公开(公告)号：CN104465718B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410478175.3

申请日：2014-09-18

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川尻智司

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7396 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。

公开(公告)号：CN104901547B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510098250.8

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大竹修 ,  古越隆一

IPC: H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33546 ,  H02M1/36 ,  H02M3/3376 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2001/0058 ,  Y02B70/1433 ,  Y02B70/1491 ,  Y02B70/16

Abstract: 电流谐振型电源装置，其提高了启动性。该电流谐振型电源装置具有：Lr、P和C2的串联电路；全波整流平滑电路，其对在S中产生的电压进行全波整流和平滑，获取直流电压；控制电路，其控制Q1和Q2的导通时间而使它们交替地导通/截止；检测器，其检测全波整流平滑电路的直流电压；电流检测部，其检测在一次绕组中流过的电流；导通时间控制部，其在依据由软启动时间常数设定部设定的时间常数而产生的电压小于设定电压的情况下，基于来自检测器的直流电压和软启动信号，设定Q1和Q2的导通时间，在依据时间常数而产生的电压为设定电压以上的情况下，基于由电流检测部检测出的电流的值，设定第1导通时间和第2导通时间中的一个导通时间。

公开(公告)号：CN104244511B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410283565.5

申请日：2014-06-23

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 吉永充达

IPC: H05B37/02 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明提供LED驱动装置、LED点亮装置以及误差放大电路，能够缩短LED的点亮开始时间。该LED驱动装置具有：LED电流检测部Rd，与各LED负载串联连接，检测LED负载中流过的电流；误差放大电路，放大LED电流检测部的输出电压与基准电压的误差电压；控制电路，根据误差放大电路的输出电压对开关元件进行接通断开控制，将直流输出电力控制为规定值，误差放大电路具有：误差放大器OP；相位补偿电路，连接在误差放大器的反转输入端子与输出端子之间，具有由相位补偿电容器Cf和相位补偿电阻Rf构成的串联电路；增益调整用电阻Rs，一端与串联电路串联连接，另一端与LED电流检测部连接；短接电路Q3、Q2、R10～R13，在起动后的规定时间内使误差放大器的反转输入端子接地。

公开(公告)号：CN106655751A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510736641.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 寺泽阳一

IPC: H02M1/42

CPC classification number: Y02B70/126

Abstract: 本申请提供一种功率因数校正电路及其控制方法、以及开关电源，该电路具有：整流单元；开关单元，其具有串联连接的电抗器以及开关元件；导通时间控制单元，其设定开关元件的关断时刻；电抗器零电流检测单元，其用于检测流过电抗器的再生电流为零的时刻；临界周期检测单元，其用于根据电抗器零电流检测单元的检测结果以及开关元件的导通或关断状态，输出与再生电流的临界周期相关的控制信号；时间常数选择单元，其用于根据临界周期检测单元输出的控制信号设定时间常数；最高频率限制单元，其用于根据时间常数控制开关元件导通和关断的频率。根据本申请，能够降低开关元件的开关频率，降低电路的复杂度。

公开(公告)号：CN104242755B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410242517.1

申请日：2014-06-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥一裕 ,  政所隆大 ,  饭塚侑

IPC: H02P8/12

Abstract: 本发明提供电动机驱动装置和功率模块，其处理容易且能够以简单的结构控制绕组电流。电动机驱动装置按照使流过构成电动机的绕组的电流增加的第1模式、使所述电流以第1衰减率衰减的第2模式、以及使所述电流以比所述第1衰减率小的第2衰减率衰减的第3模式来驱动所述电动机，经由规定的最小时间以上，按照所述第1模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动后的所述电流是第2基准值以上时，按照所述第2模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动结束时的所述电流是小于所述第2基准值的第1基准值以上且小于所述第2基准值时，按照所述第3模式来驱动所述电动机。

公开(公告)号：CN106253653A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610393570.0

申请日：2016-06-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中野利浩

IPC: H02M1/36 ,  H02M1/42 ,  H02M3/00 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33546 ,  H02M1/36 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33507 ,  H02M2001/0006 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1433 ,  H02M1/42 ,  H02M3/00 ,  H02M3/33515 ,  H02M3/33523

Abstract: 具有改进的启动要求的功率控制模块。描述了经由功率修正电路和例如可以包括谐振串联转换器和反激转换器的LLC转换器向家电和其他装置提供功率的电路和装置。电路和装置通过在对LLC转换器上电之前单独对控制器电路部分进行上电来节约板空间、零件尺寸以及功率启动时间。

公开(公告)号：CN106206752A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510323730.X

申请日：2015-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 森川直树

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。

公开(公告)号：CN106026659A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510958186.6

申请日：2015-12-18

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 早川章 ,  岛田雅章

IPC: H02M3/28

Abstract: 本发明提供开关电源装置，能够实现与输入电压对应的最佳开关频率下的工作。开关电源装置具有：作为误差放大器发挥作用的分路调节器(Z1)，其比较输出电压(Vo)与基准电压，将其误差电压作为表示负载状态的(FB)信号发送到一次侧；频率生成电路(13)，其根据(FB)信号生成开关频率；作为截止时机确定电路发挥作用的S/OCP检测电路(15)，其通过比较(FB)信号与流过开关元件(Q1)的电流，来确定使开关元件(Q1)截止的时机；以及作为频率校正电路发挥作用的开关电流波形校正电路(16)，其根据开关元件(Q1)的导通占空比，对频率生成电路(13)生成的开关频率进行校正。

公开(公告)号：CN103579296B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210277310.9

申请日：2012-08-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有第1导电型的第1半导体层，形成于第1半导体层的上面的第2导电型的第2半导体层，其中第1导电型与第2导电型相反，由外延生长层构成的第2导电型的第3半导体层，与第2半导体层相接，其杂质浓度高于第2半导体层，第1导电型的第4半导体层，其形成于第3半导体层上面，第2导电型的第5半导体区域，其与第4半导体层相接，由第5半导体区域的上面开始，至少到达第4半导体层的下面的沟槽，形成于沟槽的侧面及底面的绝缘膜以及其形成于绝缘膜的内侧的沟槽中的控制电极。

公开(公告)号：CN105895707A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510036944.9

申请日：2015-01-26

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山口隆志

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；形成在所述衬底中的P-N结；形成在所述衬底表面的电极；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述衬底与所述电极接触的区域、以及所述P-N结的结区的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。