公开(公告)号：CN104078178A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410119966.7

申请日：2014-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤英治 ,  藤川佳则 ,  坪仓多惠子 ,  石坂力 ,  佐藤胜男

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/0577 ,  H01F1/0573

Abstract: 本发明提供一种即便降低Dy、Tb等重稀土元素的使用或者不使用Dy、Tb等重稀土元素也抑制了高温退磁率的稀土类磁体。本发明所涉及的稀土类磁体含有R2T14B主相结晶颗粒和邻接的主相结晶颗粒之间的晶界相，在所述稀土类磁体的任意截面中，在用Wadell的圆磨度（Roundness）A评价所述主相结晶颗粒的圆度时，以该圆磨度A成为0.24以上的方式控制主相结晶颗粒的形状。

公开(公告)号：CN1272905C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN01145485.7

申请日：2001-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上憲司 ,  佐藤胜男 ,  守越広树 ,  川嵜克己 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体(1)和成型于压电基体(1)上的交叉指型电极(2，2)组成。压电基体(1)具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示。发现用欧拉角(Φ，θ，Ψ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤Ψ≤65°的区内。

公开(公告)号：CN1653689A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810508.X

申请日：2003-05-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  中野正洋 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/72

CPC classification number: H03H9/6483

Abstract: 本发明公开了一种声表面波元件(11)，其包括：在输入端(18)与输出端(19)之间形成的第1布线段(20)；在第1布线段(20)上串联布置的多个第1声表面波谐振器(15)；与第1声表面波谐振器(15)相对、在输入端(18)侧或输出端(19)侧的第1布线段(20)上串联布置的多个第2声表面波谐振器(16)；在第1布线段(20)上的第2声表面波谐振器(16)相互之间的中点与参考电位电极(21)之间形成的多个第2布线段(22)；分别布置在第2布线段(22)上的多个第3声表面波谐振器(17)，它们的反谐振频率与第2声表面波谐振器(16)的谐振频率一致。

公开(公告)号：CN1205744C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN98801385.1

申请日：1998-07-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 木村悟利 ,  中野正洋 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H9/02559

Abstract: 提供一种声表面波器件及其制造工艺。该声表面波器件，包括由64°旋转Y-切割铌酸锂(64LN)或36°旋转Y-切割的钽酸锂(36LT)构成的压电衬底和在其上形成的叉指电极。叉指电极包括钛缓冲金属膜和在其上形成的铝膜。在64LN衬底上，仅从选区电子衍射结果看，钛缓冲金属膜和铝膜都是单晶薄膜；在36LT衬底上，通过在钛缓冲金属膜上形成铝膜可获得取向能力强的、在(111)方向上取向的多晶铝膜。当铝膜转化成单晶或取向强的(111)取向多晶体时，都可以阻止铝原子的迁移，提高功率寿命。

公开(公告)号：CN1138342C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN98801265.0

申请日：1998-06-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/0259

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于包括蜂窝电话在内的移动通信终端设备的、选择性即温度特性优良的小型宽通带声表面波装置。本发明的声表面波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极，该基片由化学式La3Ga5SiO14代表的、且属于点群32的langasite单晶组成。当从langasite单晶切出基片的切削角和在基片上声表面波的传播方向按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示时，发现φ、θ、和ψ在分别由φ＝0°、θ＝140°、及ψ＝21至30°代表的区域内。在归一化厚度h/λ(%)与指示声表面波传播方向的所述ψ(°)之间的关系由下式给出，其中叉指型电极的厚度h用声表面波的波长λ归一化，当ψ≤25.5°时-3.79(h/λ)+23.86≤ψ≤-5.08(h/λ)+26.96并且当ψ＞25.5°时，以上关系由下式给出4.39(h/λ)+24.30≤ψ≤3.54(h/λ)+27.17。

公开(公告)号：CN1112762C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN97190007.8

申请日：1997-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02834 ,  H03H9/0259

Abstract: 在一种衬底表面上有叉指电极的表面声波器件中，其中所述的衬底是一种属于点群32的砷镍钴矿单晶，对切自单晶的衬底的切割角与表面声波传播方向的组合进行了优化。这使得有可能获得含有一个SAW速度的温度系数TCV的绝对值小、电机械耦合因子K2大、且SAW速度低的衬底的表面声波器件。于是有可能获得温度稳定性业已改善、具有宽的通带且尺寸减小了的滤波器，特别是具有特性改善了的最适于移动通信终端设备的中频表面声波滤波器。

公开(公告)号：CN1358349A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01800024.X

申请日：2001-01-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 竹内正男 ,  井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/0259 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/14505

Abstract: 本发明的目的是提供一种弹性表面波装置,能够实现宽带化并且小型化,并且,利用固有单相单方向性变换器特性,能够实现低损失化。弹性表面波装置包括压电基板(1)和设在该压电基板1的一个主面上的一对交叉指状电极(2)。使用由属于点群32,具有Ca3Ca2Ge4O14型结晶构造,其主要成分由La、Ta、Ga以及O组成,用化学式La3Ta0.5Ga5.5O14所表示的单晶来作为压电基板(1)的材料。当用欧拉角把基板(1)的切出角和传送方向表示为(φ,θ,ψ)时,φ、θ和ψ可以存在于φ=－5°～5°,θ=135°～155°以及ψ=15°～40°的第一区域中,或者,φ=10°～20°,θ=140°～157°以及ψ=30°～60°的第二区域中。