公开(公告)号：CN101583559A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049406.7

申请日：2007-11-09

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 ,  维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/017

Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。

公开(公告)号：CN100355057C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN01816484.6

申请日：2001-07-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  奥村美香

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。

公开(公告)号：CN1304272C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02813191.6

申请日：2002-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Q·马 ,  P·程

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B81C2201/0109 ,  H03H3/0072

Abstract: 一种方法，包括：在衬底的一定区域上形成多个三维第一结构；在形成第一结构之后，在所述衬底的区域上共形引入牺牲材料；在牺牲材料上引入第二结构材料；以及清除牺牲材料。一种装置，包括：处于衬底上的第一结构；以及处于衬底上被清除的薄膜的厚度所确定的未被填充的间隙与第一结构分隔的第二结构。

公开(公告)号：CN1282597C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN02150667.1

申请日：2002-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李羲重

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0078 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

Abstract: 本发明提供了一种具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法。这种悬臂包括：一个衬底；一个形成于该衬底上的锚固件；和一块被连接在锚固件上同时保持与衬底的预定间隙的移动板，其中，所述锚固件包括有一个具有预定形状的第一锚固件和一个第二锚固件，该第二锚固件垂直于第一锚固件的一个边缘，并且沿所述移动板的纵轴成形。这种悬臂的形变量，比如由于制造过程中的高温高压导致的该悬臂的移动板的形变量明显减小。从而，这种悬臂的屈服率得以改善，并且采用这种悬臂的制品的可靠性也得以提高。

公开(公告)号：CN1274581C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN02161111.4

申请日：2002-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银圣 ,  李文喆 ,  金显玉

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109

Abstract: 本发明公开了一种微电子机械系统结构及其制造方法，该结构具有固定到衬底上的固定部分和连接到固定部分上并浮置在衬底上面的浮动部分，该方法包括：在衬底上沉积牺牲层；构图该牺牲层，形成围绕至少将要形成该固定部分的一部分的间隔；在牺牲层上沉积微电子机械系统结构层，在该间隔内形成侧壁，在该牺牲层上形成固定部分和浮动部分；以及，用蚀刻剂除去该牺牲层，其中蚀刻剂对固定部分相对应的那部分牺牲层的应用由侧壁阻隔开，由侧壁阻隔开的牺牲层没有被蚀刻剂除去。由于连接部分制为与固定部分和浮动部分具有相同的厚度，可以提供一种坚固/可靠的微电子机械系统结构。

公开(公告)号：CN1769993A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510105060.0

申请日：2005-09-26

Applicant: IDC公司

Inventor： 董明孝 ,  菲利浦·D·弗洛伊德 ,  布莱恩·W·阿巴克尔

IPC: G02F1/21 ,  G02B26/00 ,  B81C1/00 ,  G09G3/34

CPC classification number: B81C1/00174 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0181 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  G02B26/001

Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。

公开(公告)号：CN1732123A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107421.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 比什努·戈戈伊

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。

公开(公告)号：CN1227746C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01816135.9

申请日：2001-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  西上武文

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol%而小于4mol%的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。

公开(公告)号：CN1226650C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN00811629.6

申请日：2000-08-01

Applicant: ADC电信股份公司

Inventor： N·张

IPC: G02B26/02 ,  H02N1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B6/26

CPC classification number: G02B6/357 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136 ,  G02B6/3514 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3544 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

Abstract: 提供了具有改善特性的一种基于MEMS的光学开关(100)，以及用于制造该光学开关的方法。根据一个实施例，光学开关包括具有偏移梁结构(124)的单梳(122)驱动致动器(104)和与致动器耦合的镜(102)。镜能在插入在所述波导通道(106)间的伸展位置和远离所述波导通道的收缩位置之间移动。致动器施加力就能将梁结构偏移并将镜向伸展位置或收缩位置之一移动，并且在不施加力时，梁结构将镜返回到伸展位置或收缩位置中的另一位置。

公开(公告)号：CN1623122A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828414.3

申请日：2002-04-29

Applicant: 铱显示器公司

Inventor： M·W·迈尔斯

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136

Abstract: 本发明提供了一种用于制造微机电系统器件的微制造工艺。该工艺包括：在一个基层上沉积一个层或一组层(a stack of layers)，所述的一个层或一组层中的最上面一层是牺牲层；将所述的一个层或一组层形成图案，通过所述的一个层或一组层提供至少一个空隙，通过该空隙使得上述基层被曝光；在所述的一个或一组层之上沉积一个感光层；让光通过所述的至少一个空隙对感光层进行曝光。