公开(公告)号：CN114868255A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080090636.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  神保安弘 ,  惠木勇司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。半导体装置包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上及第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体、在氧化物上且配置于第一导电体与第二导电体之间的第五绝缘体、第五绝缘体上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第三导电体，第三导电体包括与氧化物重叠的区域，第五绝缘体包括与氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体至第四绝缘体接触的区域，第五绝缘体包含氮、氧及硅。

公开(公告)号：CN110993829B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201911097742.X

申请日：2014-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大野正胜 ,  横山浩平 ,  井户尻悟 ,  池田寿雄 ,  神保安弘 ,  安达广树 ,  平形吉晴 ,  江口晋吾

IPC: H01L51/56 ,  B32B17/06 ,  B65G49/06

Abstract: 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。

公开(公告)号：CN114616677A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080075441.1

申请日：2020-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  金川朋贤

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极地配置的层间绝缘膜、以及氧化物半导体膜上的栅电极，其中层间绝缘膜以与源电极与漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，源电极及漏电极具有压缩应力。

公开(公告)号：CN107026244B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201710028451.X

申请日：2017-01-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  岩城裕司 ,  伊藤港 ,  镰田太介

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种高可靠性显示装置。提供一种能够反复弯折的柔性显示器。一种包括第一衬底、第二衬底、显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层的显示装置。第一衬底与第二衬底设置为彼此相对。显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层位于第一衬底与第二衬底之间。显示元件位于第一衬底与粘合层之间。遮光层位于第二衬底与粘合层之间。第一阻挡层包括位于遮光层与粘合层之间的区域。另外，第一阻挡层包含杨氏模量高于遮光层或粘合层的材料。

公开(公告)号：CN103456686B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310052224.2

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN105493631A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047352.0

申请日：2014-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 熊仓佳代 ,  青山智哉 ,  千田章裕 ,  横山浩平 ,  大野正胜 ,  井户尻悟 ,  池田寿雄 ,  安达広树 ,  平形吉晴 ,  江口晋吾 ,  神保安弘

IPC: H05B33/10 ,  B65G49/06 ,  H01L21/677 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: B32B43/006 ,  B26D1/04 ,  B26D2001/006 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/00 ,  G02B6/00 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1933 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1967

Abstract: 提供一种叠层体的加工装置。该叠层体包括其端部之间有间隙且彼此贴合在一起的两个衬底。该加工装置包括固定叠层体的一部分的固定机构、固定叠层体的一个衬底的外边缘部的多个吸附器具、以及插在叠层体的角部的楔形器具。多个吸附器具包括可以使各吸附器具沿垂直方向及水平方向独立地移动的机构。该加工装置还包括检测叠层体端部的间隙位置的传感器。楔形器具的尖端沿着形成在叠层体的端面的倒角部分移动。该楔形器具插在叠层体的端部的间隙中。

公开(公告)号：CN101038857B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN200710085416.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  神保安弘 ,  藤井严 ,  木村肇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。

公开(公告)号：CN101667599B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200910173699.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  加藤高之 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。

公开(公告)号：CN102176427A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110043999.4

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/77 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN101271827B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710185774.6

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0732 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70291 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。