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公开(公告)号：CN115244197A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018743.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，所述小倾角晶界及所述亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80％以下。
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公开(公告)号：CN115244196A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018288.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，并且剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，在将加压压力设为0.6MPa、将加热温度设为850℃、将加热温度下的保持时间设为90分钟的条件下实施加压热处理后，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为500μm以下。
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公开(公告)号：CN115243545A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019314.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: A01N25/34 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B15/04 , B32B15/20 , C09J7/38 , A01P3/00 , A01N59/20
Abstract: 本发明的特征在于，具有：基板(111)；基底层(112)，成膜于该基板(111)上；及铜层(113)，形成于该基底层(112)的与基板(111)相反的一侧的面上并且配置于最外表层，铜层(113)由铜或铜合金构成，基底层(112)由金属氧化物构成，基板(111)由挠性树脂材料构成。优选在实施100次曲率半径为6mm的弯曲试验后不会观察到裂纹。
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公开(公告)号：CN114302975B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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公开(公告)号：CN108603251A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009231.0
申请日：2017-04-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的超导线具备由超导体构成的裸线以及与该裸线接触而配置的超导稳定化材料，超导稳定化材料由铜材料构成，所述铜材料在合计3质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内含有选自Ca、Sr、Ba以及稀土类元素(RE)中的一种以上的添加元素，剩余部分为Cu以及不可避免的杂质，并且除了作为气体成分的O、H、C、N及S以外的不可避免的杂质的浓度的总计为5质量ppm以上且100质量ppm以下，在母相内部，存在包含选自CaS、CaSO4、SrS、SrSO4、BaS、BaSO4、(RE)S及(RE)2SO2中的一种以上的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108546844A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810573505.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及超导稳定化材料、超导线及超导线圈。本发明的超导稳定化材料用于超导线，所述超导稳定化材料由如下铜材料构成，所述铜材料以合计3质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内含有选自Ca、La及Ce中的1种或2种以上的添加元素，剩余部分设为Cu及不可避免杂质，且除作为气体成分的O、H、C、N、S外的所述不可避免杂质的浓度的总计设为5质量ppm以上且100质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN105992831A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201480065514.3
申请日：2014-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/10 , C22F1/08 , C25D7/00 , C25D7/12 , H01B1/02 , H01B5/02 , C22F1/00
CPC classification number: H01B1/026 , B22D21/005 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/002 , C22F1/08 , C25D3/30 , C25D5/505 , C25D7/00
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以3.3原子％以上且6.9原子％以下的范围含有Mg，且剩余部分实际上由Cu及不可避免的杂质构成，由相对于轧制方向正交的方向上进行拉伸试验时的强度TSTD和相对于轧制方向平行的方向上进行拉伸试验时的强度TSLD算出的强度比TSTD/TSLD超过1.02。
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公开(公告)号：CN103890205A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280049749.4
申请日：2012-11-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的第1至第3方式所涉及的铜合金含有3.3原子%以上且6.9原子%以下的Mg，剩余部分实际上为Cu以及不可避免杂质，含氧量为500原子ppm以下。并且，具有以下条件（a）、（b）中的任一个或两个。（a）当设Mg的含量为X原子%时，导电率σ（%IACS）满足式（1）：σ≤{1.7241/（-0.0347×X2+0.6569×X+1.7）}×100。（b）粒径为0.1μm以上的以Cu和Mg为主成分的金属间化合物的平均个数为1个/μm2以下。本发明的第4方式所涉及的铜合金还含有总计0.01原子%以上且3.0原子%以下的范围的选自Al、Ni、Si、Mn、Li、Ti、Fe、Co、Cr以及Zr中的1种以上，且满足条件（b）。
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公开(公告)号：CN102822363A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180018491.7
申请日：2011-05-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子器件用铜合金、电子器件用铜合金的制造方法及电子器件用铜合金轧材。该电子器件用铜合金的一种形态包括Cu和Mg的二元系合金，该二元系合金以3.3原子%以上6.9原子%以下的范围包含Mg，剩余部分只包括Cu及不可避免杂质，当Mg的含量为A原子%时，导电率σ（%IACS）在以下范围内，σ≤{1.7241/（-0.0347×A2+0.6569×A+1.7）}×100。该电子器件用铜合金的另一形态包括Cu、Mg及Zn的三元系合金，该三元系合金以3.3原子%以上6.9原子%以下的范围包含Mg，以0.1原子%以上10原子%以下的范围包含Zn，剩余部分只包括Cu及不可避免杂质，当Mg的含量为A原子%，Zn的含量为B原子%时，导电率σ（%IACS）在以下范围内，σ≤{1.7241/（X+Y+1.7）}×100，X=-0.0347×A2+0.6569×A，Y=-0.0041×B2+0.2503×B。
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