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公开(公告)号：CN111542880B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980007097.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/4074 , G11C5/14 , G11C7/04 , G11C11/405 , G11C29/50 , H10B12/00 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以取得晶体管的阈值电压的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第一电容器、第一输出端子、第一开关以及第二开关。第一晶体管的栅极与源极电连接。第一电容器的第一端子与源极电连接。第一电容器的第二端子及第一输出端子与第一晶体管的背栅极电连接。第一开关控制向背栅极的第一电压的输入。第一晶体管的漏极被输入第二电压。第二开关控制向源极的第三电压的输入。
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公开(公告)号：CN118696615A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021494.9
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括新颖半导体装置的存储装置。该存储装置包括具有晶体管和电容器的存储单元以及导电体。晶体管包括源电极和漏电极中的一个、源电极和漏电极中的另一个、第一栅极绝缘体以及第一栅电极。电容器包括一个电极、配置在一个电极上的介电质以及配置在介电质上的另一个电极。晶体管的源电极和漏电极中的一个的顶面以及侧面与导电体接触，晶体管的源电极和漏电极中的另一个的顶面与电容器的一个电极接触。介电质包含铁电材料。
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公开(公告)号：CN118679863A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380021300.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B41/70
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置，包括：包括电容器及电容器上的晶体管的存储单元；电容器上的第一绝缘体；以及第一绝缘体上的第二绝缘体，晶体管包括：第一绝缘体下的第一导电体；接触于第一导电体的顶面的氧化物半导体；配置在第一绝缘体与第二绝缘体间且接触于氧化物半导体的第二导电体；氧化物半导体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第一绝缘体、第二导电体及第二绝缘体中形成有到达第一导电体的第一开口，氧化物半导体的至少一部分、第三绝缘体的至少一部分及第三导电体的至少一部分配置在第一开口内，电容器包括：第四导电体；第四导电体上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第一导电体。
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公开(公告)号：CN118633361A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019558.1
申请日：2023-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置。该存储装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极及第二电极。第二电容器包括第一电极及第三电极。第一晶体管的源极和漏极中的一方与第二电极电连接。第二晶体管的源极和漏极中的一方与第三电极电连接。第三晶体管的栅极与第二电极电连接。第一电极分别具有与第二电极、第三电极、第一晶体管及第二晶体管重叠的部分并被供应固定电位或接地电位。
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公开(公告)号：CN118575282A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017879.8
申请日：2023-01-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。第一晶体管至第二晶体管共同包括第一绝缘体上的第一金属氧化物及第一金属氧化物上的第一导电体，第一晶体管包括第一金属氧化物上的第二导电体及第二绝缘体以及第二绝缘体上的第三导电体，第二晶体管包括第一金属氧化物上的第四导电体及第三绝缘体以及第三绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体的侧面包括与第四导电体接触的部分，第四导电体的端部包括位于第一绝缘体的端部的外侧的部分，第二绝缘体位于第一导电体与第二导电体之间，金属氧化物与第三导电体隔着第二绝缘体重叠，第三绝缘体位于第一导电体与第四导电体之间，并且金属氧化物与第五导电体隔着第三绝缘体重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117730419A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280048397.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H10B41/70 , H01L27/088 , H01L27/06 , H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 提供一种电特性不均匀少的晶体管。晶体管包括第一至第四导电体、第一至第十绝缘体以及氧化物。第三至第五绝缘体位于第二绝缘体上，第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第二导电体的侧面及顶面以及第三导电体的侧面及顶面接触的区域，第一导电体与氧化物及第四导电体重叠，第三绝缘体与氧化物及第四导电体重叠，第四绝缘体与氧化物及第二导电体重叠，第五绝缘体与氧化物及第三导电体重叠，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面分别接触，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。
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公开(公告)号：CN116438634A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180071444.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/318
Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域，金属氮化物膜具有铁电性，金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮，第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素，第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素，第一导电体和第二导电体都包含氮，第一绝缘体包含铝及氧，并且，第二绝缘体包含硅及氮。
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公开(公告)号：CN116368602A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180067590.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种存储容量大的存储装置。提供一种可靠性高的存储装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的第一导电层、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的结构体、第一绝缘层及第二绝缘层。结构体包括功能层、半导体层、第三绝缘层及第二导电层。在第一导电层与结构体的交叉部，以第二导电层为中心的方式呈同心圆依次配置第三绝缘层、半导体层及功能层。此外，第一绝缘层及第二绝缘层在第二方向上层叠。功能层及第一导电层配置在第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导电层、第三绝缘层及半导体层具有位于设置在第一绝缘层的第一开口的内侧的部分以及位于设置在第二绝缘层的第二开口的内侧的部分。
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公开(公告)号：CN116325125A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180069527.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在具有新颖结构的包括具有铁电电容器的存储单元的半导体装置中，包括第一晶体管(500A)、第二晶体管(500B)、第一电容(600A)、第二电容(600B)以及布线(401)。第一晶体管与第一电容电连接。第二晶体管与第二电容电连接。布线位于第一晶体管及第二晶体管的下方并与第一晶体管或第二晶体管电连接。第一电容及第二电容都包括铁电层(630)。第一电容、第二电容配置在同一平面上。第一电容和第二电容也可以具有彼此重叠的区域。优选第一晶体管和第二晶体管都在沟道中包含氧化物半导体。铁电层优选包含选自铪、锆和III‑V族元素中的一个或多个。
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公开(公告)号：CN115777239A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180047722.0
申请日：2021-07-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种包括第一半导体的氧化物半导体、第二半导体的硅及在第一方向上连续的多个存储单元的半导体装置，一个存储单元包括写入用晶体管及读出用晶体管。第一半导体及第二半导体在第一方向上延伸，第一半导体的一部分被用作写入用晶体管的沟道形成区域，第二半导体的一部分被用作读出用晶体管的沟道形成区域。第二半导体具有与包含第一金属元素的第一层接触的区域。
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