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公开(公告)号：CN115735013A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045904.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5masppm以下，As的含量为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN115362546A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025039.7
申请日：2021-03-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的金属基底基板具备金属基板、层叠于所述金属基板的一个面的绝缘层、及层叠于所述绝缘层的与所述金属基板侧相反的一侧的面的电路层，该金属基底基板的特征在于，所述电路层由半软化温度为100℃以上且150℃以下的金属形成，所述绝缘层包含树脂，所述绝缘层的厚度t(μm)和所述绝缘层在100℃时的弹性模量E(GPa)的关系满足下述式(1)。式(1)：t/E>10。
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公开(公告)号：CN114761590A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082244.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，小倾角晶界及亚晶界的长度LLB与大倾角晶界的长度LHB具有LLB/(LLB+LHB)＞20％的关系。
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公开(公告)号：CN114761589A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082235.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，平均晶体粒径在10μm以上且100μm以下的范围内，导电率为90％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为50％以上。
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公开(公告)号：CN114302975A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788320A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015759.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随(N机FJ晶2/(界1‑的NFJJ23)与)0所.5≤有0晶.45界。三重点的比例NFJ2满足0.20＜
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公开(公告)号：CN104822854B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201380062982.0
申请日：2013-12-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子，本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量％且小于23.0质量％的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.100质量％的Fe、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.500、3.0＜(Ni+Fe)/P＜100.0、0.10＜Sn/(Ni+Fe)＜5.0，且H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，S的含量为50质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN104411845B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280074411.4
申请日：2012-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱电线工业株式会社
Abstract: 本发明的铜合金线由含有Co、P及Sn的析出强化型铜合金构成，通过观察刚刚实施中间时效热处理之后的剖面组织所观察到的析出物的平均粒径为15nm以下，且粒径为5nm以下的析出物的个数为所观察到的所有析出物的10％以上，在该中间时效热处理之后，进行冷加工及最终时效热处理。
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公开(公告)号：CN104919066A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380069880.1
申请日：2013-07-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/04 , C22F1/08 , C25D5/505 , H01B13/0016 , H01L2224/45147 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.5质量ppm以上且小于10质量ppm的Fe、0.001质量％以上且小于0.10质量％的Co、0.001质量％以上且0.10质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，而且作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜(Ni+Fe)/P＜15、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜5，并且包括含有选自Fe、Co及Ni中的至少一种元素以及P的析出物。
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公开(公告)号：CN115735018B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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