FIELD EMISSION ASSISTED MICRODISCHARGE DEVICES
    31.
    发明申请
    FIELD EMISSION ASSISTED MICRODISCHARGE DEVICES 审中-公开
    现场排放辅助微处理器件

    公开(公告)号:WO2006130157A3

    公开(公告)日:2007-02-01

    申请号:PCT/US2005025121

    申请日:2005-07-12

    Abstract: Field emission nanostructures (18) assist operation of a microdischarge device. The field emission nanostructures are integrated into the microdischarge device(s) or are situated near an electrode (14, 16, 36, 38) of the microdischarge device(s). The field emission nanostructures reduce operating and ignition voltages compared to otherwise identical device lacking the field emission nanostructures, while also increasing the radiative output of the microdischarge device(s).

    Abstract translation: 场发射纳米结构(18)有助于微放电器件的工作。 场致发射纳米结构集成到微放电器件中或位于微放电器件的电极(14,16,36,38)附近。 与其他相同的缺少场致发射纳米结构的器件相比,场致发射纳米结构降低了操作和点火电压,同时也增加了微放电器件的辐射输出。

    SOURCE D'ELECTRONS
    32.
    发明申请
    SOURCE D'ELECTRONS 审中-公开
    电子源

    公开(公告)号:WO2003049139A1

    公开(公告)日:2003-06-12

    申请号:PCT/FR2002/004223

    申请日:2002-12-06

    CPC classification number: H01J37/077 H01J3/025 H01J2237/0041

    Abstract: L'invention concerne une source fournissant un faisceau d'électrons d'énergie réglable, comprenant une chambre à plasma (P) constituée d'une enceinte (1) ayant une surface interne d'une première valeur (S 1 ) et d'une grille d'extraction (2) ayant une surface d'une seconde valeur (S 2 ), le potentiel de la grille étant différent de celui de l'enceinte et étant réglable, caractérisée en ce que le plasma est excité et confiné dans des structures magnétiques multipolaires ou multidipolaires, le rapport de la seconde valeur (S 2 ) sur la première valeur (S 1 ) étant proche de (formule) où : β est le taux d'électrons du plasma P, m e la masse de l'électron, et m i est la masse des ions chargés positivement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种提供可调节能量电子束的源,包括由具有第一值(S1)的内表面的外壳(1)和具有第二值表面的提取门(2)组成的等离子体室(P) 值(S2),门电位与外壳不同,可调。 本发明的特征在于等离子体被激发并限制在多极或多极磁结构中,第二值(S2)超过第一值(S1)的比接近于:D = 1 /β2ROOT 2 pi me / mi exp(-1/2),其中:β是等离子体P的电子比例,me是电子质量,mi是带正电荷的离子的质量。

    Surface discharge corona plasma cathode assembly
    34.
    发明公开
    Surface discharge corona plasma cathode assembly 失效
    OberflächenEndladungskorona-Plasma-Methoden-Anordnung。

    公开(公告)号:EP0539149A1

    公开(公告)日:1993-04-28

    申请号:EP92309559.0

    申请日:1992-10-20

    CPC classification number: H01J3/025 H01S3/038 H01S3/0382 H01S3/09716

    Abstract: A surface discharge corona plasma cathode assembly having a first electrically conductive member (22), a dielectric member (24) surrounding the first member, a second electrically conductive member (26) partially surrounding the dielectric member (24) and two electrically conductive electrodes (30) defining therebetween a plasma discharge region on the dielectric member and clamping means (40) for providing a clamping force exertable upon at least one of the electrodes (30) to ensure a firm even contact between said at least one electrode and the dielectric member thereby to prevent said at least one electrode lifting away from the dielectric member (24) during operation and to provide a more even cathode emission.

    Abstract translation: 一种表面放电电晕等离子体阴极组件,其具有第一导电构件(22),围绕第一构件的电介质构件(24),部分地包围电介质构件(24)的第二导电构件(26)和两个导电电极 30),其间限定了介电构件上的等离子体放电区域和用于提供在至少一个电极(30)上施加的夹紧力的夹紧装置(40),以确保所述至少一个电极和电介质构件之间的牢固的均匀接触 从而防止所述至少一个电极在操作期间离开电介质构件(24)并提供更均匀的阴极发射。

    Plasma neutralisation cathode
    35.
    发明公开
    Plasma neutralisation cathode 失效
    等离子体中性阴离子

    公开(公告)号:EP0464383A3

    公开(公告)日:1992-07-15

    申请号:EP91109114.8

    申请日:1991-06-04

    CPC classification number: H01J3/025

    Abstract: A plasma compensation cathode comprises a casing (1) accommodating coaxially with its outlet hole (2) a hollow holder (3) and a thermal emitter (4) with a central passage (5), a layer (10) of material chemically inert at high temperatures to the materials of the holder and emitter being interposed therebetween. The central passage (5) is blind at the side of admission of gas, and is communicated with the interior of the holder (3) by way of a through passage (8) made in the wall of the thermal emitter (4) so that its axis intersects the axis of passage (5), and longitudinal grooves (9) made in the side surface of the thermal emitter (4) at the location of the inlet holes of the through passage (8). The holder (3) is embraced by heater (6) having a support ring (7) positioned in its midportion and secured in an insulation sleeve (18) separating the heater (6) from the coaxial heat screens (11) interconnected successively to define a sealed cavity (14) wherethrough the interior of the holder (3) communicates with the gas feeding pipe (13) secured in the casing (1) through the support insulator (17). Interposed between mechanical filters (16) and between holder (3) and pipe (13) is a getter (15).

    Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières
    36.
    发明公开
    Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières 失效
    电子源与teilchenhaltender布置。

    公开(公告)号:EP0480518A1

    公开(公告)日:1992-04-15

    申请号:EP91202587.1

    申请日:1991-10-03

    Inventor: Bernardet, Henri

    CPC classification number: H01J3/025

    Abstract: La présente invention concerne une source d'électrons à arc sous vide comportant une source de plasma présentant une anode et une cathode disposées en vis-à-vis de manière à former un plasma (P) à la suite de l'application d'une différence de potentiel appropriée entre l'anode et la cathode, un dispositif (30) d'extraction des électrons et un dispositif de rétention de matières situé entre le dispositif d'extraction et la source de plasma. Selon l'invention, le dispositif de rétention de matières comporte, dans le sens (F) d'extraction des électrons, au moins un baffle amont (10) et un baffle aval (20) électriquement conducteurs et présentant des ouvertures (16, 26) en quinconce, de telle sorte que, lorsque les baffles (10, 20) sont portés à un potentiel donné, le plasma (P) ne s'étende pas en aval du baffle aval (20).

    LARGE-AREA UNIFORM ELECTRON SOURCE
    38.
    发明公开
    LARGE-AREA UNIFORM ELECTRON SOURCE 失效
    GROSSFLÄCHIGEUNIFORME ELEKTRONENQUELLE。

    公开(公告)号:EP0395752A1

    公开(公告)日:1990-11-07

    申请号:EP90900452.0

    申请日:1989-11-14

    CPC classification number: H01J37/077 H01J3/025

    Abstract: Source (22) d'électrons à grande surface pouvant fonctionner de manière continue, stable et indéfinie dans un environnement (20) de vide pauvre. La source comprend une cathode de décharge luminescente, positionnée de manière appropriée par rapport à une anode cible (30) ainsi qu'une grille à mailles fines (26) espacée de la cathode (22) d'une distance inférieure à la longueur moyenne de chemin libre d'électrons quittant ladite cathode (22), ladite grille (26) étant électriquement sollicitée pour commander le courant du faisceau d'électrons sur une large plage avec uniquement de faibles changements de tension de grille. On peut varier de manière continue une tension croissante (29) appliquée à la cathode (22), à partir de seulement quelques centaines de volts jusqu'à 30 KeV ou plus, la source continuant à fonctionner de manière satisfaisante. En outre, ladite grille (26) se compose d'un fil de mailles fines, de dimensions suffisamment réduites pour ne pas être résoluble dans le plan cible (30). Le dispositif met en outre en oeuvre des bobines d'analyse (34) permettant d'atteindre une uniformité additionnelle du faisceau incident au niveau du plan cible (30). On peut combiner l'appareil de base de l'invention avec d'autres caractéristiques, pour une utilisation en lithographie à masque perforé, en mesure de sensibilité de réserve, dans le traitement de décollement, et dans le durcissement de réserve.

    Hollow-anode ion-electron source
    39.
    发明公开
    Hollow-anode ion-electron source 失效
    Hohlanoden-Elektronen-和Ionenquelle。

    公开(公告)号:EP0264709A2

    公开(公告)日:1988-04-27

    申请号:EP87114573.6

    申请日:1987-10-07

    CPC classification number: H01J3/025 H01J27/02

    Abstract: An ion-electron source based on a new type of gas discharge in a hollow anode is presented. A small surface of the exit aperture and a high density of the current enable high brightness of the source; high efficiency and simple construction make possible the low production price and long lifetime of the source.

    Abstract translation: 提出了一种基于中空阳极中新型气体放电的离子电子源。 出口孔的小表面和高密度的电流使得源的高亮度; 效率高,施工简单,使得生产成本低,使用寿命长。

    전자 빔 처리 장치
    40.
    发明公开
    전자 빔 처리 장치 有权
    电子束处理装置

    公开(公告)号:KR1020060122875A

    公开(公告)日:2006-11-30

    申请号:KR1020067010458

    申请日:2004-10-29

    CPC classification number: H01J37/317 H01J3/025 H01J37/077

    Abstract: One embodiment of the present invention is an electron beam treatment apparatus that includes: (a) a chamber; (b) a cathode having a surface of relatively large area that is exposed to an inside of the chamber; (c) an anode having holes therein that is disposed inside the chamber and spaced apart from the cathode by a working distance; (d) a wafer holder disposed inside the chamber facing the anode; (e) a source of negative voltage whose output is applied to the cathode to provide a cathode voltage; (f) a source of voltage whose output is applied to the anode; (g) a gas inlet adapted to admit gas into the chamber at an introduction rate; and (h) a pump adapted to exhaust gas from the chamber at an exhaust rate, the introduction rate and the exhaust rate providing a gas pressure in the chamber; wherein values of cathode voltage, gas pressure, and the working distance are such that there is no arcing between the cathode and anode and the working distance is greater than an electron mean free path.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例是一种电子束处理装置,包括:(a)室; (b)具有暴露于所述室内部的相对较大面积的表面的阴极; (c)其中具有孔的阳极,其设置在室内并与阴极间隔开工作距离; (d)设置在面向阳极的腔室内的晶片保持器; (e)负电压源,其输出被施加到阴极以提供阴极电压; (f)其输出端施加到阳极的电压源; (g)气体入口,其适于以引入速率将气体进入腔室; 以及(h)适于以排气速度从所述室排出气体的泵,所述引入速率和排气速率在所述室中提供气体压力; 其中阴极电压,气体压力和工作距离的值使得阴极和阳极之间没有电弧,并且工作距离大于电子平均自由程。

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