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公开(公告)号：KR1020110025443A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083511
申请日：2009-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H04N5/232 , G02F1/133602 , G06F1/3206 , G06F1/3296 , H04N5/2251
Abstract: PURPOSE: A digital photographing apparatus, a method for controlling the same, and a computer-readable storage medium are provided to automatically turn off/on the power of a backlight unit of a display unit when a touch sensor input value is larger than an OFF reference value of the backlight unit. CONSTITUTION: An expression unit displays image and/or information, and a first frame encloses a first display unit(160). A second frame encloses a second display unit(170), and a comparison judgment unit(183) compares signal values(181,182) of first and second sensing units with an OFF reference value. A control unit(184) controls the power state of a digital photographing apparatus according to the signal values and the OFF reference value.
Abstract translation: 目的：提供一种数字摄影装置，其控制方法和计算机可读存储介质，以便当触摸传感器输入值大于OFF时自动关闭显示单元的背光单元的电源 背光单元的参考值。 构成：表情单元显示图像和/或信息，并且第一帧包围第一显示单元（160）。 第二帧包围第二显示单元（170），比较判断单元（183）将第一和第二感测单元的信号值（181,182）与OFF参考值进行比较。 控制单元（184）根据信号值和OFF参考值来控制数字摄影设备的功率状态。
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公开(公告)号：KR1020060135137A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020050054820
申请日：2005-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H04N5/2254 , H04N5/23241
Abstract: A digital image processing device is provided to automatically turn on the digital image processing device when a user touches a shutter with gripping the digital image processing device for taking a picture, thereby conveniently taking a picture when prompt photographing is needed. A digital image processing device has a shutter button(202). A grip part sensor(200) is installed at a predetermined position where a hand of a user touches when the user grips a main body for taking a picture. In case that the grip part sensor and the shutter button are touched at the same time, the digital image processing device is turned on.
Abstract translation: 提供一种数字图像处理装置，用于当用户通过握住用于拍摄图像的数字图像处理装置触摸快门时自动打开数字图像处理装置，从而在需要快速拍摄时方便地拍摄图像。 数字图像处理装置具有快门按钮（202）。 把手部分传感器（200）安装在用户握住主体拍摄照片时用户的手触摸的预定位置。 在同时触摸握持部传感器和快门按钮的情况下，数字图像处理装置被接通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050096758A
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：KR1020040022430
申请日：2004-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김지홍
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04N5/23229 , H04M1/72522 , H04M2250/52 , H04N5/23293
Abstract: 본 발명은 영상 데이터 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 휴대용 단말기에서 표시되는 이전 영상 데이터와 현재 영상 데이터를 비교하여 상이한 부분의 영상 좌표만을 추출하여 화면을 갱신할 수 있도록 한 영상 데이터 처리방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 영상을 촬영할 수 있는 카메라 모드상에서 제공되는 아이콘의 영상 데이터 처리방법에 있어서, 피사체를 촬영하는 카메라 모드시, 카메라 모드를 실행하여 화면에 피사체 영상을 표시하는 과정과; 상기 카메라 모드에서 제공되는 기능 설정키가 입력되었는지를 판단하여 상기 기능 설정키가 입력되면 그 해당 기능 설정키에 의해 변경된 설정치로 아이콘 이미지를 갱신시켜 화면에 표시하는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050095668A
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1020040020205
申请日：2004-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김지홍
IPC: H04B7/155
CPC classification number: H04L49/455 , H04L49/102 , H04L49/55
Abstract: 본 발명은 기지국 시스템에서 이중화보드 장치에 관한 것으로, 하나는 상대편 이중화보드의 제1보드의 직렬변환기에 연결되고, 다른 하나는 상기 상대편 이중화보드의 제2보드의 직렬변환기에 연결되는 2개의 병렬변환기들과, 상기 2개의 병렬변환기들의 PLL(Phase Locked Loop) 락(lock)여부와 상기 상대편 이중화보드의 상태에 따라 버스스위치를 제어하는 제어부와, 상기 제어부의 제어에 따라 상기 병렬변환기들의 출력들중 하나를 선택해서 출력하는 버스스위치와, 상기 버스스위치의 출력을 셀 단위로 먹스에 출력하기 위한 피포(FIFO)를 포함한다. 이와 같은 본 발명은 하나의 보드에서 송신되는 셀만 먹스로 입력되도록 하여 먹스/디먹스의 대역폭을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020050022617A
公开(公告)日：2005-03-08
申请号：KR1020030060198
申请日：2003-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A method of forming a recess trench for a recess channel MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is provided to obtain quickly easily round upper and lower corners from the recess trench by using CDE(Chemical Dry Etching) or wet etching. CONSTITUTION: A pad oxide layer(120b) and a mask pattern are sequentially formed on a semiconductor substrate(100). A trench is formed in the resultant structure by etching selectively the pad oxide layer and the substrate using the mask pattern as an etching mask. A groove(135) for exposing an upper corner of the trench to the outside is formed on the pad oxide pattern. The exposed upper corner of the trench is roundly formed by performing CDE or wet etching thereon.
Abstract translation: 目的：提供一种形成用于凹槽沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的凹槽的方法，以通过使用CDE（化学干蚀刻）或湿式蚀刻从凹槽获得快速容易的圆形上下角。 构成：在半导体衬底（100）上依次形成衬垫氧化物层（120b）和掩模图案。 通过使用掩模图案选择性地蚀刻焊盘氧化物层和衬底作为蚀刻掩模，在所得结构中形成沟槽。 在衬垫氧化物图案上形成用于将沟槽的上角暴露于外部的凹槽（135）。 通过在其上进行CDE或湿蚀刻来圆形地形成沟槽的暴露的上角。
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公开(公告)号：KR101861184B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020110113217
申请日：2011-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C16/349 , G06F13/1689
Abstract: 스토리지의동작성능조절방법및 그에따른반도체저장장치가개시된다. 스토리지의동작성능조절방법은, 현재주기에서인가된워크로드에따라스토리지가동작될때 상기스토리지의한 주기동안의평균데이터처리량을일단계산한다. 그리고, 상기계산된평균데이터처리량과상기스토리지의수명을일정기간보장하기위해미리설정된기준의평균데이터처리량이서로비교되고, 상기비교결과에따라다음주기에서상기스토리지의동작성능이조절된다. 본발명의실시예적인구성에따르면, 스토리지의동작성능이워크로드의변화에따라예측적으로조절되므로, 스토리지또는반도체저장장치의수명이미리정해진수명까지보장되거나증가된다.
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