公开(公告)号：CN210579221U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921532050.9

申请日：2019-09-16

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 张永强 ,  唐行明 ,  梅嘉欣 ,  李刚

IPC: H04R19/04

Abstract: 本实用新型提供一种硅麦克风，其包括外壳，所述外壳上具有一进音孔；基板，与所述外壳形成容纳腔，所述进音孔与所述容纳腔连通，所述基板的一表面具有一凹腔，所述凹腔具有开口；声学组件，位于所述容纳腔内，且设置在所述基板的表面，所述声学组件包括MEMS传感器，所述MEMS传感器覆盖所述开口，所述凹腔作为所述MEMS传感器的扩展后室，所述进音孔与所述MEMS传感器之间的区域作为所述MEMS传感器的前室。本实用新型优点是，在基板上形成凹腔，扩大了MEMS传感器的后室的容积，即后室的空气容积增大，自进音孔进入的声波更容易推动MEMS传感器的振膜运动，从而提高硅麦克风的灵敏度及信噪比，同时还能够提高硅麦克风的频响性能。

公开(公告)号：CN210579220U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921432707.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李刚 ,  张永强 ,  梅嘉欣 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H04R19/04 ,  H05F3/02

Abstract: 本实用新型提供一种抗静电基板及采用该抗静电基板的硅麦克风，所述抗静电基板包括绝缘基体及贯穿所述绝缘基体的声孔，所述基板还包括：导电连接层，所述导电连接层设置在所述声孔侧壁；至少两层导电层，横向设置在所述绝缘基体中，并通过所述导电连接层电连接，在所述绝缘基体上表面，最上层导电层位于所述声孔周围的区域被暴露，形成静电传导环，在所述绝缘基体下表面，最下层导电层的部分区域被暴露，形成电接触区，所述电接触区能够通过导电装置接地；声孔周围产生的静电能够经所述静电传导环、所述导电连接层及所述电接触区传导至接地处。本实用新型的优点是，能够快速消除基板上方的静电，避免其影响器件性能。

公开(公告)号：CN210579087U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921559485.2

申请日：2019-09-19

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 唐行明 ,  梅嘉欣 ,  张永强 ,  张敏

IPC: H04R1/08 ,  H04R19/04

Abstract: 一种硅麦克风封装结构及一种电子设备，所述硅麦克风封装结构包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面；封装壳体，设置于所述基板的第一表面上，与所述基板之间构成腔体；MEMS芯片，设置于所述腔体内；声孔，连通所述腔体内外部；导电防尘膜片，覆盖整个所述声孔。上述硅麦克风封装结构能够改善静电失效问题。