公开(公告)号：TW201319905A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101136110

申请日：2012-09-28

Applicant: 3M新設資產公司 ,  3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： 賽巴斯坦 馬修 ,  SEBASTIAN, MUTHU ,  琳恩哈弗 南西 史東 ,  LENNHOFF, NANCY STONE ,  特維所 多明尼克 馬克思 ,  TRAVASSO, DOMINIC MARCUS ,  史瓦茲 史帝芬T ,  SWARTZ, STEVEN T.

IPC: G06F3/044

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F3/044 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/0302 ,  H05K2201/032

Abstract: 一種物品包括諸如一觸控感測器之一多層結構，該多層結構具有兩個相反側且包含一中心聚合UV透明基板、一在該聚合基板之兩個主要相反表面中之每一者上的透明導電層、一在每一透明導電層上之金屬導電層，及一在每一金屬導電層上之經圖案化之光成像遮罩。

Abstract in simplified Chinese: 一种物品包括诸如一触摸传感器之一多层结构，该多层结构具有两个相反侧且包含一中心聚合UV透明基板、一在该聚合基板之两个主要相反表面中之每一者上的透明导电层、一在每一透明导电层上之金属导电层，及一在每一金属导电层上之经图案化之光成像遮罩。

公开(公告)号：TW201145310A

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：TW099147366

申请日：2010-12-31

Applicant: 杜邦股份有限公司

Inventor： 奈爾 庫馬倫 曼尼康坦 ,  戈登 史考特E ,  麥康斯 馬克 腓德列克

IPC: H01B ,  H05K

CPC classification number: H05K3/0094 ,  H01B1/22 ,  H05K1/09 ,  H05K1/092 ,  H05K1/095 ,  H05K1/115 ,  H05K3/4061 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/1126

Abstract: 揭露一種用於形成過渡通孔及過渡線導體之組成物,以便使相異金屬組成物之間的電連結處之界面效應達到最小。該組成物具有(a)無機成分,其係選自由(i)20至45重量百分比的金及80至55重量百分比的銀及(ii)100重量百分比的銀-金固溶體合金所組成之群組,及(b)一有機介質該組成物亦可含有(c)以該組成物之重量為基礎,1至5重量百分比的氧化物或金屬之混合氧化物,其係選自由Cu、Co、Mg及Al及/或主要含有耐火氧化物的高黏度玻璃所組成之群組。該組成物可用為通孔填充中之多層組成物。亦可使用用於形成過渡通孔及過渡線導體之組成物來形成諸如LTCC電路之多層電路及裝置。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种用于形成过渡通孔及过渡线导体之组成物,以便使相异金属组成物之间的电链接处之界面效应达到最小。该组成物具有(a)无机成分,其系选自由(i)20至45重量百分比的金及80至55重量百分比的银及(ii)100重量百分比的银-金固溶体合金所组成之群组,及(b)一有机介质该组成物亦可含有(c)以该组成物之重量为基础,1至5重量百分比的氧化物或金属之混合氧化物,其系选自由Cu、Co、Mg及Al及/或主要含有耐火氧化物的高黏度玻璃所组成之群组。该组成物可用为通孔填充中之多层组成物。亦可使用用于形成过渡通孔及过渡线导体之组成物来形成诸如LTCC电路之多层电路及设备。

公开(公告)号：TWI610803B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW105121541

申请日：2013-03-29

Applicant: JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Inventor： 福地亮 ,  FUKUCHI, RYO

IPC: B32B15/04 ,  C23C18/38 ,  C23C22/24 ,  C23C28/00 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/09 ,  C23C22/24 ,  C23C22/83 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  C23C2222/20 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/382 ,  H05K3/389 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/27 ,  Y10T428/273

公开(公告)号：TW201739611A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106102403

申请日：2017-01-23

Applicant: JX金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Inventor： 三木敦史 ,  MIKI, ATSUSHI ,  冠和樹 ,  KANMURI, KAZUKI

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/02 ,  H05K3/18 ,  G01N23/203

CPC classification number: H05K3/4644 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/06 ,  H05K3/108 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/05 ,  H05K2203/0502

Abstract: 提供一種耐彎折性及電路形成性皆為良好的印刷配線板用積層體，該積層體被使用於包含藉由半加成法(semi-additive process)、部分加成法(partly additive process)、改良半加成法(modified semi-additive process)或埋入法中任一方法形成電路之步驟的印刷配線板製造方法。印刷配線板用積層體依序具有絕緣性樹脂基板、金屬層1及金屬層2，對與積層體之厚度方向平行的剖面進行離子研磨加工後，在用EBSD觀察加工剖面的金屬層1及金屬層2時，於加工剖面中金屬層1及金屬層2各自具有一顆或複數顆晶粒，金屬層1之一顆或複數顆晶粒及金屬層2之一顆或複數顆晶粒之中，加工剖面之垂直線與晶粒之 結晶方向的角度之偏離在15°以內的晶粒其合計面積相對於金屬層1之一顆或複數顆晶粒及金屬層2之一顆或複數顆晶粒其合計面積的面積率，以金屬層1及金屬層2之合計計，為15%以上且未達97%。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种耐弯折性及电路形成性皆为良好的印刷配线板用积层体，该积层体被使用于包含借由半加成法(semi-additive process)、部分加成法(partly additive process)、改良半加成法(modified semi-additive process)或埋入法中任一方法形成电路之步骤的印刷配线板制造方法。印刷配线板用积层体依序具有绝缘性树脂基板、金属层1及金属层2，对与积层体之厚度方向平行的剖面进行离子研磨加工后，在用EBSD观察加工剖面的金属层1及金属层2时，于加工剖面中金属层1及金属层2各自具有一颗或复数颗晶粒，金属层1之一颗或复数颗晶粒及金属层2之一颗或复数颗晶粒之中，加工剖面之垂直线与晶粒之<100>结晶方向的角度之偏离在15°以内的晶粒其合计面积相对于金属层1之一颗或复数颗晶粒及金属层2之一颗或复数颗晶粒其合计面积的面积率，以金属层1及金属层2之合计计，为15%以上且未达97%。

公开(公告)号：TWI588719B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW101136110

申请日：2012-09-28

Applicant: 3M新設資產公司 ,  3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： 賽巴斯坦 馬修 ,  SEBASTIAN, MUTHU ,  琳恩哈弗 南西 史東 ,  LENNHOFF, NANCY STONE ,  特維所 多明尼克 馬克思 ,  TRAVASSO, DOMINIC MARCUS ,  史瓦茲 史帝芬T ,  SWARTZ, STEVEN T.

IPC: G06F3/044

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F3/044 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/0302 ,  H05K2201/032

公开(公告)号：TW201639705A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105121541

申请日：2013-03-29

Applicant: JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Inventor： 福地亮 ,  FUKUCHI, RYO

IPC: B32B15/04 ,  C23C18/38 ,  C23C22/24 ,  C23C28/00 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/09 ,  C23C22/24 ,  C23C22/83 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  C23C2222/20 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/382 ,  H05K3/389 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/27 ,  Y10T428/273

Abstract: 一種表面處理銅箔，其銅箔表面之Si附著量為3.1~300μg/dm2，銅箔表面之N附著量為2.5~690μg/dm2。本案發明之課題在於：獲得一種在提供「在適用於高頻用途之液晶聚合物(LCP)積層有銅箔」的可撓性印刷基板(FPC)用銅箔時剝離強度提高之銅箔。

Abstract in simplified Chinese: 一种表面处理铜箔，其铜箔表面之Si附着量为3.1~300μg/dm2，铜箔表面之N附着量为2.5~690μg/dm2。本案发明之课题在于：获得一种在提供“在适用于高频用途之液晶聚合物(LCP)积层有铜箔”的可挠性印刷基板(FPC)用铜箔时剥离强度提高之铜箔。

公开(公告)号：TW201623248A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104128396

申请日：2015-08-28

Applicant: 東京應化工業股份有限公司 ,  TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

Inventor： 石川達郎 ,  ISHIKAWA, TATSURO ,  野田国宏 ,  NODA, KUNIHIRO ,  大內康秀 ,  OHUCHI, YASUHIDE ,  千坂博樹 ,  CHISAKA, HIROKI ,  塩田大 ,  SHIOTA, DAI ,  前田幸嗣 ,  MAEDA, YUKITSUGU ,  井本文 ,  IMOTO, TAKAFUMI ,  藤田浩平 ,  FUJITA, KOUHEI ,  赤井泰之 ,  AKAI, YASUYUKI

IPC: C07D233/60 ,  C23F11/00 ,  G03F7/004 ,  C23C22/00 ,  G03F7/039 ,  H05K3/28

CPC classification number: C07D233/60 ,  C08K5/3445 ,  C23C22/02 ,  C23C22/05 ,  C23F11/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/031 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H05K1/09 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/032

Abstract: 本發明係提供可供予遷移(migration)或配線表面之氧化之抑制效果優異之表面處理液的新規咪唑化合物，提供含有該咪唑化合物之金屬表面處理液，提供使用該金屬表面處理液之金屬之表面處理方法、及使用該表面處理液之層合體之製造方法。 本發明係使用在所定之位置被所定之結構的芳香族基與可具有取代基之咪唑基取代之含有特定之結構之飽和脂肪酸或飽和脂肪酸酯之表面處理液，將金屬進行表面處理。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供可供予迁移(migration)或配线表面之氧化之抑制效果优异之表面处理液的新规咪唑化合物，提供含有该咪唑化合物之金属表面处理液，提供使用该金属表面处理液之金属之表面处理方法、及使用该表面处理液之层合体之制造方法。 本发明系使用在所定之位置被所定之结构的芳香族基与可具有取代基之咪唑基取代之含有特定之结构之饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯之表面处理液，将金属进行表面处理。

公开(公告)号：TW201602426A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104109427

申请日：2015-03-24

Applicant: 德國艾托特克公司 ,  ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： 西川忠寬 ,  NISHIGAWA, TADAHIRO ,  樋口純 ,  HIGUCHI, JUN ,  石川人司 ,  ISHIKAWA, HITOSHI

IPC: C25D5/34 ,  C25D5/54 ,  H05K3/42 ,  C25D3/38

CPC classification number: C25D5/34 ,  C25D3/38 ,  C25D5/56 ,  H05K1/0296 ,  H05K3/424 ,  H05K3/427 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/0796

Abstract: 本發明係關於以下方法：在如包含絕緣體及層壓於部分該絕緣體上之銅層之印刷電路板的基板中，對該絕緣體外表面及該銅層外表面同時進行(1)包含用鹼金屬氫氧化物溶液處理之製程，(2)包含用含脂族胺之鹼性水溶液處理之製程，(3)包含用過錳酸鹽濃度為0.3重量%至3.5重量%且pH為8至11之鹼性水溶液處理之製程，(4)包含用含噻吩化合物及聚苯乙烯磺酸之鹼金屬鹽之酸性微乳液水溶液處理之製程，及(5)包含銅電鍍之製程，該等製程依序實施。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于以下方法：在如包含绝缘体及层压于部分该绝缘体上之铜层之印刷电路板的基板中，对该绝缘体外表面及该铜层外表面同时进行(1)包含用碱金属氢氧化物溶液处理之制程，(2)包含用含脂族胺之碱性水溶液处理之制程，(3)包含用过锰酸盐浓度为0.3重量%至3.5重量%且pH为8至11之碱性水溶液处理之制程，(4)包含用含噻吩化合物及聚苯乙烯磺酸之碱金属盐之酸性微乳液水溶液处理之制程，及(5)包含铜电镀之制程，该等制程依序实施。

公开(公告)号：TWI515852B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102115623

申请日：2013-05-01

Applicant: 友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

Inventor： 柯聰盈 ,  KE, TSUNGYING

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L33/02 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5338 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/032 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201520652A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103136348

申请日：2014-10-21

Applicant: 保健潮流健康公司 ,  CARESTREAM HEALTH, INC.

Inventor： 弗瑞德 安德魯T ,  FRIED, ANDREW T. ,  洛辛 羅柏S ,  LOUSHIN, ROBERT S. ,  芒森 羅柏J ,  MONSON, ROBERT J.

IPC: G02F1/1335 ,  G02B26/02

CPC classification number: H05K1/0296 ,  G06F3/044 ,  G06F3/047 ,  G06F2203/04112 ,  H05K3/10 ,  H05K2201/032 ,  H05K2203/0537 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本發明係關於導電膜及其製造方法。該膜包含至少兩個圖案，其中第一圖案獨自一個時將係可見的，但在添加了一或多個其他圖案之情況下變成人類肉眼不可見的。此等膜可用於需要不可見之圖案化之應用中，例如採用觸控螢幕之器件中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于导电膜及其制造方法。该膜包含至少两个图案，其中第一图案独自一个时将系可见的，但在添加了一或多个其他图案之情况下变成人类肉眼不可见的。此等膜可用于需要不可见之图案化之应用中，例如采用触摸屏幕之器件中。