公开(公告)号：EP1643641A3

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：EP05021264.6

申请日：2005-09-29

Applicant: SEIKO EPSON CORPORATION

Inventor： Takada, Yutaka ,  Fujii, Satoshi

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03B5/12 ,  H05B6/66 ,  H01L23/66 ,  H05B41/14

CPC classification number: H03B5/326 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/67115 ,  H01L2924/0002 ,  H03H7/18 ,  H03H9/02582 ,  H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  Y02B40/143 ,  H01L2924/00

Abstract: A high-frequency heating device including: a solid-state oscillator that generates a microwave; an amplifier that amplifies the microwave generated by the solid-state oscillator; an isolator that is connected to a stage subsequent to the amplifier, and blocks a reflected wave directed from an object exposed with the microwave; an antenna that irradiates the microwave toward the object; and a metal cavity that traps therein the microwave irradiated to the object.

公开(公告)号：EP1561840A1

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：EP03751402.3

申请日：2003-10-09

Applicant: TOYO SEIKAN KAISYA, LTD.

Inventor： NAMIKI, Tsunehisa c/o Toyo Seikan Group Corporate ,  IEKI, Toshihide c/o Toyo Seikan Group Corporate ,  KURASHIMA, Hideo c/o Toyo Seikan Group Corporate ,  INAGAKI, Hajime c/o Toyo Seikan Group Corporate ,  KOBAYASHI, Akira c/o Toyo Seikan Group Corporate ,  YAMADA, Koji c/o Toyo Seikan Group Corporate

IPC: C23C16/40 ,  B32B9/00 ,  C08J7/06 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311

Abstract: A method of forming a metal oxide film by the plasma CVD method and comprising reacting chiefly an organometal by a glow discharge in a low output region and, then, reacting the organometal with an oxidizing gas by the glow discharge in a high-output region to form a metal oxide film on the surface of a plastic substrate via an organic layer. This method forms a thin film having excellent adhesiveness, softness and flexibility on the surface of a plastic substrate relying on the plasma CVD method.

Abstract translation: 形成金属氧化物膜通过等离子体CVD方法，包括主要是对金属有机化学通过辉光放电在低输出区起反应，然后，用在高输出区域由所述辉光放电的氧化气体反应的有机金属化学的方法 经由有机层形成金属氧化物膜在塑料基材的表面上。 这种方法形成了具有塑料基底依靠等离子CVD法的表面上优异的粘合性，柔软性和柔韧性的薄膜。

公开(公告)号：WO2018217914A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/US2018/034166

申请日：2018-05-23

Applicant: STARFIRE INDUSTRIES, LLC

Inventor： JURCZYK, Brian Edward ,  STUBBERS, Robert

IPC: C23C4/134 ,  C23C4/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3444 ,  C23C14/021 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3485 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/332

Abstract: A system and method are described for depositing a material onto a receiving surface, where the material is formed by use of a plasma to modify a source material in-transit to the receiving surface. The system comprises a microwave generator electronics stage. The system further includes a microwave applicator stage including a cavity resonator structure. The cavity resonator structure includes an outer conductor, an inner conductor, and a resonator cavity interposed between the outer conductor and the inner conductor. The system also includes a multi-component flow assembly including a laminar flow nozzle providing a shield gas, a zonal flow nozzle providing a functional process gas, and a source material flow nozzle configured to deliver the source material. The source material flow nozzle and zonal flow nozzle facilitate a reaction between the source material and the functional process gas within a plasma region.

公开(公告)号：WO2014184357A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/060116

申请日：2014-05-16

Applicant: THALES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  UNIVERSITE JOSEPH FOURIER

Inventor： PELLETIER, Jacques ,  PONARD, Pascal ,  LACOSTE, Ana ,  BES, Alexandre ,  REGNARD, Guillaume ,  DARGES, Bernard ,  PEILLEX-DELPHE, Guy

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01P7/04

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01P5/04 ,  H01P7/04 ,  H05H2001/4682

Abstract: Selon l'invention, il est proposé un générateur d'un plasma dans une enceinte sous vide comprenant au moins un générateur élémentaire débouchant dans l'enceinte, le générateur élémentaire comprenant : - un générateur de micro-ondes, - un adaptateur d'impédance s'étendant selon une direction coaxiale, l'adaptateur étant configuré pour adapter l'impédance du plasma à l'impédance du générateur de micro-ondes et pour assurer la protection du générateur de micro-ondes, le générateur de micro-ondes étant situé dans le prolongement de l'adaptateur et connecté directement à l'adaptateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种真空室中的等离子体发生器，其包括至少一个基本发生器，该基本发生器通向腔室，该基本发生器包括： - 微波发生器， - 在同轴方向上延伸的阻抗适配器，该适配器被配置成使 等离子体到微波发生器的阻抗并保护微波发生器，微波发生器位于适配器的延伸部分并直接连接到适配器上。

公开(公告)号：WO2014156752A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057086

申请日：2014-03-17

Applicant: ブラザー工業株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 金田　英樹 ,  篠田　健太郎 ,  滝　和也 ,  上坂　裕之 ,  高岡　泰之

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 　導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加する負電圧印加部と、マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、マイクロ波供給口に対して被加工材料の少なくとも一部を挟む位置に設けられ、負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を被加工材料に印加させる負電圧印加端子部材と、負電圧印加端子部材の外周部からシース層のシース厚さ方向に突出して設けられ、シース層内を伝搬するマイクロ波に対して反射能を有する表面波制御部材と、を備える。

Abstract translation: 成膜装置具有：微波供给部，其沿着导电性处理材料的处理面供给微波以产生等离子体; 负电压施加部分，用于在处理材料上施加负偏压，以沿着处理材料的处理表面扩展鞘层; 微波供给口，用于将从微波供给部供给的微波传输到扩展鞘层; 负电压施加端子构件，其设置在相对于微波供给口的位置处，使得处理材料的至少一部分插入其间，并且用于施加由负电压施加端子构件施加的负偏压， 在加工材料上施加单元; 以及表面波控制部件，其设置成在所述护套层的护套厚度方向上从所述负电压施加端子部件的外周突出，并且具有反射在所述护套层中传播的微波的能力。

公开(公告)号：WO2007029580A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/317105

申请日：2006-08-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  河西 繁 ,  長田 勇輝

Inventor： 河西 繁 ,  長田 勇輝

IPC: H01J23/34 ,  C23C16/511 ,  H01J23/04 ,  H01L21/3065 ,  H05B6/68 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/666 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/043

Abstract: It is possible to increase the service life of a magnetron. There is provided a magnetron service life judgment method. A microwave generation device includes: a magnetron (74) having a cathode (80) containing a filament (78) and an anode (82) containing a hollow resonator (84) arranged to oppose to each other; a filament current measuring unit (100); and an application voltage measuring unit (102) for measuring voltage applied to the filament. According to the current and the voltage obtained by the current measuring unit (100) and the voltage measuring unit (102), a resistance value calculation unit (104) obtains a resistance value of the filament. A temperature calculating unit (106) calculates the filament temperature from the resistance value according to the resistance-temperature dependent characteristic. A filament power source (98) is controlled by a power control unit (110) so that the filament temperature is within a predetermined temperature range. Moreover, the voltage applied to the filament is successively lowered and the voltage applied to the filament when the moding phenomenon occurs is obtained as the moding voltage and the magnetron service life is judged according to the moding voltage.

Abstract translation: 可以增加磁控管的使用寿命。 提供磁控管使用寿命判断方法。 微波产生装置包括：磁控管（74），具有含有灯丝（78）的阴极（80）和包含相互相对配置的中空谐振器（84）的阳极（82） 灯丝电流测量单元（100）; 以及用于测量施加到灯丝​​上的电压的施加电压测量单元（102）。 根据由电流测量单元（100）和电压测量单元（102）获得的电流和电压，电阻值计算单元（104）获得灯丝的电阻值。 温度计算单元（106）根据电阻温度依赖特性从电阻值计算灯丝温度。 灯丝电源（98）由功率控制单元（110）控制，使得灯丝温度在预定的温度范围内。 此外，当作为调制电压并且根据调制电压判断磁控管使用寿命时，施加到灯丝​​的电压被连续地降低，并且当发生调制现象时施加到灯丝​​的电压被获得。

公开(公告)号：NL2008943C

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：NL2008943

申请日：2012-06-06

Applicant: STICHTING MATERIALS INNOVATION INST M2I

Inventor： BEENAKKER CORNELIS IGNATIUS MARIA ,  TANG JIAQI ,  SCHELEN JOHANNES BERNARDUS JOZEF

IPC: G01N1/32 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: G01N1/32 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32825 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67253 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/98 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752

公开(公告)号：WO2015193155A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2015/062957

申请日：2015-06-10

Applicant: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED

Inventor： BRANDON, John, Robert ,  FRIEL, Ian ,  COOPER, Michael, Andrew ,  SCARSBROOK, Geoffrey, Alan ,  GREEN, Ben, Llewlyn

IPC: H01J37/32 ,  C30B29/04

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/274 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32284 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material via chemical vapour deposition, the microwave plasma reactor comprising: a plasma chamber defining a resonant cavity for supporting a primary microwave resonance mode having a primary microwave resonance mode frequency f; a plurality of microwave sources coupled to the plasma chamber for generating and feeding microwaves having a total microwave power Ρτ into the plasma chamber; a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom; and a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, wherein the plurality of microwave sources are configured to couple at least 30% of the total microwave power Ρτ into the plasma chamber in the primary microwave resonance mode frequency f, and wherein at least some of the plurality of microwave sources are solid state microwave sources.

Abstract translation: 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：等离子体室，其限定用于支撑具有初级微波谐振模式频率f的初级微波谐振模式的谐振腔; 耦合到等离子体室的多个微波源，用于产生并馈送具有总微波功率Pτ的微波进入等离子体室; 用于将工艺气体进料到等离子体室中并从中除去它们的气体流动系统; 以及衬底保持器，其设置在所述等离子体室中并且包括用于支撑在其上沉积所述合成金刚石材料的衬底的支撑表面，其中所述多个微波源被配置为耦合所述总微波功率的至少30％ 在初级微波谐振模式频率f中将P P注入到等离子体室中，并且其中多个微波源中的至少一些是固态微波源。

公开(公告)号：WO2013119313A3

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/US2012068427

申请日：2012-12-07

Applicant: TUFTS COLLEGE

Inventor： MIURA NAOTO

IPC: H01L31/042

CPC classification number: C23C16/45595 ,  C23C16/517 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32825 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: A plasma generator ignites and sustains a uniform and linear plasma near atmospheric pressure. The plasma generator is composed of two power supplies, a power divider, an array of transmission line tapers and an ignition resonator. One microwave power supply is used to drive the taper array and the other power supply drives the ignition resonator. The power divider splits the taper array power evenly and delivers it to each taper. A plasma is ignited by the ignition resonator and then the plasma propagates to the taper array. The taper array does not start a plasma by itself and the ignition resonator is provided to do so. Increasing the number of tapers increases the length of the plasma.

Abstract translation: 等离子体发生器在大气压附近点燃并维持均匀且线性的等离子体。 等离子体发生器由两个电源，功率分配器，传输线锥体阵列和点火谐振器组成。 一个微波电源用于驱动锥形阵列，另一个电源驱动点火谐振器。 功率分配器均匀分配锥形阵列功率，并将其传送至每个锥形。 等离子体被点火谐振器点燃，然后等离子体传播到锥形阵列。 锥形阵列本身不启动等离子体，并且提供点火谐振器来实现这一点。 增加锥形的数量会增加等离子体的长度。

公开(公告)号：WO2013125260A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2013/050575

申请日：2013-01-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子　和史 ,  舩▲崎▼　一憲 ,  加藤　秀生

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01Q13/22

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4682

Abstract: 　プラズマ処理装置（１１）は、その内部でプラズマによる処理を行う処理容器と、処理容器外に配置されて高周波を発生させるマイクロ波発生器（４１）を含む。マイクロ波発生器（４１）により発生させた高周波を用いて処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備える。ここで、マイクロ波発生器（４１）は、高周波を発振するマグネトロン（４２）と、マグネトロン（４２）が発振する基本周波数と同じ周波数であって異周波成分を減少させた信号をマグネトロン（４２）に注入する注入手段としての分岐回路（６１）を含む。

Abstract translation: 该等离子体处理装置（11）具有使用等离子体处理其内容物的处理容器，以及配置在处理容器外部并用于产生高频波的微波发生器（41）。 还提供了一种等离子体产生机构，用于使用由微波发生器（41）产生的高频波来在处理容器内产生等离子体。 在这种情况下，微波发生器（41）包括用于振荡高频波的磁控管（42）和作为用于将信号注入磁控管（42）的注入装置的分支电路（61），该信号具有相同的功能 由磁控管（42）振荡的基频和已经减少的不同频率分量。