公开(公告)号：KR1020160005928A

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：KR1020140085052

申请日：2014-07-08

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 모규현 ,  서동수 ,  장창수 ,  박재훈 ,  송인혁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7804

Abstract: 본개시의일 실시예에따른전력반도체소자는제1 도전형의반도체기판; 상기반도체기판상부에배치되며, 제1 도전형필러(pillar)와제2 도전형필러가교대로배열되는수퍼정션(super junction)부; 및상기제1 도전형필러상부에배치되는 3차원게이트부;를포함할수 있다. 상기제1 도전형필러상부에상기 3차원게이트가배치됨으로써, 상기제1 및제2 도전형필러의폭을감소시킬수 있어소자사이즈를효과적으로감소시킬수 있다.

Abstract translation: 根据本公开的实施例的功率半导体器件可以包括第一半导体衬底; 配置在所述第一半导体基板的上部的超接合部，具有交替配置的第一导电型支柱和第二导电型支柱， 以及设置在第一导电型支柱的上部的三维门部。 三维门部分布置在第一导电型柱的上部，以减小第一和第二导电型柱的宽度，从而有效地减小了装置尺寸。

公开(公告)号：KR1020160003379A

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：KR1020140081591

申请日：2014-07-01

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  장창수 ,  모규현 ,  송인혁

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7621 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7397

Abstract: 본개시의일 실시형태의전력반도체소자는베이스층 및상기베이스층의상부에배치된표면반도체층을포함하는제1 도전형의드리프트영역, 상기베이스층의상부에배치되되상기표면반도체층의내부에매립되며, 개구부를포함하는필드절연막및 상기베이스층의하부에배치된제2 도전형의콜렉터영역을포함할수 있다. 상기드리프트영역내에필드절연막이형성됨으로써, 필드절연막은정공의이동을제한함으로써전력반도체소자의도통손실을최소화할수 있다.

Abstract translation: 根据本公开的实施例的功率半导体器件可以包括第一导电型漂移区，其包括基底层和表面半导体层，布置在基底层的上部中的场绝缘层被埋在 表面半导体层，并且包括开口部分和布置在基底层的下部中的第二导电类型的集电极区域。 因为场绝缘层形成在漂移区域中，所以场绝缘层限制了空穴的移动，从而可以使功率半导体器件的导通损耗最小化。

公开(公告)号：KR1020150123638A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020140050283

申请日：2014-04-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 장창수 ,  김지혜 ,  모규현 ,  서동수 ,  윤선재

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/861 ,  H01L21/761 ,  H01L29/8605

Abstract: 본개시는제1 도전형의드리프트층; 상기드리프트층의상부에형성되는제2 도전형의바디영역; 상기드리프트층의하부내측에형성되며, 서로이격되어형성되는복수의제2 도전형의제1 반도체영역; 및상기드리프트층의하부내측에형성되며, 상기제1 반도체영역의사이에형성되는제1 도전형의제2 반도체영역;을포함하는반도체소자에관한것이다.

Abstract translation: 本公开涉及一种半导体器件，其包括：第一导电型漂移层; 形成在漂移层的上部的第二导电型体区; 多个第二导电型第一半导体区域，形成在所述漂移层的下部内，并且彼此间隔开形成; 以及形成在所述漂移层的下部内部并形成在所述第二导电型第一半导体区域之间的第一导电型第二半导体区域。

公开(公告)号：KR1020150080776A

公开(公告)日：2015-07-10

申请号：KR1020140000244

申请日：2014-01-02

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  김지혜 ,  모규현 ,  서동수 ,  송인혁

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/739 ,  H01L21/326 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

Abstract: 본개시는온-동작시에형성되는채널을통해전류가흐르는활성영역; 상기활성영역의주변에형성되는단부영역; 상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터상기단부영역방향으로길게형성되는제1 도전형의제1 반도체영역 ; 및상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터길게형성되고, 상기제1 반도체영역과교번하여형성되는제2 도전형의제2 반도체영역;을포함하는전력반도체소자에관한것이다.

Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括有源区域，其中电流流过形成在工作区域上的沟道，形成在有源区周围的端部区域，第一导电类型的第一半导体区域 形成在端部区域上并且从有源区域延伸到端部区域，并且形成在端部区域上的第二导电类型的第二半导体区域从有源区域延伸，并且通过交替地形成 与第一个半导体区域。

公开(公告)号：KR101994728B1

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：KR1020130165242

申请日：2013-12-27

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  김지혜 ,  모규현 ,  오지연 ,  서동수

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

公开(公告)号：KR1020160103365A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020150025766

申请日：2015-02-24

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 모규현

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/66325 ,  H01L2924/13055

Abstract: 본개시의일 실시형태의전력반도체소자는제1 도전형의드리프트영역, 상기드리프트영역의상부내측에배치되는제2 도전형의바디영역, 상기바디영역의하부에배치되며, 상기바디영역보다고농도의불순물농도를갖는제2 도전형의정공축적영역및 상기정공축적영역의하부에배치되되, 상기드리프트영역의내부에매립되는복수의제1 도전형의캐리어이동층을포함할수 있다. 상기게이트이동층을포함함으로써, 캐리어의이동도를증가시킬수 있어소자의고전류밀도를확보할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，功率半导体器件包括：第一导电型漂移区; 布置在所述漂移区域的上部内侧的第二导电类型体区域; 布置在体区的下部的第二导电型空穴积聚区，其中第二导电类型空穴积聚区的杂质浓度高于体区; 以及多个第一导电型载流子移动层，其布置在所述空穴积聚区域的下部并且被埋置在所述漂移区域中。 通过包括栅极移动层来增加载流子的迁移率，从而获得器件的高电流密度。

公开(公告)号：KR1020160047166A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020140143205

申请日：2014-10-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 장창수 ,  서동수 ,  모규현 ,  박재훈 ,  송인혁

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/8605

Abstract: 본개시의일 실시예에따른반도체소자는제1 도전형의바디층; 상기바디층의상부에배치되는제2 도전형의전계제한링; 상기전계제한링의하부에배치되는저항층; 및상기바디층의상부에배치되는제2 도전형의애노드층;을포함할수 있다. 상기전계제한링의하부에저항층이배치됨으로써, 소자의항복전압에유리하게작용하며, 소자의강건성을높일수 있다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括：第一导电型体层; 设置在所述主体层上的第二导电型场限制环; 设置在所述限位环下的电阻层; 以及设置在所述主体层上的第二导电型阳极层。 电阻层设置在场限制环的下方，因此对于器件的击穿电压有利地可以改善器件的耐用性。

公开(公告)号：KR1020150076717A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020130165242

申请日：2013-12-27

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  김지혜 ,  모규현 ,  오지연 ,  서동수

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095

Abstract: 본개시는제1 도전형의제1 반도체영역; 상기제1 반도체영역의상부에형성되는제2 도전형의제2 반도체영역; 상기제2 반도체영역을관통하여, 상기제1 반도체영역의일부까지관입하는게이트트랜치; 및상기게이트트랜치의양측에형성되며, 상기제2 반도체영역의상부내측에형성되는제3 반도체영역; 및상기제3 반도체영역에형성되는소자보호영역;을포함하는전력반도체소자에관한것이다.

Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括第一导电类型的第一半导体区域，形成在第一半导体区域的上侧的第二导电类型的第二半导体区域，从第 所述第二半导体区域到所述第一半导体区域的一部分，形成在所述栅极沟槽的两侧并形成在所述第二半导体区域的上侧的内侧上的第三半导体区域，以及器件保护区域， 形成在第三半导体区域上。

公开(公告)号：KR101539880B1

公开(公告)日：2015-07-27

申请号：KR1020140000244

申请日：2014-01-02

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  김지혜 ,  모규현 ,  서동수 ,  송인혁

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 본개시는온-동작시에형성되는채널을통해전류가흐르는활성영역; 상기활성영역의주변에형성되는단부영역; 상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터상기단부영역방향으로길게형성되는제1 도전형의제1 반도체영역 ; 및상기단부영역에형성되며, 상기활성영역으로부터길게형성되고, 상기제1 반도체영역과교번하여형성되는제2 도전형의제2 반도체영역;을포함하는전력반도체소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150076768A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020130165331

申请日：2013-12-27

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박재훈 ,  모규현 ,  성재규 ,  엄기주 ,  송인혁

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 본개시는제1 도전형의제1 반도체영역; 상기제1 반도체영역에형성되며, 너비방향으로제1 도전형의제2 반도체영역과제2 도전형의제3 반도체영역이교대로형성되어있는리써프영역; 상기제1 반도체영역에형성되며, 상기리써프영역의상부에접하도록형성되며, 상기제1 반도체영역의불순물농도보다높은불순물농도를갖는제1 도전형의제1 커버영역; 상기제1 반도체영역의상부에형성되는제2 도전형의제4 반도체영역; 상기제4 반도체영역의상부내측에형성되는제1 도전형의제5 반도체영역; 및상기제5 반도체영역부터상기제1 반도체영역의상부의일부까지관입하여형성되며, 표면에형성되는게이트절연층과내부에충전되는도전성물질을포함하는트랜치게이트;를포함하는전력반도체소자에관한것이다.

Abstract translation: 本公开涉及一种功率半导体器件，其包括：第一导电类型的第一半导体区域; 形成在所述第一半导体区域上并且在宽度方向上交替形成有所述第一导电类型的第二半导体区域和第二导电类型的第三半导体区域的复原区域; 形成在第一半导体区域上的第一导电类型的第一覆盖区域与复原区域的上侧接触，杂质浓度高于第一半导体区域的杂质浓度; 形成在第一半导体区域的上侧的第二导电类型的第四半导体区域; 所述第一导电类型的第五半导体区域形成在所述第四半导体区域的上侧的内侧; 以及沟槽栅极，其从第五半导体区域通过到第一半导体区域的上侧的一部分，并且包括形成在其表面上的栅极绝缘层和填充在其内部的导电材料。