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公开(公告)号：CN115244196A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018288.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，并且剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，在将加压压力设为0.6MPa、将加热温度设为850℃、将加热温度下的保持时间设为90分钟的条件下实施加压热处理后，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为500μm以下。
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公开(公告)号：CN114302975B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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公开(公告)号：CN111771005A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980015712.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金包含Mg：0.15质量％以上且小于0.35质量％及P：0.0005质量％以上且小于0.01质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg量〔Mg〕与P量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的0J.25≤与所0.4有5。晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))
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公开(公告)号：CN107636179B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680032194.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率大于75％IACS，并且根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。也可以还包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。
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公开(公告)号：CN105452502A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480045246.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/00 , H01B5/02 , H01R13/03
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用零件、端子及母线，所述电子电气设备用铜合金具有以下组成，即含有0.01质量％以上且小于0.11质量％的Zr、0.002质量％以上且小于0.03质量％的Si，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Zr的含量(质量％)与Si的含量(质量％)之比Zr/Si设在2以上且30以下的范围内。
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