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公开(公告)号：KR1020160020260A
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020140105355
申请日：2014-08-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/41708 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 본개시는제1 도전형의드리프트층; 상기드리프트층의하부에형성되는제2 도전형의콜랙터층; 및상기콜랙터층의하부의적어도일부에형성되며, 상기콜랙터층과정류성(整流性)의접합을가지는금속으로형성되는콜랙터전극;을포함하는전력반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及能够通过实现集电极层和集电极之间的整流结而调整空穴量的功率半导体装置。 功率半导体器件包括：第一导电漂移层; 形成在漂移层下部的第二导电集电极层; 以及集电极，其形成在集电体层的下部的至少一部分中，并且由与集电体层整流的金属制成。
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公开(公告)号：KR101539880B1
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020140000244
申请日：2014-01-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/063 , H01L29/1095 , H01L29/7397
Abstract: 본개시는온-동작시에형성되는채널을통해전류가흐르는활성영역; 상기활성영역의주변에형성되는단부영역; 상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터상기단부영역방향으로길게형성되는제1 도전형의제1 반도체영역 ; 및상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터길게형성되고, 상기제1 반도체영역과교번하여형성되는제2 도전형의제2 반도체영역;을포함하는전력반도체소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150076768A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165331
申请日：2013-12-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/74 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: 본개시는제1 도전형의제1 반도체영역; 상기제1 반도체영역에형성되며, 너비방향으로제1 도전형의제2 반도체영역과제2 도전형의제3 반도체영역이교대로형성되어있는리써프영역; 상기제1 반도체영역에형성되며, 상기리써프영역의상부에접하도록형성되며, 상기제1 반도체영역의불순물농도보다높은불순물농도를갖는제1 도전형의제1 커버영역; 상기제1 반도체영역의상부에형성되는제2 도전형의제4 반도체영역; 상기제4 반도체영역의상부내측에형성되는제1 도전형의제5 반도체영역; 및상기제5 반도체영역부터상기제1 반도체영역의상부의일부까지관입하여형성되며, 표면에형성되는게이트절연층과내부에충전되는도전성물질을포함하는트랜치게이트;를포함하는전력반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括：第一导电类型的第一半导体区域; 形成在所述第一半导体区域上并且在宽度方向上交替形成有所述第一导电类型的第二半导体区域和第二导电类型的第三半导体区域的复原区域; 形成在第一半导体区域上的第一导电类型的第一覆盖区域与复原区域的上侧接触，杂质浓度高于第一半导体区域的杂质浓度; 形成在第一半导体区域的上侧的第二导电类型的第四半导体区域; 所述第一导电类型的第五半导体区域形成在所述第四半导体区域的上侧的内侧; 以及沟槽栅极，其从第五半导体区域通过到第一半导体区域的上侧的一部分，并且包括形成在其表面上的栅极绝缘层和填充在其内部的导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150076715A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165240
申请日：2013-12-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L23/367 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 본개시는제1 도전형의제1 반도체층; 상기제1 반도체층의상부에형성되는제2 도전형의제2 반도체층; 상기제2 반도체층의상면에서부터상기제2 반도체층의일부까지관입하여형성되고, 표면에절연층이형성되는방열트랜치;를포함하는전력반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括第一导电类型的第一半导体层，形成在第一半导体层的上侧的第二导电类型的第二半导体层和通过的散热沟槽 通过第二半导体层的上侧到第二半导体层的一部分，并且在其表面上包括绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020150061972A
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130146404
申请日：2013-11-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 본개시는온-동작시에형성되는채널을통해전류가흐르는활성영역; 상기활성영역의주변에형성되는단부영역; 상기활성영역에형성되며, 일방향으로길게형성되는복수의제1 트랜치; 및상기단부영역에형성되며, 일방향으로길게형성되는적어도하나이상의제2 트랜치;를포함하고, 상기제2 트랜치는상기제1 트랜치에비해깊게형성되는전력반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本公开涉及功率半导体器件。 它包括有源区，其中电流流过在操作中形成的通道，形成在有源区周围的端部区域; 第一沟槽形成在有源区域中并沿一个方向延伸; 以及形成在端部区域中并沿一个方向延伸的至少两个第二沟槽。 第二沟槽的深度比第一沟槽深。
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公开(公告)号：KR1020150061971A
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130146403
申请日：2013-11-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 본개시는제1 도전형의제1 반도체영역; 상기제1 반도체영역의상부에형성되는제2 도전형의제2 반도체영역; 상기제2 반도체영역의상부내측에형성되는제1 도전형의제3 반도체영역; 상기제3 반도체영역으로부터상기제1 반도체영역까지관입하여형성되며, 표면에형성되는게이트절연층및 내부에충전되는도전성물질을포함하는트랜치게이트; 및상기제2 반도체영역의상부로부터상기제2 반도체영역을관통하여형성되는제2 도전형의제4 반도체영역;을더 포함하는전력반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括第一导电类型的第一半导体区域，形成在第一半导体区域的上侧的第二导电类型的第二半导体区域，第一半导体区域的第一半导体区域 导电型，形成在第二半导体区域的上侧的内侧，形成为从第三半导体区域通过到第一半导体区域并且在其表面上包括栅极绝缘层的沟槽栅极， 填充在内部的导电材料和形成为从第二半导体区域的上侧穿过第二半导体区域的第二导电类型的第四半导体区域。
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公开(公告)号：KR101514537B1
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130094957
申请日：2013-08-09
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 본 발명은 제1 도전형의 제1 드리프트 층; 상기 드리프트 층의 두께 방향의 상부에 형성되며, 폭 방향으로 제1 도전형의 제1 반도체 영역과 제2 도전형의 제2 반도체 영역이 교번하여 형성되는 제1 내지 n 리써프 층; 상기 제n 리써프 층의 두께 방향의 상부에 형성되는 제1 도전형의 제2 드리프트 층; 상기 제2 드리프트 층에 형성되며, 상기 제2 반도체 영역의 상부에 형성되는 제2 도전형의 웰 영역; 상기 웰 영역의 상부에 형성되는 제1 도전형의 소스 영역;을 포함하고, 상기 제1 내지 n 리써프 층에 형성되는 상기 제2 반도체 영역의 폭 방향으로 가장 긴 부분의 길이를 P이라고 할 때, P
n
-1 n (단, n≥2)인 전력 반도체 소자에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020150031668A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111140
申请日：2013-09-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0615 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7397
Abstract: 본 발명은 트랜치 게이트가 형성되어 있는 제1 도전형의 드리프트 층; 상기 드리프트 층의 상부에 상기 트랜치 게이트에 접하도록 형성되는 제2 도전형의 웰 영역; 상기 웰 영역의 상부에 상기 트랜치 게이트에 접하도록 형성되는 제1 도전형의 소스 영역; 및 높이 방향으로 상기 소스 영역의 최하부 높이보다 아래 쪽에 형성되는 소자 보호 영역;을 포함하는 전력 반도체 소자에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种功率半导体器件，它包括：形成沟槽栅的第一导电类型的漂移层; 第二导电类型的阱区，形成为与漂移层的上部上的沟槽栅极接触; 形成为与所述阱区域的上部与所述沟槽栅极接触的第一导电类型的源极区域; 以及在高度方向上形成为源区域的最低部分的高度的装置保护区域。
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