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41.半導體晶圓切割系統及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD 审中-公开
Simplified title: 半导体晶圆切割系统及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD公开(公告)号:TW200841388A
公开(公告)日:2008-10-16
申请号:TW096149598
申请日:2007-12-21
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 派翠西歐 韋格拉 安契塔二世 ANCHETA, PATRICIO VERGARA JR. , 亨特傑 莎杜納斯 維拉格 VILAGA, HEINTJE SARDONAS , 艾拉 陳 莎米安托 SARMIENTO, ELLA CHAN
IPC: H01L
CPC classification number: B28D5/0088 , B28D5/0076
Abstract: 本發明描述一種半導體晶圓(12)切割系統(28)及方法,其中可將一晶圓緊固於一切割位置使其具有一經曝露以承受切割之表面,其中該曝露晶圓表面之至少一部分定位於該晶圓之重心以下,使得普遍重力可用以輔助污染物自該晶圓的移除。
Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种半导体晶圆(12)切割系统(28)及方法,其中可将一晶圆紧固于一切割位置使其具有一经曝露以承受切割之表面,其中该曝露晶圆表面之至少一部分定位于该晶圆之重心以下,使得普遍重力可用以辅助污染物自该晶圆的移除。
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42.同步化觀看裝置之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR SYNCHRONIZING A VIEWING DEVICE 审中-公开
Simplified title: 同步化观看设备之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR SYNCHRONIZING A VIEWING DEVICE公开(公告)号:TW200836548A
公开(公告)日:2008-09-01
申请号:TW096149612
申请日:2007-12-21
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
IPC: H04N
CPC classification number: G09G3/003 , H04N13/341 , H04N13/363 , H04N13/398
Abstract: 本發明係關於一種用以同步化快門眼鏡與一顯示系統之系統與方法。一具體實施例包括分別在一第一、第二及第三顯示週期期間,在一顯示平面上顯示來自一第一影像串流之一第一影像(方塊505)、在該顯示平面上顯示來自一第二影像串流之一第二影像(方塊510)以及在該平面上顯示一同步信號(方塊515)。該第一影像及該第二影像至少部分地顯示於該顯示平面之相同區域,且該第一與該第二顯示週期不重疊。在該顯示平面上之同步信號的顯示能夠除去一專用同步信號廣播器件,從而減少增加一顯示系統之可靠度的成本。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种用以同步化快门眼镜与一显示系统之系统与方法。一具体实施例包括分别在一第一、第二及第三显示周期期间,在一显示平面上显示来自一第一影像串流之一第一影像(方块505)、在该显示平面上显示来自一第二影像串流之一第二影像(方块510)以及在该平面上显示一同步信号(方块515)。该第一影像及该第二影像至少部分地显示于该显示平面之相同区域,且该第一与该第二显示周期不重叠。在该显示平面上之同步信号的显示能够除去一专用同步信号广播器件,从而减少增加一显示系统之可靠度的成本。
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43.以分離溝槽蝕刻及鈍化之半導體晶粒 SEMICONDUCTOR DIE WITH SEPARATION TRENCH ETCH AND PASSIVATION 审中-公开
Simplified title: 以分离沟槽蚀刻及钝化之半导体晶粒 SEMICONDUCTOR DIE WITH SEPARATION TRENCH ETCH AND PASSIVATION公开(公告)号:TW200836254A
公开(公告)日:2008-09-01
申请号:TW096148767
申请日:2007-12-19
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 凱文P 霖 LYNE, KEVIN P.
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本發明揭示一種溝槽,其係蝕刻在形成於一半導體晶圓(100)上的積體電路晶粒(105)之間的一切割道路徑(110)之中。該蝕刻在該半導體晶圓內施行至超越電路系統(103)之深度的深度處並且會形成該晶粒的一邊緣,於該邊緣上放置著一鈍化層。該晶圓(100)的一背表面被移除,直到其與該溝槽相交為止。此分離該等晶粒與該晶圓,而不會從晶粒邊緣移除該鈍化層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种沟槽,其系蚀刻在形成于一半导体晶圆(100)上的集成电路晶粒(105)之间的一切割道路径(110)之中。该蚀刻在该半导体晶圆内施行至超越电路系统(103)之深度的深度处并且会形成该晶粒的一边缘,于该边缘上放置着一钝化层。该晶圆(100)的一背表面被移除,直到其与该沟槽相交为止。此分离该等晶粒与该晶圆,而不会从晶粒边缘移除该钝化层。
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44.以部分焊接遮罩定義之焊墊設計 PARTIAL SOLDER MASK DEFINED PAD DESIGN 审中-公开
Simplified title: 以部分焊接遮罩定义之焊垫设计 PARTIAL SOLDER MASK DEFINED PAD DESIGN公开(公告)号:TW200834845A
公开(公告)日:2008-08-16
申请号:TW096139385
申请日:2007-10-19
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 馬克 艾倫 吉伯 GERBER, MARK ALLEN , 惠特 艾倫 胡德斯頓 HUDDLESTON, WYATT ALLEN , 尚恩 馬汀 歐康諾 O'CONNOR, SHAWN MARTIN
IPC: H01L
CPC classification number: H05K1/111 , H01L23/49816 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/114 , H05K3/3452 , H05K2201/09381 , H05K2201/0989 , H05K2201/099 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本發明揭示一種焊球墊(204),其包含一基板及附於該基板之一接合墊(200)。該接合墊具有一接合墊表面及一接合墊邊緣。該焊球墊亦包含附於該基板之一焊接遮罩(203),在該基板中該焊接遮罩至少部分地包圍但並不實質上覆蓋該接合墊。該焊球墊亦具有一錨定墊(201),其係與該接合墊耦合並在該基板與該焊接遮罩之間延伸。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种焊球垫(204),其包含一基板及附于该基板之一接合垫(200)。该接合垫具有一接合垫表面及一接合垫边缘。该焊球垫亦包含附于该基板之一焊接遮罩(203),在该基板中该焊接遮罩至少部分地包围但并不实质上覆盖该接合垫。该焊球垫亦具有一锚定垫(201),其系与该接合垫耦合并在该基板与该焊接遮罩之间延伸。
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45.陶瓷底座之方法及系統 CERAMIC HEADER METHOD AND SYSTEM 审中-公开
Simplified title: 陶瓷底座之方法及系统 CERAMIC HEADER METHOD AND SYSTEM公开(公告)号:TW200832633A
公开(公告)日:2008-08-01
申请号:TW096140100
申请日:2007-10-25
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 莫迪K 佛吉 FORGEY, MOODY K. , 馬克A 克瑞斯里 KRESSLEY, MARK A.
CPC classification number: H01L21/4807 , B81C1/00333 , H01L23/10 , H01L23/15 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/1461 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49297 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本發明揭示一種陶瓷底座(130),其經組態用以形成一電子器件封裝(20)之一部分,該陶瓷底座包括一經組態用以提供用於一電子器件(150)之安裝表面的安裝部分。此外,該陶瓷底座包括一或多個導電輸入-輸出連接器,其係可操作以提供自該陶瓷底座之一第一表面(138)至該陶瓷底座的一第二表面(136)之電連接。該陶瓷底座亦包括一或多個經熱拋光表面(132)及(134)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种陶瓷底座(130),其经组态用以形成一电子器件封装(20)之一部分,该陶瓷底座包括一经组态用以提供用于一电子器件(150)之安装表面的安装部分。此外,该陶瓷底座包括一或多个导电输入-输出连接器,其系可操作以提供自该陶瓷底座之一第一表面(138)至该陶瓷底座的一第二表面(136)之电连接。该陶瓷底座亦包括一或多个经热抛光表面(132)及(134)。
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46.用於彩色成像裝置之彩色映射技術 COLOR MAPPING TECHNIQUES FOR COLOR IMAGING DEVICES 审中-公开
Simplified title: 用于彩色成像设备之彩色映射技术 COLOR MAPPING TECHNIQUES FOR COLOR IMAGING DEVICES公开(公告)号:TW200826057A
公开(公告)日:2008-06-16
申请号:TW096130923
申请日:2007-08-21
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
IPC: G09G
CPC classification number: G06T11/001 , G09G5/06 , G09G2340/06 , H04N1/6058
Abstract: 本發明揭示一種用於彩色成像裝置之彩色映射技術。所揭示具體實施例係關於在一傳輸色彩視覺影像之輸入信號(910)具有一不同於輸出顯示裝置(930)之色域時用於色域映射之技術。多項式橡皮片映射可用於在一三維知覺色空間內將輸入色域逐個色調地平移成輸出色域。而且,一記憶色查找表(925)可用於保持能夠在該輸出色域內重製的在該輸入色域內的記憶色。藉由單獨或組合使用此類技術,可以改良比色精度將一輸入色域更有效地映射至一不同輸出色域。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于彩色成像设备之彩色映射技术。所揭示具体实施例系关于在一传输色彩视觉影像之输入信号(910)具有一不同于输出显示设备(930)之色域时用于色域映射之技术。多项式橡皮片映射可用于在一三维知觉色空间内将输入色域逐个色调地平移成输出色域。而且,一记忆色查找表(925)可用于保持能够在该输出色域内重制的在该输入色域内的记忆色。借由单独或组合使用此类技术,可以改良比色精度将一输入色域更有效地映射至一不同输出色域。
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47.用於解決相位重設空間光調變器系統中重設衝突的系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR RESOLVING RESET CONFLICTS IN A PHASED-RESET SPATIAL LIGHT MODULATOR SYSTEM 审中-公开
Simplified title: 用于解决相位重设空间光调制器系统中重设冲突的系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR RESOLVING RESET CONFLICTS IN A PHASED-RESET SPATIAL LIGHT MODULATOR SYSTEM公开(公告)号:TW200826013A
公开(公告)日:2008-06-16
申请号:TW096138924
申请日:2007-10-17
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 蘇 慧 HUI, SUE
CPC classification number: G09G3/002 , G09G3/2022 , G09G3/346 , G09G2310/061 , G09G2320/0233
Abstract: 本發明揭示一種解決相位重設SLM系統中之重設衝突之系統及方法及一併入該系統或方法之投影視覺顯示系統(100)。在一項具體實施例中,該系統包括一重設衝突仲裁器(520),其經組態用以接收包含來自一序列產生器(510)之衝突的重設指令並依據衝突解決方法藉由偏移該等重設指令之一選定者的執行時間來解決衝突。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种解决相位重设SLM系统中之重设冲突之系统及方法及一并入该系统或方法之投影视觉显示系统(100)。在一项具体实施例中,该系统包括一重设冲突仲裁器(520),其经组态用以接收包含来自一串行产生器(510)之冲突的重设指令并依据冲突解决方法借由偏移该等重设指令之一选定者的运行时间来解决冲突。
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48.具整合電感器之功率半導體裝置 POWER SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING INTEGRATED INDUCTOR 审中-公开
Simplified title: 具集成电感器之功率半导体设备 POWER SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING INTEGRATED INDUCTOR公开(公告)号:TW200822335A
公开(公告)日:2008-05-16
申请号:TW096126372
申请日:2007-07-19
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Inventor: 史雷瓦山K 柯杜瑞 KODURI, SREENIVASAN K.
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/495 , H01F17/045 , H01F27/027 , H01F27/40 , H01L23/3121 , H01L23/49575 , H01L23/645 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L2224/13099 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48092 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明揭示一種具有一或多個半導體晶片(102)的電子裝置(100),在該等晶片之上或之下組裝著一電感器(101)。該電感器包含一鐵磁主體(111)以及一被纏繞在該主體周圍用以形成一迴路的至少一部分的電線(104);該等電線末端(104a)被連接至該等晶片。該裝配件被附接至一基板(103),其可能係一引線框。該裝置可被囊封在一模製化合物(140)之中,俾使該電感器能夠兼具勻熱片(111c)的功能,從而增强熱裝置特徵。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有一或多个半导体芯片(102)的电子设备(100),在该等芯片之上或之下组装着一电感器(101)。该电感器包含一铁磁主体(111)以及一被缠绕在该主体周围用以形成一回路的至少一部分的电线(104);该等电线末端(104a)被连接至该等芯片。该装配件被附接至一基板(103),其可能系一引线框。该设备可被囊封在一模制化合物(140)之中,俾使该电感器能够兼具匀热片(111c)的功能,从而增强热设备特征。
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49.具有間隙底部填充物之半導體裝置裝配 SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY WITH GAP UNDERFILL 审中-公开
Simplified title: 具有间隙底部填充物之半导体设备装配 SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY WITH GAP UNDERFILL公开(公告)号:TW200805523A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:TW096117861
申请日:2007-05-18
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/28 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05684 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/0132 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111
Abstract: 本發明揭示一種用於底部填充佈置於一基板(120)及一晶粒(110)間之一間隙(140)的方法及系統,藉由一電漿來源處理該基板之工選擇表面(152)。可藉由該電漿來源處理該晶粒之一匹配表面(154)。該處理導致該選擇表面及該匹配表面的粗糙化。與一未處理表面相比,該組糙化改進在該選擇表面及該匹配表面上之一底部填充物(150)的潤濕。該底部填充物被施配以實質上填充佈置於該選擇表面及該晶粒之該匹配表面間的該間隙,該底部填充物係藉由該潤濕實質上包含在該間隙內,其減少該底部填充物之逆流及逸出。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于底部填充布置于一基板(120)及一晶粒(110)间之一间隙(140)的方法及系统,借由一等离子来源处理该基板之工选择表面(152)。可借由该等离子来源处理该晶粒之一匹配表面(154)。该处理导致该选择表面及该匹配表面的粗糙化。与一未处理表面相比,该组糙化改进在该选择表面及该匹配表面上之一底部填充物(150)的润湿。该底部填充物被施配以实质上填充布置于该选择表面及该晶粒之该匹配表面间的该间隙,该底部填充物系借由该润湿实质上包含在该间隙内,其减少该底部填充物之逆流及逸出。
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50.利用跳動經取樣的射頻載波之亂數產生器 RANDOM NUMBER GENERATOR USING JITTER SAMPLED RF CARRIER 审中-公开
Simplified title: 利用跳动经采样的射频载波之乱数产生器 RANDOM NUMBER GENERATOR USING JITTER SAMPLED RF CARRIER公开(公告)号:TW200745962A
公开(公告)日:2007-12-16
申请号:TW095140609
申请日:2006-11-02
Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Abstract: 本發明揭示一種亂數產生器,其從一所接收的射頻信號源產生一隨機位元字串。將一取樣保持電路耦合至所接收的射頻信號源。藉由來自一耦合至該取樣保持電路的信號源之一跳動時脈信號,來對該射頻信號(200)進行取樣。該跳動時脈信號之頻率小於所接收的射頻信號之頻率。該亂數出現於該取樣保持電路之輸出處。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种乱数产生器,其从一所接收的射频信号源产生一随机比特字符串。将一采样保持电路耦合至所接收的射频信号源。借由来自一耦合至该采样保持电路的信号源之一跳动时脉信号,来对该射频信号(200)进行采样。该跳动时脉信号之频率小于所接收的射频信号之频率。该乱数出现于该采样保持电路之输出处。
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