公开(公告)号：CN1917198A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610108501.7

申请日：2006-08-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 小池信也 ,  松下司 ,  佐藤仁久 ,  大川启一 ,  锦泽笃志

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L24/91 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/207

Abstract: 需要提供一种能够降低半导体器件中的功率晶体管的导通电阻的技术，该半导体器件将功率晶体管和控制集成电路集成到单一半导体芯片中。另外需要提供一种能够减小半导体器件的芯片尺寸的技术。一种半导体芯片包括用于形成功率晶体管的功率晶体管形成区域、用于形成逻辑电路的逻辑电路形成区域和用于形成模拟电路的模拟电路形成区域。在功率晶体管形成区域中形成焊盘。该焊盘和引线通过接线柱来连接，该接线柱的横截面大于导线的横截面。另一方面，通过导线29连接键合焊盘。

公开(公告)号：CN101515551A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004887.0

申请日：2009-02-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  新井克夫 ,  藤城敦

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/433 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分的顶表面处暴露：与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分的背表面处。当制备这种半导体器件时，在漏极端子和半导体芯片之间放置键合材料和膜构件。同时，在源极端子3和栅极端子以及半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是，键合材料厚度的变化被抑制。