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公开(公告)号：CN115136311A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015588.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/786 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 提供一种小型且高功能的摄像装置。本发明是一种摄像装置，包括设置在硅衬底上的光电转换器件以及在设置在该硅衬底上的硅外延生长层中具有沟道形成区域的晶体管。设置在外延生长层中的晶体管的电特性良好，所以可以形成噪声较少的摄像装置。另外，该晶体管可以以具有与光电转换器件重叠的区域的方式形成，所以可以使摄像装置小型化。
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公开(公告)号：CN114631145A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076080.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/404 , G11C11/405 , G06F13/16 , G06F12/06
Abstract: 提供一种电路面积小且功耗低的信息装置。信息处理装置包括NAND型存储部及控制器。此外，存储部包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。
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公开(公告)号：CN114503129A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069823.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 半导体装置包括CPU及加速器。加速器包括第一存储电路、驱动电路以及积和运算电路。第一存储电路包括第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部。第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部各自包括第一晶体管。第一晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一数据保持部所保持的第一数据及第二数据保持部所保持的第二数据是输入到积和运算电路的权重数据。积和运算电路具有对权重数据与通过驱动电路被输入的输入数据进行积和运算的功能。积和运算电路及驱动电路各自包括第二晶体管。第二晶体管在沟道形成区域中包含硅。第一晶体管与第二晶体管层叠而设置。
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公开(公告)号：CN114303315A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080058947.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有根据供应到第一晶体管的背栅极的电位而改变从第一输出端子输出的电位的功能。
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公开(公告)号：CN114258633A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080058912.8
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括其精度得到提高的放大器的半导体装置。半导体装置包括开关、电容器、斩波电路及放大器。放大器包括非反相输入端子、反相输入端子、反相输出端子及非反相输出端子，半导体装置具有使用开关及电容器采样并保持在第一期间被输入的第一电位及第二电位的功能。斩波电路分别设置于放大器的输入端子一侧及输出端子一侧，第一电位及第二电位在第二期间分别输入到非反相输入端子和反相输入端子中的任意个。在第三期间，第一电位及第二电位输入到非反相输入端子和反相输入端子中的与第二期间不同的输入端子。与反相输出端子及非反相输出端子同样地，在第二期间及第三期间用斩波电路进行调换，从半导体装置输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114097083A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080048944.X
申请日：2020-06-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G09G3/3225
Abstract: 本发明的一个方式提供一种显示不均匀少的显示装置。上述显示装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括排列成m行n列(m及n分别为1以上的整数且m与n的乘积为2以上)的第一电路。第二层包括排列成m行n列的像素块，各像素块包括排列成a行b列(a及b分别为1以上的整数)的像素。另外，像素块包括与像素电连接的第一布线及第二布线，第i行j列(i为1以上且m以下的整数，j为1以上且n以下的整数)的像素块所包括的第一布线及第二布线与第i行j列的第一电路电连接。第一布线具有将来自第一电路的输入信号供应到像素的功能，第二布线具有将来自像素的输出信号供应到第一电路的功能。
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公开(公告)号：CN113169546A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980081413.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 防止在过放电状态下因关态泄漏电流导致的急速劣化。为了避免电池成为过放电状态，利用使用氧化物半导体的晶体管构成低泄漏电流的控制电路，从而保持二次电池的特性。另外，构成控制信号生成电路也一体化的系统。通过该系统结构，根据过放电检测后的电路工作使控制电路进入低功耗模式。此外，当从过放电状态恢复时，根据充电开始时的电压上升使控制电路进入通常工作模式。
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公开(公告)号：CN112840669A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066949.2
申请日：2019-10-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04R3/00 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786 , H03M1/12 , H04R1/40
Abstract: 提供一种能够使用模拟信号进行声源分離而无需A/D转换电路的半导体装置。半导体装置包括多个麦克风、多个延时电路以及信号处理电路。多个麦克风分别与延时电路电连接，多个延时电路的输出信号输入到信号处理电路。延时电路包括多个能够保持模拟电位的信号保持电路，并具有将麦克风所输出的电信号作为离散模拟信号保持在信号保持电路中以在与麦克风所输出的时间不同的时间输出信号的功能。信号处理电路具有合并多个延时电路的输出信号的功能。
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公开(公告)号：CN112840456A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066810.8
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , A61B5/1171 , H01L51/50 , H04N5/33 , H04N5/369 , H05B33/02
Abstract: 提供一种方便性高的摄像装置。提供一种可靠性高的摄像装置。提供一种方便性高的识别装置。提供一种可靠性高的识别装置。该摄像装置包括衬底、像素阵列、粘合层。衬底具有柔性，像素阵列位于衬底的第一面上，粘合层位于与衬底的第一面相对的第二面上。像素阵列包括受光元件及发光元件。受光元件具有检测红外光的功能，并包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件具有发射红外光的功能，并包括第二像素电极、发光层及公共电极。活性层位于第一像素电极上，并包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上，并包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极包括隔着活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。
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公开(公告)号：CN112840201A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066623.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01N21/27 , A61B5/1455 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/786 , H01L31/12 , H01L51/50 , H04N5/369 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括发光元件和传感器元件并具有柔性的半导体装置。该半导体装置包括传感器装置、处理器及通信装置。传感器装置在具有柔性的衬底上形成有第一像素和第二像素。第一像素包括发光元件和第一晶体管，第二像素包括具有光电转换功能的传感器元件和第二晶体管，发光元件射出的光具有峰波长。传感器元件所检测的波长范围包括该峰波长。第一晶体管的半导体层和第二晶体管的半导体层包含相同的元素，发光元件的像素电极具有与第一晶体管电连接的功能并且能够遮蔽对传感器元件的扩散光。
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