偏振片和层叠光学构件
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109239831A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810801588.9

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 本发明涉及偏振片和层叠光学构件。本发明涉及偏振片,该偏振片由聚乙烯醇系偏振器和经由粘合剂贴合在该偏振器上的保护膜构成,该粘合剂由光固化性粘合剂组合物形成,所述光固化性粘合剂组合物含有100重量份光阳离子固化性成分(A)、和1-10重量份光阳离子聚合引发剂(B),其固化物在80℃下显示1000MPa以上的储能模量,上述的光阳离子固化性成分(A)以其总量为基准,以以下量含有以下的(A1)和(A2)来制备:50-95重量%具有与脂环式环结合的环氧基的脂环式环氧化合物(A1);5-50重量%氯含量为1重量%以下、下式(I)(Z为烷撑基等)所示的二缩水甘油基化合物(A2)。

    薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN109154080A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780031611.4

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 一种薄膜形成用原料,其含有以下述通式(1)表示的化合物而成:【化1】式中,R1是表示碳原子数2~4的直链或分支状的烷基,R2~R5各自独立表示碳原子数1~4的直链或分支状的烷基,A是表示碳原子数1~4的烷二基,M是表示钛、锆或铪;但,M为锆时,A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时,A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时,A是碳原子数3的烷二基是优选的。

    含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法

    公开(公告)号:CN105386055B

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201510670357.5

    申请日:2010-07-06

    Abstract: 本发明提供一种含铜材料用蚀刻剂组合物及含铜材料的蚀刻方法,可以形成没有形状不良的微细图案。本发明的含铜材料用蚀刻剂组合物由水溶液构成,该水溶液含有:(A)0.1~15质量%的从铜离子和铁离子中选择的至少一种氧化剂成分;(B)0.1~20质量%的氯化氢;以及(C)0.001~5质量%的用下述通式(1)表示,并且数均分子量为500~1,500的非离子型表面活性剂,在所述通式(1)中,R表示碳原子数为8~18的烷基,X表示环氧乙烷单元与环氧丙烷单元无规聚合或嵌段聚合的聚环氧烷基。R‑O‑X‑H(1)。

    蚀刻液组合物以及蚀刻方法

    公开(公告)号:CN108028198A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680049206.0

    申请日:2016-08-23

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法,所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻,即使连续使用,也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的,本发明提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法,所述蚀刻液组合物包含:(A)过氧化氢0.1~15质量%;(B)氟化物离子供给源0.01~1质量%;(C)以有机磺酸换算计,由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1~20质量%;(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01~5质量%以及(E)水。(式中,R表示碳原子数1~4的烷基、碳原子数1~4的羟基烷基、碳原子数6~10的芳基、碳原子数6~10的羟基芳基。)。

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