Abstract:
Field emission nanostructures (18) assist operation of a microdischarge device. The field emission nanostructures are integrated into the microdischarge device(s) or are situated near an electrode (14, 16, 36, 38) of the microdischarge device(s). The field emission nanostructures reduce operating and ignition voltages compared to otherwise identical device lacking the field emission nanostructures, while also increasing the radiative output of the microdischarge device(s).
Abstract:
L'invention concerne une source fournissant un faisceau d'électrons d'énergie réglable, comprenant une chambre à plasma (P) constituée d'une enceinte (1) ayant une surface interne d'une première valeur (S 1 ) et d'une grille d'extraction (2) ayant une surface d'une seconde valeur (S 2 ), le potentiel de la grille étant différent de celui de l'enceinte et étant réglable, caractérisée en ce que le plasma est excité et confiné dans des structures magnétiques multipolaires ou multidipolaires, le rapport de la seconde valeur (S 2 ) sur la première valeur (S 1 ) étant proche de (formule) où : β est le taux d'électrons du plasma P, m e la masse de l'électron, et m i est la masse des ions chargés positivement.
Abstract translation:本发明涉及一种提供可调节能量电子束的源,包括由具有第一值(S1)的内表面的外壳(1)和具有第二值表面的提取门(2)组成的等离子体室(P) 值(S2),门电位与外壳不同,可调。 本发明的特征在于等离子体被激发并限制在多极或多极磁结构中,第二值(S2)超过第一值(S1)的比接近于:D = 1 /β2ROOT 2 pi me / mi exp(-1/2),其中:β是等离子体P的电子比例,me是电子质量,mi是带正电荷的离子的质量。
a discharge chamber containing a gas at a prescribed pressure; a cathode mounted within said discharge chamber, said cathode comprising a conductor having a plurality of micro hollows therein, each of said micro hollows having dimensions selected to support a micro hollow discharge at said prescribed pressure; an anode mounted within said discharge chamber and spaced from said cathode; and electrical means for coupling electrical energy to said cathode and said anode at a voltage and current for producing micro hollow discharges in each of the micro hollows in said cathode.
Abstract:
A surface discharge corona plasma cathode assembly having a first electrically conductive member (22), a dielectric member (24) surrounding the first member, a second electrically conductive member (26) partially surrounding the dielectric member (24) and two electrically conductive electrodes (30) defining therebetween a plasma discharge region on the dielectric member and clamping means (40) for providing a clamping force exertable upon at least one of the electrodes (30) to ensure a firm even contact between said at least one electrode and the dielectric member thereby to prevent said at least one electrode lifting away from the dielectric member (24) during operation and to provide a more even cathode emission.
Abstract:
A plasma compensation cathode comprises a casing (1) accommodating coaxially with its outlet hole (2) a hollow holder (3) and a thermal emitter (4) with a central passage (5), a layer (10) of material chemically inert at high temperatures to the materials of the holder and emitter being interposed therebetween. The central passage (5) is blind at the side of admission of gas, and is communicated with the interior of the holder (3) by way of a through passage (8) made in the wall of the thermal emitter (4) so that its axis intersects the axis of passage (5), and longitudinal grooves (9) made in the side surface of the thermal emitter (4) at the location of the inlet holes of the through passage (8). The holder (3) is embraced by heater (6) having a support ring (7) positioned in its midportion and secured in an insulation sleeve (18) separating the heater (6) from the coaxial heat screens (11) interconnected successively to define a sealed cavity (14) wherethrough the interior of the holder (3) communicates with the gas feeding pipe (13) secured in the casing (1) through the support insulator (17). Interposed between mechanical filters (16) and between holder (3) and pipe (13) is a getter (15).
Abstract:
La présente invention concerne une source d'électrons à arc sous vide comportant une source de plasma présentant une anode et une cathode disposées en vis-à-vis de manière à former un plasma (P) à la suite de l'application d'une différence de potentiel appropriée entre l'anode et la cathode, un dispositif (30) d'extraction des électrons et un dispositif de rétention de matières situé entre le dispositif d'extraction et la source de plasma. Selon l'invention, le dispositif de rétention de matières comporte, dans le sens (F) d'extraction des électrons, au moins un baffle amont (10) et un baffle aval (20) électriquement conducteurs et présentant des ouvertures (16, 26) en quinconce, de telle sorte que, lorsque les baffles (10, 20) sont portés à un potentiel donné, le plasma (P) ne s'étende pas en aval du baffle aval (20).
Abstract:
Source (22) d'électrons à grande surface pouvant fonctionner de manière continue, stable et indéfinie dans un environnement (20) de vide pauvre. La source comprend une cathode de décharge luminescente, positionnée de manière appropriée par rapport à une anode cible (30) ainsi qu'une grille à mailles fines (26) espacée de la cathode (22) d'une distance inférieure à la longueur moyenne de chemin libre d'électrons quittant ladite cathode (22), ladite grille (26) étant électriquement sollicitée pour commander le courant du faisceau d'électrons sur une large plage avec uniquement de faibles changements de tension de grille. On peut varier de manière continue une tension croissante (29) appliquée à la cathode (22), à partir de seulement quelques centaines de volts jusqu'à 30 KeV ou plus, la source continuant à fonctionner de manière satisfaisante. En outre, ladite grille (26) se compose d'un fil de mailles fines, de dimensions suffisamment réduites pour ne pas être résoluble dans le plan cible (30). Le dispositif met en outre en oeuvre des bobines d'analyse (34) permettant d'atteindre une uniformité additionnelle du faisceau incident au niveau du plan cible (30). On peut combiner l'appareil de base de l'invention avec d'autres caractéristiques, pour une utilisation en lithographie à masque perforé, en mesure de sensibilité de réserve, dans le traitement de décollement, et dans le durcissement de réserve.
Abstract:
An ion-electron source based on a new type of gas discharge in a hollow anode is presented. A small surface of the exit aperture and a high density of the current enable high brightness of the source; high efficiency and simple construction make possible the low production price and long lifetime of the source.
Abstract:
One embodiment of the present invention is an electron beam treatment apparatus that includes: (a) a chamber; (b) a cathode having a surface of relatively large area that is exposed to an inside of the chamber; (c) an anode having holes therein that is disposed inside the chamber and spaced apart from the cathode by a working distance; (d) a wafer holder disposed inside the chamber facing the anode; (e) a source of negative voltage whose output is applied to the cathode to provide a cathode voltage; (f) a source of voltage whose output is applied to the anode; (g) a gas inlet adapted to admit gas into the chamber at an introduction rate; and (h) a pump adapted to exhaust gas from the chamber at an exhaust rate, the introduction rate and the exhaust rate providing a gas pressure in the chamber; wherein values of cathode voltage, gas pressure, and the working distance are such that there is no arcing between the cathode and anode and the working distance is greater than an electron mean free path.