公开(公告)号：CN103621187B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030726.9

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.格劳佩拉 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/28 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。

公开(公告)号：CN105704904A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610082046.1

申请日：2010-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  传宝一树 ,  山涌纯

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。

公开(公告)号：CN105551927A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610053880.8

申请日：2016-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  李勇 ,  任武洋 ,  高磊 ,  张忠阳 ,  龙城佳 ,  姬海宁 ,  戴丽萍 ,  周志华 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32431

Abstract: 本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。

公开(公告)号：CN102804933B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180014211.5

申请日：2011-01-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  麦里特·法克

IPC: H05H3/00

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

Abstract: 本发明可提供利用可切换准中性束系统实时处理衬底以改善光致抗蚀层的抗蚀刻性的装置和方法。此外，经修改的光致抗蚀层可用于蚀刻工序中以更准确地控制栅极和/或间隔区临界尺寸（CD）、控制栅极和/或间隔区CD均一性并且消除线边缘粗糙（LER）和线宽度粗糙（LWR）。

公开(公告)号：CN103031537B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210365923.8

申请日：2012-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  菊地宏之 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置，该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合使等离子体生成用的气体等离子体化。并且，上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。

公开(公告)号：CN101960928B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200880127604.5

申请日：2008-03-04

Applicant: 技术发现者联合有限公司 ,  徐基源

Inventor： 徐基源

IPC: H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568 ,  H05H2001/4667

Abstract: 公开了一种旋转天线和设置有该旋转天线的半导体生产装置。该旋转天线包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。

公开(公告)号：CN105144849A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480014623.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 普拉斯玛比利提有限责任公司

Inventor： W·霍尔伯 ,  R·J·巴斯奈特

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/26 ,  C23C16/272 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 一种包含真空室的等离子体处理装置，该真空室包含：管道、处理室、用于将气体引入真空室内的第一气体输入口，以及用于从真空室中排出气体的泵出口。磁芯包围着管道。射频电源的输出与磁芯电连接。射频电源给磁芯供电，由此在真空室内形成环形等离子体回路放电。用于在等离子体处理期间支撑工件的台板位于处理室内。

公开(公告)号：CN103562437B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201280020707.8

申请日：2012-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·德鲁厄里 ,  龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: C23F1/00

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明限定了具有带限定凹槽构造的内部法拉第屏蔽件的等离子体处理腔室。在一示例中，腔室包括用于接纳衬底和布置在静电卡盘上方的介电窗的静电卡盘。还包括布置在腔室内部且限定在静电卡盘和介电窗之间的法拉第屏蔽件。所述法拉第屏蔽件包括具有内区、邻近内区的中区、邻近中区的外区。进一步限定法拉第屏蔽件的为延伸贯通所有三个区的第一组径向槽(A)、仅延伸贯通仅仅外区的第二组径向槽(C)以及延伸贯通中区和外区的第三组径向槽(B)。第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕法拉第屏蔽件沿径向布置。

公开(公告)号：CN102953052B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210307203.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  牛窪繁博 ,  相川胜芳

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。

公开(公告)号：CN104952684A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510137550.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金炯俊 ,  文炯哲

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 公开一种基板处理设备，该基板处理设备包括腔室、支撑单元、介电板、气体供应单元、天线和加热单元。其中，腔室具有工艺空间，工艺空间的上表面为开放的。支撑单元设置在腔室中，且支撑基板。介电板安装于腔室开放的上表面上以覆盖该开放的上表面。气体供应单元供应腔室中的气体。天线设置在介电板的上方，且用上述气体产生等离子体。加热单元设置在天线上方，且加热介电板。