公开(公告)号：KR100566202B1

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020030064875

申请日：2003-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은화 ,  신동재 ,  이중기 ,  정대광 ,  김준연

IPC: H04B10/50 ,  H04B10/2581

CPC classification number: H04B10/506 ,  H04J14/02

Abstract: 본 발명에 따른 파장분할다중 방식의 광송신기는, 각각 주입된 해당 비간섭광을 증폭하여 해당 채널을 출력하는 복수의 광대역 이득 레이저와; 상기 광대역 이득 레이저들에서 출력된 채널들을 파장분할 다중화하여 광신호를 출력하는 파장분할 다중화기를 포함하며, 상기 각 광대역 이득 레이저는, 문턱 전류에서 40㎚ 이상의 3 ㏈ 대역폭을 갖는 이득 매질과; 상기 비간섭광이 주입되는 상기 이득 매질의 일측에 코팅되며 상대적으로 낮은 반사율을 갖는 무반사층과; 상기 이득 매질의 타측에 코팅되며 상대적으로 높은 반사율을 갖는 고반사층을 포함한다.
파장분할다중, 광송신기, 이득 매질, 레이저

公开(公告)号：KR102061696B1

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：KR1020130133820

申请日：2013-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR102016427B1

公开(公告)日：2019-09-02

申请号：KR1020130108191

申请日：2013-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주성호 ,  김유겸 ,  김준연

IPC: G01R1/067

公开(公告)号：KR101926609B1

公开(公告)日：2018-12-10

申请号：KR1020120062862

申请日：2012-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영조 ,  김재균 ,  김준연 ,  이재원 ,  최효지

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L29/778

Abstract: 웨이퍼의 보우를 줄여서 웨이퍼의 파손 및 변형을 감소시킴과 동시에 발광 파장의 균일도를 향상시킨 질화갈륨계 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 유형에 따른 반도체 소자는, 보론(B)과 게르마늄(Ge)이 동시에 도핑된 실리콘계 기판; 상기 실리콘계 기판 위에 배치된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 배치된 질화물 적층체;를 포함할 수 있다. 여기서 상기 보론(B)의 도핑 농도는 10
19 /cm
3 보다 높으며, 상기 게르마늄(Ge)의 도핑 농도는 10
19 /cm
3 보다 높을 수 있다.

公开(公告)号：KR101543328B1

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：KR1020080114754

申请日：2008-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경국 ,  채수희 ,  박영수 ,  김택 ,  양문승 ,  정형수 ,  박재철 ,  김준연

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 웨이퍼본딩법으로제조된발광소자및 웨이퍼본딩법을이용한발광소자의제조방법이개시된다. 개시된웨이퍼본딩법은반도체층에본딩기판을본딩할때, 반도체층과본딩기판사이에금속으로이루어진응력이완층을삽입한다. 응력이완층을사용할경우, 금속의연성으로인하여본딩기판과성장기판사이의응력이상쇄되기때문에기판의휨이나뒤틀림을완화또는방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101527869B1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：KR1020080114755

申请日：2008-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경국 ,  채수희 ,  박영수 ,  김택 ,  양문승 ,  정형수 ,  박재철 ,  김준연

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 대면적본딩웨이퍼를이용한웨이퍼본딩방식의발광소자제조방법이개시된다. 개시된발광소자제조방법은반도체박막이성장되어있는여러장의웨이퍼를한 장의대면적본딩웨이퍼위에접합한후, 이러한본딩웨이퍼를장비에투입하여발광소자의제조공정을진행한다. 이때, 사파이어와같은웨이퍼재료와본딩웨이퍼사이의열팽창계수의차이로인한휨이나뒤틀림문제가거의발생하지않도록적당한재질의본딩웨이퍼를사용한다. 이방식에따르면여러장의웨이퍼가한 번의공정으로처리되기때문에, 발광소자의대량생산이가능하다. 따라서발광소자의제조비용을저감시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020150052465A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：KR1020130133820

申请日：2013-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 반극성질화물반도체구조체및 반극성질화물반도체구조체의제조방법이개시된다. 개시된반극성질화물반도체구조체는 7≤k≤13를만족하는 Si(11k) 표면을갖는실리콘기판상에형성되는질화물반도체층을포함하며, 질화물반도체층의분극전계가 0 근방이되는반극성을특성을갖는다.

Abstract translation: 公开了半极性氮化物半导体结构和制造半极性氮化物半导体结构的方法。 所公开的半极性氮化物半导体结构包括形成在硅板上的氮化物半导体层，该硅板具有在7 <= k <13范围内的Si（11k）表面，并且示出了接近的极化电场 到0。

公开(公告)号：KR101505555B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020130088249

申请日：2013-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영조 ,  김재균 ,  김주성 ,  김준연 ,  이재원 ,  최효지

IPC: H01L27/115 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L29/267 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 개시된반도체소자제조방법은실리콘기판상에, AlInGaN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을포함하며, 격자상수가상기실리콘기판의격자상수 LP0보다작은 LP1인제1층과, 상기제1층위에형성되고, AlInGaN (0≤x

公开(公告)号：KR1020150025264A

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：KR1020130102667

申请日：2013-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재균 ,  김주성 ,  김준연 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 정공주입층을 이용하여 활성층으로의 정공 주입을 증가시켜 발광 효율을 향상시킨 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는, 제 1 도전형으로 도핑된 제 1 반도체층, 상기 제 1 반도체층 위에 배치되며 경사진 사면을 갖는 다수의 피트가 표면에 형성된 활성층, 상기 활성층의 표면 위에 배치되며 상기 다수의 피트의 경사진 사면을 따라 일정한 두께로 형성된 정공주입층, 및 상기 정공주입층 위에 배치되며 제 2 도전형으로 도핑된 제 2 반도체층을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括能够通过使用空穴注入层增加空穴注入有源层而提高发光效率的空穴注入层。 半导体发光器件可以包括掺杂有第一导电类型的第一半导体层，布置在第一半导体层上的有源层和在其表面上具有倾斜表面的凹坑，布置在表面上的空穴注入层 并且沿着凹坑的倾斜表面具有恒定的距离，以及布置在空穴注入层上并掺杂有第二导电类型的第二半导体层。

公开(公告)号：KR1020140010521A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020120076286

申请日：2012-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  양문승 ,  채수희 ,  탁영조 ,  홍현기

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13 ,  H01L2933/0066

Abstract: Disclosed are a light emitting diode package and a method for manufacturing the same. The disclosed light emitting diode package comprises at least one light emitting structure, wherein the light emitting structure includes a first compound semiconductor layer; an active layer; a second compound semiconductor layer; at least one first metal layer which is arranged to be connected to the first compound semiconductor layer; a second metal layer which is arranged to be connected to the second compound semiconductor layer; a substrate having a conductive adhesion layer formed on a first surface thereof; and a bonding metal layer for eutectic bonding, which is arranged between the first metal layer and the conductive adhesion layer.

Abstract translation: 公开了一种发光二极管封装及其制造方法。 所公开的发光二极管封装包括至少一个发光结构，其中发光结构包括第一化合物半导体层; 活性层 第二化合物半导体层; 布置成连接到第一化合物半导体层的至少一个第一金属层; 布置成连接到第二化合物半导体层的第二金属层; 具有形成在其第一表面上的导电性粘合层的基板; 以及用于共晶接合的接合金属层，其布置在第一金属层和导电粘合层之间。