公开(公告)号：FR3091019A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873833

申请日：2018-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DENORME STÉPHANE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  DAMIENS JOËL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L27/115 ,  G06F7/58 ,  H04L9/10

Abstract: Mémoire de puce électronique La présente description concerne un dispositif (900) comprenant une association en série d'un premier interrupteur (120) et d'une association en parallèle de premier (902) et deuxième (904) points mémoire à programmation irréversible. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3091019B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1873833

申请日：2018-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DENORME STÉPHANE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  DAMIENS JOËL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L27/115 ,  G06F7/58 ,  H04L9/10

Abstract: Mémoire de puce électronique La présente description concerne un dispositif (900) comprenant une association en série d'un premier interrupteur (120) et d'une association en parallèle de premier (902) et deuxième (904) points mémoire à programmation irréversible. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3091017A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873848

申请日：2018-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DENORME STÉPHANE ,  CANDELIER PHILIPPE

IPC: H01L27/115 ,  G06F7/58 ,  H04L9/10

Abstract: Mémoire de puce électronique La présente description concerne un dispositif (500) comprenant : des points mémoire (502_1, 502_2) à programmation irréversible, chacun comprenant une première zone semiconductrice (214_1, 214_2) et une grille (210_1, 210_2) située sur la première zone : une région conductrice (510) définissant les grilles des points mémoire ; et des première (232_1) et deuxième (232_2) régions semiconductrices situées respectivement de part et d'autre de l'aplomb de ladite région conductrice (510), les premières zones (214_1, 214_2) étant en contact alternativement avec les première (232_1) et deuxième (232_2) régions. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3091018A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873830

申请日：2018-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DENORME STÉPHANE ,  CANDELIER PHILIPPE

IPC: H01L27/115 ,  G06F7/58 ,  H04L9/10

Abstract: Mémoire de puce électronique La présente description concerne un dispositif (300) comprenant : au moins trois cellules mémoire (110) ; pour chaque cellule, une première région semiconductrice dopée (234) et un interrupteur (120) reliant la cellule à la première région ; et des premières zones semiconductrices dopées (302) connectant ensemble les premières régions (234). Figure pour l'abrégé : Fig. 3