公开(公告)号：CN104342626A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410350635.4

申请日：2014-07-22

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 崔丞镐 ,  朴锺珍

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  C23C14/35

Abstract: 溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置在所述腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

公开(公告)号：CN104278243A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410319170.6

申请日：2014-07-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐佐木纯 ,  阿部淳博 ,  平塚亮一

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3452 ,  C23C14/35 ,  H01F7/0278 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。

公开(公告)号：CN103392026A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201280009978.3

申请日：2012-02-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 谷藤信一 ,  山本兼司

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/32 ,  H05H1/48

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: 本发明的一实施方式的电弧式蒸发源（101）具备如下：使磁化方向沿着与靶（102）的前面平行的方向而以包围靶的外周的方式配置的环状的外周磁体（103）；使磁化方向沿着与靶（102）的前面正交的方向而配置在靶的背面侧的背面磁体（104）。外周磁体（103）的径向内侧的磁极和背面磁体（104）的靶（102）侧的磁极是彼此相同的极性。

公开(公告)号：CN102348828B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201080011271.7

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 谷藤信一 ,  山本兼司 ,  藤井博文 ,  黑川好德

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/34 ,  H01J37/345

Abstract: 在电弧式蒸发源中，将磁力线诱导到基板方向而加快成膜速度。其中，具有以包围靶(2)的外周的方式设置，且磁化方向沿着与靶(2)的表面正交的方向而配置的至少一个外周磁体(3)，和配置在靶(2)的背面侧的背面磁体(4)。背面磁体(4)具有非环状的第一永久磁体(4A)，其配置方式为，使其极性与外周磁体3的极性朝向同方向，并且沿着与背面磁体(4)的磁化方向与靶(2)的表面正交的方向而配置。

公开(公告)号：CN103247511A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047993.3

申请日：2013-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  桧森慎司 ,  松山昇一郎

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。

公开(公告)号：CN102906303A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180027118.8

申请日：2011-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 矶部辰德 ,  大野哲宏 ,  佐藤重光 ,  须田具和

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/10

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/10 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/347

Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。

公开(公告)号：CN102906302A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180027011.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤重光 ,  大野哲宏 ,  矶部辰德 ,  须田具和

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/347

Abstract: 提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。

公开(公告)号：CN102348828A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011271.7

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 谷藤信一 ,  山本兼司 ,  藤井博文 ,  黑川好德

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/34 ,  H01J37/345

Abstract: 在电弧式蒸发源中，将磁力线诱导到基板方向而加快成膜速度。其中，具有以包围靶(2)的外周的方式设置，且磁化方向沿着与靶(2)的表面正交的方向而配置的至少一个外周磁体(3)，和配置在靶(2)的背面侧的背面磁体(4)。背面磁体(4)具有非环状的第一永久磁体(4A)，其配置方式为，使其极性与外周磁体3的极性朝向同方向，并且沿着与背面磁体(4)的磁化方向与靶(2)的表面正交的方向而配置。

公开(公告)号：CN101636519A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880006759.3

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社理研 ,  日新电机株式会社

Inventor： 辻胜启 ,  西村和也

IPC: C23C14/32

CPC classification number: C23C14/325 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/345

Abstract: 本发明提供一种能够抑制电弧点向阴极蒸发面以外的部分移动的电弧式蒸发源。所述电弧式蒸发源通过由磁场控制的电弧放电来使阴极(22)的阴极物质蒸发，其具备：磁场形成机构(42)，其在阴极前端的蒸发面(22a)附近形成与阴极中心轴(Ax)平行的成分强的磁场(M)，且配置在阴极的外侧；支承机构(26)，其支承阴极；冷却机构(61)，其冷却阴极；锥形环(64)，其形成圆锥台状，具有使阴极沿其轴向贯通的贯通孔，且配置成向着阴极的蒸发面逐渐变细，锥形环由强磁性体构成，使用时锥形环的前端(64a)与阴极的蒸发面位于相同的面或位于比蒸发面稍后退的位置。

公开(公告)号：CN105452521B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480044648.7

申请日：2014-06-25

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 广田悟史

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/345

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具备DMS用靶材以及成膜用电源，且能够使用所述成膜用电源进行所述靶材的预溅射。成膜装置具备：成膜腔室(10)；第一阴极和第二阴极(20A、20B)，分别具有靶材(24)，且被配置成以靶材表面(24a)均朝向成膜腔室(10)内的基材侧的姿势互相相邻；磁场形成部(30)，在两个靶材(24)的表面(24a)附近形成磁场；成膜用电源(40)，连接于两个阴极(20A、20B)；以及遮门(50)。遮门(50)介于两个阴极的靶材表面(24a)与基材之间，在关闭位置与打开位置之间进行开闭动作，其中，关闭位置是将该靶材表面(24a)一并与基材隔离的位置，打开位置是开放靶材表面(24a)与基材之间而容许对基材的成膜的位置。