公开(公告)号：CN1706007A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101906.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/12 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01L27/10 ,  H01L41/18

Abstract: 一种由AB1－XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。

公开(公告)号：CN113696632A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110538520.8

申请日：2021-05-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  吉田俊辅 ,  板山泰裕 ,  清水稔弘 ,  中山雅夫

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/01

Abstract: 本发明提供提高压电元件的响应性的压电元件、液体喷出头及液体喷出装置。压电元件具有第一电极；第二电极；压电体，其被配置在第一电极与第二电极间，在将压电体中所产生的电荷为饱和状态的情况下的施加于第一电极与第二电极之间的正电压设为饱和正电压、且将压电体中所产生的电荷为饱和状态的情况下的施加于第一电极与第二电极间的负电压设为饱和负电压时，在使被施加于第一电极与第二电极间的电压从饱和负电压逐渐变化至饱和正电压的情况下，基于压电体中所产生的电荷的电流依次经由随着该电压升高而电流变大的第一路径、随着该电压升高而电流变小的第二路径、随着该电压升高而电流变大的第三路径、随着该电压升高而电流变小的第四路径而变化。

公开(公告)号：CN107112412A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480084297.2

申请日：2014-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 角浩二 ,  北田和也 ,  酒井朋裕 ,  滨田泰彰 ,  一色铁也 ,  木村里至 ,  伊藤彰雄 ,  半田恒雄

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/00 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0474 ,  H01L41/39

Abstract: 一种压电材料，含有第1成分、第2成分和第3成分，其中，第1成分在单独组成时为菱方晶系，居里温度为Tc1且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成，第2成分在单独组成时为菱方晶系以外的晶体，居里温度Tc2比上述Tc1高且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成，第3成分在单独组成时为菱方晶系，居里温度Tc3为上述Tc2以上，由具有钙钛矿型结构且与上述第1成分不同的非铅系的复合氧化物构成，将上述第3成分相对于上述第1成分和上述第3成分的合计的摩尔比设为α，α×Tc3+(1－α)×Tc1＝Tc4时，|Tc4－Tc2|为50℃以下。

公开(公告)号：CN102189795B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201110050726.2

申请日：2011-03-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰

IPC: B41J2/045 ,  H01L41/083

CPC classification number: B41J2/055 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/2633 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。所述液体喷射头具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设置于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，在(110)面优先取向，并且，来自所述(110)面的X射线衍射峰位置(2θ)为31.80°～32.00°。

公开(公告)号：CN102044628A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010517412.4

申请日：2009-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/08 ,  B41J2/045

CPC classification number: H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1645 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fe1-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。

公开(公告)号：CN100456493C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510067657.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/495 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种具有强电介质层的MFS型场效应晶体管及其制造方法，其中，MFS型场效应晶体管(100)包括：半导体层(10)；形成于半导体层(10)上的PZT系强电介质层(15)；形成于PZT系强电介质层(15)上的栅极(16)；形成于半导体层(10)上、且构成源极或者漏极的杂质层(14)。而且，PZT系强电介质层(15)，将Ti成分中的2.5摩尔%以上40摩尔%以下置换为Nb。由此，本发明很难引基于漏电流或者去极而引起保持损失。

公开(公告)号：CN100383924C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。

公开(公告)号：CN100339996C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410031794.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健 ,  柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质材料，在以通式ABO3表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分；该原料含有钛酸锆酸铅；添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为A部位补偿成分；添加有至少取5价状态的元素作为B部位补偿成分；取2价状态的元素的添加量是相对A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取5价状态的元素的添加量是相对B部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取2价状态的添加量、取3价状态的添加量、取5价状态的添加量的合计是对A部位和B部位的全部构成元素的5摩尔%～40摩尔%。

公开(公告)号：CN1983462A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610172524.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22 ,  C01G33/00

Abstract: 一种强电介质膜的制造方法，包括使用溶胶凝胶溶液形成强电介质膜的工序，使用至少混合PbZrO3用溶胶凝胶溶液、PbTiO3用溶胶凝胶溶液和PbNbO3用溶胶凝胶溶液的溶液作为所述溶胶凝胶溶液。

公开(公告)号：CN1797770A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510134101.9

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G33/00 ,  C01G29/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/768 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法，本发明涉及的铁电膜(101)的制造方法包括：(a)将含有铌元素的多元羧酸盐、含铋元素的多元羧酸盐、多元羧酸或多元羧酸酯、和有机溶剂混合的工序；(b)将混合的溶液涂布在基体上之后进行热处理，由此形成由BiNbO4构成的铁电膜的工序。根据本发明，可以提供不含铅的可靠性高的铁电体及其制造方法、铁电体电容器以及铁电存储器。