813A1

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：FR1661108

    申请日：2016-11-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  PROTON WORLD INT NV

    Inventor： PEETERS MICHAEL ,  MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS

    IPC: G06F21/60

    Abstract: L'invention concerne un procédé de brouillage d'adresses dans une mémoire non volatile, organisée en pages (P), dans lequel : la mémoire présente une granularité d'écriture de mots (W) comportant un ou plusieurs octets ; la mémoire comporte une granularité d'effacement de blocs (B) comportant une ou plusieurs pages (P) de plusieurs mots chacune ; et des adresses logiques (L-ADD) sont converties en adresses physiques en respectant les conditions suivantes : les adresses de données sont brouillées (32) en respectant la structure des pages et les adresses de code sont brouillées (31) en respectant la structure des mots.

    33.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2984553A1

    公开(公告)日：2013-06-21

    申请号：FR1161673

    申请日：2011-12-15

    Applicant: PROTON WORLD INT NV ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS ,  VAN ASSCHE GILLES ,  VAN KEER RONNY

    IPC: G06F11/14 ,  G06F21/88

    Abstract: The disclosure concerns a method implemented by a processing device. The method includes performing a first execution by the processing device of a computing function based on one or more initial parameters stored in a first memory device. The execution of the computing function generates one or more modified values of at least one of the initial parameters, wherein during the first execution the one or more initial parameters are read from the first memory device and the one or more modified values are stored in a second memory device. The method also includes performing a second execution by the processing device of the computing function based on the one or more initial parameters stored in the first memory device.

    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES
    37.
    发明专利
    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES 未知

    公开(公告)号：FR2994020A1

    公开(公告)日：2014-01-31

    申请号：FR1257354

    申请日：2012-07-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01G17/00 ,  G04G99/00 ,  H01L27/00

    Abstract: L'invention concerne une élément (C3') d'écoulement de charges électriques comportant, sur un support isolant (23), un empilement d'une première électrode (18'), d'une couche diélectrique (ONO, G01) dont au moins une portion (29) est adaptée à laisser circuler des charges par effet tunnel, et d'une seconde électrode (17), dans lequel au moins une des électrodes (18') est en silicium polycristallin non dopé.

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