公开(公告)号：CN101567419A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910135057.1

申请日：2009-04-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 村田龙纪 ,  辻内干夫 ,  松田亮史

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种能够形成具有良好绝缘性能的氮化硅膜作为MTJ元件的保护膜而没有使MTJ元件的性能恶化的半导体器件制备方法。本发明的方法包括以下步骤：在使用平行板等离子体CVD装置作为膜形成装置以及不含NH3而是由SiH4/N2/氦(He)组成的膜形成气体之时在包括MTJ元件部分(MTJ元件和上电极)的整个表面上方形成氮化硅膜。将膜形成温度设置为从200到350℃。更理想地，将He与SiH4的流速比设置为从100到125。

公开(公告)号：CN100555870C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200580002989.9

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 工藤良太郎 ,  立野孝治

IPC: H03K19/0944

CPC classification number: H03K5/08 ,  H02M7/538

Abstract: 本发明提供一种以稳定方式工作并具有简单结构的电压箝位电路和一种能够高速操作的开关式电源器件。在开关式电源器件，一个源极/漏极布线连接到输入端子，输入电压被提供至该输入端子，将被限制的预定电压提供至栅极，并使用在源极和漏极布线中另一个与电路的地电位之间提供电流的MOSFET，从源极和漏极布线中另一个获得与输入电压对应的箝位输出电压。开关式电源器件还包括第一开关元件和第二开关元件，第一开关元件控制流入感应器中的电流使得输出电压呈现出预定电压；第二开关元件在第一开关元件关闭时将感应器中产生的反电动势箝位在预定电压。在这样的开关式电源器件中，电压箝位电路用在用于设置停止时间的反馈线路中。

公开(公告)号：CN101556638A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910133145.8

申请日：2009-04-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 靏田博一 ,  山口敦男 ,  宫内成典

IPC: G06F21/00 ,  G11B20/00

CPC classification number: G06F21/54 ,  G06F21/52 ,  G06F21/71

Abstract: 提供一种数据处理设备，其检测对数据的软件篡改以及对该数据的重写。根据本发明实施例的数据处理设备包括安全单元，该安全单元具有用于对包括秘密数据的加密信号进行解密的加密电路。安全单元包括压缩电路和比较电路，压缩电路压缩在访问安全单元时使用的访问信号并输出压缩结果，而比较电路将从压缩电路输出的压缩结果与先前计算的访问信号的压缩结果的期望值相比较。

公开(公告)号：CN100550340C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510001823.7

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 金光贤司 ,  森山卓史 ,  细田直宏

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，用于防止在形成元件隔离槽的步骤中在沟槽内部由针状突起引起的栅电极的介电击穿，包括：在硅衬底上形成第一氧化硅膜和氮化硅膜；在氮化硅膜上形成第二氧化硅膜和光刻胶膜，其中元件隔离区域是开放的；对从光刻胶膜中暴露的第二氧化硅膜进行湿蚀刻处理；通过用光刻胶膜作掩模干蚀刻氮化硅膜和第一氧化硅膜以暴露出元件隔离区域中的硅衬底；除去光刻胶膜；用氮化硅膜作掩模干蚀刻硅衬底以在元件隔离区域中形成沟槽；在硅衬底上包括沟槽的内部形成第三氧化硅膜，然后通过化学机械抛光或在化学机械抛光后的回蚀刻除去沟槽外的第三氧化硅膜以在元件隔离区域中的硅衬底上形成元件隔离槽；和除去氮化硅膜。

公开(公告)号：CN101552038A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910132417.2

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 梶本毅

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/16

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/14 ,  G11C16/16 ,  G11C2211/5641

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器，其能够在将芯片面积的增长抑制到最小的同时实现充分小的划分单位的擦除/写入操作，并且缩短擦除时间。提供物理擦除状态和逻辑擦除状态二者作为每个存储单元的阈值电压分布状态。在逻辑擦除状态中，将存储单元的阈值电压标准改变为高于物理擦除状态的状态。当执行对置于物理擦除状态的存储单元的数据重写时，执行逻辑擦除并将阈值电压标准改变为高电压电平。逻辑擦除仅仅改变阈值电压标准的电压电平。由于没有移动积累在存储单元中的电荷，所以可以高速地且在短时段内完成擦除。

公开(公告)号：CN101546955A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910005717.4

申请日：2009-02-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 铃木隆信 ,  谷田进

IPC: H02M3/07 ,  H02M1/44 ,  G05F1/10

CPC classification number: H02M3/073 ,  H02M1/36 ,  H02M1/44

Abstract: 提供一种电荷泵电路，该电荷泵电路可以防止出现在从去使能状态改变成使能状态时与操作时钟频率独立的频率分量的EMI噪声。该电荷泵电路包括检测信号同步电路，该检测信号同步电路输出通过将从电平检测电路输出的检测信号与从振荡器电路输出的时钟信号同步而生成的同步检测信号。使用该同步检测信号作为泵使能信号，而响应于该同步检测信号和从振荡器电路输出的时钟信号对泵电路体中的第一泵电容和第二泵电容进行充电和放电。

公开(公告)号：CN100546011C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200610128903.3

申请日：2006-09-01

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石泽春彦 ,  神隆治

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/67132 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/86 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2224/81052 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/49018 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 使用于电子标签的引入线的生产线中连续引入线带的传送精度得到改善。将用作引入线的结构体的第一部分移到检查位置，在那里进行通信特性测试，并且CCD照相机对在检查位置的结构体的平面图像照相，而且将图像数据传送到图像传感器控制器。图像传感器控制器通过分析从CCD照相机传送的图像数据，测量结构体的位置偏移量，并且作为校正值传送给可编程控制器。将校正值调整为标准的移动量，将它作为实际移动量传送给定位单元，并且根据所传送的移动量来移动后续结构体。

公开(公告)号：CN101521180A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910009597.5

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坂下真介 ,  川原孝昭 ,  由上二郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上，遍及整个表面形成厚度为3～30nm的栅电极用金属膜M。接着，在栅电极用金属膜M的上表面中仅属于nFET区域Rn内的部分上，遍及整个表面形成与栅电极用金属膜M为不同种材料、且厚度为10nm以下的n侧盖层8A。其后进行热处理，使n侧盖层8A向其正下方的栅电极用金属膜M内扩散并反应，从而在nFET区域Rn内形成n侧栅电极用金属膜MA。此后，堆积多晶Si层，并实施栅电极加工。

公开(公告)号：CN101521169A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810186571.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 伊藤仁一 ,  中村哲治 ,  永长贵光 ,  冈村尚

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L22/32 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，提供一种在利用引线接合进行安装的芯片和利用凸块电极进行安装的芯片中能够将制造步骤共用化的技术。不管是在芯片1通过凸块电极来进行与外部的电性连接的情况下，还是在芯片1通过接合线来进行与外部的电性连接的情况下，均在1条最上层的配线7上设置凸块连接部15及接合垫16这两者。在使用凸块电极的情况下，在凸块连接部15上的绝缘膜上设置开口部，并用绝缘膜覆盖接合垫16上。另一方面，在使用接合线的情况下，在接合垫16上的绝缘膜设置开口部，并用绝缘膜覆盖凸块连接部15上。

公开(公告)号：CN101515551A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004887.0

申请日：2009-02-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  新井克夫 ,  藤城敦

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/433 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分的顶表面处暴露：与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分的背表面处。当制备这种半导体器件时，在漏极端子和半导体芯片之间放置键合材料和膜构件。同时，在源极端子3和栅极端子以及半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是，键合材料厚度的变化被抑制。