公开(公告)号：CN203080057U

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201220694213.5

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 林达也 ,  姜友松 ,  佐藤望 ,  盐野一郎 ,  长江亦周

IPC: C23C14/30

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而能够稳定地动作。对于离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极部位于相对于基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，所述离子源的电极中心与使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离（L）相对于所述基体保持构件的直径（D）的比（L/D）在0.3以上、0.5以下的范围。

公开(公告)号：CN202968674U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220694147.1

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 林达也 ,  姜友松 ,  盐野一郎 ,  长江亦周

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，在调整形成于基板的薄膜的膜厚的同时提高了蒸镀材料的利用效率。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；基板保持器（2）和基板保持器保持部件（3），它们收纳于所述真空槽（1）内；以及蒸镀源，其在真空槽（1）中配置于基板保持器（2）的下方位置，作为蒸镀源，具备蒸镀彼此相同的蒸镀材料的第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5），第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5）各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。

公开(公告)号：CN202898525U

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201220563784.5

申请日：2012-10-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 宫内充祐 ,  林达也 ,  盐野一郎 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/26

Abstract: 本实用新型提供一种能够形成耐磨损性和紧贴性最佳化的防污膜的薄膜形成装置。一种在真空室内在基板的最表层形成防污性薄膜的薄膜形成装置。其具备：配设于真空容器内并保持多个基板的基板保持单元；使基板保持单元旋转的旋转单元；面对基板而设置的至少一个蒸镀单元；以及对基板照射能量的能量源。能量源配置在处于如下范围的位置：基板保持单元的旋转中心和能量源的分离部的中心之间的铅直方向的距离（H）与基板保持单元的直径（D）之比（H/D）为0.25以上且0.50以下的范围。