氧化物半导体薄膜的评价装置

    公开(公告)号:CN105518843B

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201480050138.0

    申请日:2014-09-10

    Inventor: 林和志 岸智弥

    Abstract: 提供一种以非接触型、正确且使用同一装置简便地测定氧化物半导体薄膜的迁移率和应力耐性来能够进行预测·估计的评价装置。本发明的评价装置具备:对样品的测定部位照射第一激发光而生成电子‑空穴对的第一激发光照射单元;对电磁波进行照射的电磁波照射单元;对反射电磁波强度进行检测的反射电磁波强度检测单元;对所述样品照射第二激发光而生成光致发光光的第二激发光照射单元;对所述光致发光光的发光强度进行测定的发光强度测定单元;以及评价迁移率和应力耐性的评价单元,并且,所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元。

    测量样本中激发态寿命的方法

    公开(公告)号:CN103105383A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210459090.1

    申请日:2012-11-14

    CPC classification number: G01N21/6408 G01N21/6458 G01N2201/0697 G01N2201/12

    Abstract: 本发明公开了一种测量样本中激发态寿命的方法,特别是测量荧光寿命的方法,以及执行这种方法的设备。首先,生成激发脉冲并用该激发脉冲照亮样本区域。随后,生成表示激发脉冲的功率-时间曲线的第一数字数据序列,并且根据第一数字数据序列确定第一开关时刻。此外,利用检测器检测从样本区域发出的检测光,生成表示检测光的功率-时间曲线的第二数字数据序列,并且根据第二数字数据序列确定第二开关时刻。最后,计算第一和第二开关时刻之间的时间差。

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