曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法

    公开(公告)号:CN108535966A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810163638.5

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻,通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量,在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻,停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为,高于1%且低于大气中的氧浓度,使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。

    基板处理方法
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108428625A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810095258.2

    申请日:2018-01-31

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,处理涂覆有定向自组装材料的基板,该基板处理方法具备加热工序和冷却工序。加热工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境,并且使基板位于加热位置,从而加热基板以使定向自组装材料相分离。冷却工序将处理容器内保持为非氧化性气体环境,使基板位于与加热位置相比离加热部远的处理容器内的冷却位置,向处理容器内供给非氧化性气体,并且排出处理容器内的气体,从而冷却基板。

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