-
公开(公告)号：CN102422424A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020502.0
申请日：2010-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
Abstract: 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。
-
公开(公告)号：CN102414796A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
-
公开(公告)号：CN102334176A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009653.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/02529 , H01L21/02609 , H01L21/187 , H01L29/7802
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。
-
公开(公告)号：CN102326231A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
-
公开(公告)号：CN102308370A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148141A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110006321.9
申请日：2007-11-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20)，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。
-
公开(公告)号：CN102137961A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002480.5
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , C01B21/0632 , C01P2002/90 , C01P2006/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
-
公开(公告)号：CN101312164A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810130622.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
-
公开(公告)号：CN1248320C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03125145.5
申请日：2003-05-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 藤原伸介
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/08 , H01L33/285 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种白色发光元件，包括发生340～400nm紫外光的InGaN-LED，含有1×1017cm-3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收InGaN-LED的紫外光发射蓝色光荧光的块状ZnS第一荧光板，和含有1×1017cm-3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收一部分上述蓝色光荧光发射黄色光荧光的块状ZnSSe第二荧光板，将第一荧光板ZnS结晶发出的蓝色光和第二荧光板ZnSSe发出的黄色光混合合成白色光线。并将含有1×1017cm-3以上Al、Ga、In、Cl、Br和I中任何杂质元素的ZnSSe制成块状的荧光板或以粉末状固化的荧光板，与发生410～470nm蓝色光的InGaN-LED组合，由蓝色光激发ZnSSe荧光板使之发生黄色光，将其二种光混合成白色光。
-
公开(公告)号：CN1715461A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510075594.3
申请日：2005-06-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 藤原伸介
CPC classification number: C30B23/00 , C30B29/403
Abstract: 破裂被减轻以及利用率和成本效率得到改善的AlGaInN单晶晶片。一种六方晶的AlxGayIn1－(x+y)N (0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1)单晶晶片，其特征在于，该晶片具有厚度T(cm)和具有表面积为S(cm2)的主面，该面积S和厚度T满足条件S≥10cm2和0.006S≥T≥0.002S。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.041 seconds)
