公开(公告)号：CN1893137B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610094135.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大黑达也

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/014 ,  H01G5/18 ,  H01L27/20 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在半导体衬底上方以便向上地移动的致动器；由致动器移动的第一电极层；和提供在第一电极层上方并包括第二电极层的盖部分。

公开(公告)号：CN101894808A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010184335.5

申请日：2010-05-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中谷忠司 ,  井上广章 ,  山田齐 ,  上田知史

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 本发明提供了一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括衬底；设置在衬底上方的可移动电极；设置为面向可移动电极的静止电极；设置在衬底上并且围绕可移动电极和静止电极的墙部分；膜构件，其固定到在可移动电极和静止电极上方的墙部分，并且膜构件密封包括可移动电极和静止电极的空间；以及支撑部分，除了可移动电极和静止电极之外，还将支撑部分设置在衬底上的墙部分的内侧，以从空间的内部支撑膜构件。

公开(公告)号：CN100533634C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610100393.9

申请日：2006-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·海克 ,  Q·马 ,  Q·特兰 ,  T·-K·仇 ,  H·巴尔 ,  J·梅尔基

IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/014 ,  H01H2059/0063 ,  H01H2059/0072

Abstract: 一种电子机械开关包括激励电极、电枢、悬臂电极、触点和信号线。激励电极和电枢被安装到衬底。悬臂电极由电枢支撑在激励电极上。触点被安装到悬臂电极。信号线被定位以当在激励电极和悬臂电极之间施加激励电压时与触点形成闭路，以使悬臂电极以类拉链运动从悬臂电极的末梢端开始向悬臂电极弯曲。

公开(公告)号：CN1613154A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826974.8

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 达纳·R·德吕斯

IPC: H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。

公开(公告)号：CN104851753B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510083334.4

申请日：2015-02-16

Applicant: 亚德诺半导体集团

Inventor： C·F·李 ,  R·C·格金 ,  P·L·菲兹格拉德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/03 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2203/075 ,  H01H59/0009 ,  H01P1/127

Abstract: 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。

公开(公告)号：CN106573770A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480079265.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·A·穆诺茨 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·J·库恩 ,  P·泰奥法尼斯 ,  C·帕瓦申 ,  K·林 ,  S·金

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

Abstract: 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。

公开(公告)号：CN103547335B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201380000402.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 华为终端有限公司

Inventor： 杨雄 ,  曹伯承 ,  王磊

IPC: H03K17/96 ,  H04B1/38

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  H01G5/16 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明实施例提供一种电容式开关、信号收发装置及制造方法。该电容式开关包括：第一导电悬臂、第二导电悬臂、衬底以及设置在衬底上的共面波导，该共面波导包括用于传输电信号的第一导体和设置在第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体，第一导体上设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有导电层；第一导电悬臂通过第一固定端与第二导体连接，第二导电悬臂通过第二固定端与第三导体连接，当所述电容式开关通直流信号时，所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触，所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。本实施例提供的电容式开关，通过采用悬臂的分离结构释放电容式开关中金属膜桥产生的应力，确保信号的传输质量。

公开(公告)号：CN102906008B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025545.2

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。

公开(公告)号：CN104025373A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380004526.0

申请日：2013-06-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H-H.苏 ,  R.马哈米德 ,  M.A.阿布德尔莫诺伊姆 ,  D-H.韩

IPC: H01P1/10 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094 ,  Y10T29/42

Abstract: 方法和系统可以提供包括静电致动和压电致动的混合RFMEMS组件设计。在一个示例中，所述方法可以包括施加第一电压以生成第一压电力来减小悬臂与致动电极之间的第一间隙，以及施加第二电压以生成静电力来在悬臂与传输电极之间产生接触。

公开(公告)号：CN102341341B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201080010078.1

申请日：2010-03-04

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 马丁·古森思 ,  希尔柯·瑟伊 ,  皮特·杰勒德·斯蒂内肯 ,  约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  H01G5/011 ,  H01G5/16

Abstract: 一种MEMS器件包括相对的第一和第二电极结构(22、28)，其中所述第二电极结构(28)是电动的，以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔。所述相对面中的至少一个具有非平坦表面，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷。所述波峰的高度和波谷的深度在0.01t至0.1t之间，其中t是所述可移动电极的厚度。