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公开(公告)号:KR1020060117084A
公开(公告)日:2006-11-16
申请号:KR1020050039835
申请日:2005-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김형준
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67379 , H01L21/67346
Abstract: A rack apparatus is provided to prevent the damage of a wafer by checking exactly a loading state of the wafer using a predetermined sensor. A rack apparatus includes a shelf, a plurality of first carrier fixing members, a plurality of carrier loading members, and a contact type sensor. The shelf(120) is used for supporting a wafer carrier. The plurality of first fixing members(140) are installed on the shelf. Protrusions of the carrier are inserted into the first fixing members. The plurality of carrier loading members(160,180) are installed on the shelf in order to load stably the carrier. The contact type sensor(200) is used for checking exactly a loading state of the carrier.
Abstract translation: 提供了一种架设备,用于通过使用预定传感器准确检查晶片的装载状态来防止晶片的损坏。 机架装置包括搁架,多个第一载体固定构件,多个载体装载构件和接触型传感器。 搁架(120)用于支撑晶片载体。 多个第一固定构件(140)安装在搁架上。 载体的突起插入到第一固定构件中。 多个载体装载构件(160,180)安装在搁架上,以便稳定地承载载体。 接触式传感器(200)用于精确检查载体的载荷状态。
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公开(公告)号:KR1020060065313A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:KR1020040104137
申请日:2004-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0354 , G06F1/16
CPC classification number: G06F1/1632 , G06F3/03543 , G06F1/1613 , G06F1/1684 , G06F1/169
Abstract: 본 발명은, 마우스에 관한 것으로서, 외장형 카드를 장착하도록 컴퓨터본체에 마련된 카드슬롯에 수납가능하게 마련된 케이싱과; 상기 케이싱에 장착된 적어도 하나의 조작버튼을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 컴퓨터본체에 마련된 카드슬롯에 수용가능하게 마련된 마우스를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100568109B1
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:KR1020030083551
申请日:2003-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 상변화 기억 소자 및 그 형성방법을 제공한다. 이 소자는 전극홀을 갖는 가열 전극을 갖는다. 전극홀은 가열 전극의 소정영역을 관통한다. 상변화 물질 패턴이 전극홀의 내측벽과 접촉한다. 이에 따라, 가열 전극과 상변화 물질 패턴의 접촉면적을 감소시켜 상변화 기억 소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR100520632B1
公开(公告)日:2005-11-25
申请号:KR1019980060852
申请日:1998-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김형준
IPC: G06F9/00
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
에이전트(agent) 소프트웨어 개발을 위한 메이크 파일(makefile)을 생성하는 방법에 관한 기술이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
국제 전기 통신 연합(ITU)의 표준화 기구에서 요구하는 규격에 맞는 에이전트 소프트웨어를 개발하기 위한 메이크 파일을 생성하며 동시에 생성시 필요한 파일들을 편리하게 관리하는 방법을 제공한다.
다. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 디셋 환경에서 동작 디렉토리와, 기준 디렉토리를 동일한 구조로 생성한 후 기준 디렉토리에는 공통으로 사용하는 파일들을 저장하고, 동작 디렉토리에는 새로운 파일 또는 내용이 변경되어 생성될 파일을 저장한 후 동작 디렉토리에 저장된 파일을 읽어와 리스트에 기록한 후 동작 디렉토리에 존재하지 않는 기준 디렉토리에 저장된 파일들을 읽어와 제1메이크 파일과 제2메이크 파일로 생성하며, 상호 파일을 참조하는 파일들의 종류에 따라 참조하지 않는 파일을 제2메이크 파일로 생성하고, 다른 파일을 포함하는 파일을 제1메이크 파일로 구분한다. 그리고 생성된 제1메이크 파일과 제2메이크 파일에 디셋 환경에 따른 디셋 파일을 가져와 완성된 제1메이크 파일과 제2메이크 파일로 생성한다.
라. 발명의 중요한 용도
개발시 에이전트 소프트웨어를 생성하기 위한 메이크 파일을 생성할 경우 사용된다.-
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公开(公告)号:KR1020050093529A
公开(公告)日:2005-09-23
申请号:KR1020040019007
申请日:2004-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , G11C5/02 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 도금층으로 둘러싸인 분할된 서브 디지트 라인들을 갖는 자기 램 셀들 및 그 제조방법들이 제공된다. 상기 자기 램 셀들은 반도체기판 상부에 형성된 제1 및 제2 서브 디지트 라인들을 구비한다. 상기 제1 서브 디지트 라인의 하부면 및 상기 제1 서브 디지트 라인의 상기 하부면에 인접하면서 상기 제2 서브 디지트 라인의 반대편에 위치하는 외측벽(outer sidewall)은 제1 도금층 패턴으로 덮여진다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 서브 디지트 라인의 하부면 및 상기 제2 서브 디지트 라인의 상기 하부면에 인접하면서 상기 제1 서브 디지트 라인의 반대편에 위치하는 외측벽은 제2 도금층 패턴으로 덮여진다. 상기 제1 및 제2 서브 디지트 라인들 및 상기 제1 및 제2 도금층 패턴들은 층간절연층 내에 그루브를 형성하고, 상기 그루브의 측벽들 및 바닥면을 덮는 도금층 패턴과 아울러서 상기 도금층 패턴에 의해 둘러싸여진 공간을 채우는 디지트 라인을 형성하고, 상기 디지트 라인 및 도금층 패턴을 패터닝함으로써 형성된다.
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公开(公告)号:KR1020050069048A
公开(公告)日:2005-07-05
申请号:KR1020030100880
申请日:2003-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C5/063
Abstract: 자기램 소자들을 제공한다. 상기 자기램 소자는 비트라인을 갖는 자기램 셀 및 상기 비트라인에 전기적으로 접속된 미분회로를 구비한다. 상기 미분회로의 출력단은 극성변화 감지회로에 전기적으로 접속된다. 상기 극성변화 감지회로는 상기 미분회로의 출력신호의 극성이 변하는 경우에 논리 "1" 또는 논리 "0"에 해당하는 출력신호를 생성시킨다.
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公开(公告)号:KR1020050068717A
公开(公告)日:2005-07-05
申请号:KR1020030100470
申请日:2003-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 상전이막 패턴을 갖는 반도체 장치들 및 그 제조방법들을 제공한다. 이 장치들 및 제조방법들은 상전이막 패턴의 구조를 이용해서 그 패턴의 상 변화를 용이하게 일으킬 수 있는 방안을 제시해준다. 이를 위해서, 상기 장치들 및 제조방법들은 반도체 기판의 상부에 형성된 하부 콘택홀을 갖는 지지 층간절연막을 포함한다. 상기 하부 콘택홀을 채우는 콘텍홀 스페이서 및 하부 콘택홀 노드가 차례로 형성하고, 상기 하부 콘택홀 노드를 갖는 반도체 기판 상에 식각 저지막 및 패턴 층간절연막이 배치된다. 상기 패턴 층간절연막을 관통하고 식각 저지막을 노출시키는 중간 콘택홀을 형성하고, 상기 중간 콘택홀을 통해서 패턴 층간절연막 및 식각 저지막에 식각공정을 실시하여 하부 콘택홀 노드를 노출시키는 접속홀을 형성한다. 이때에, 상기 접속홀은 브이(V) 자형(字形)의 형태이고, 상기 접속홀 및 중간 콘택홀과 함께 하부 콘택홀은 동일한 중심축을 갖도록 형성된다. 상기 접속홀을 컨포멀하게 덮고 동시에 그 홀과 중첩하도록 패턴 층간절연막 상에 상전이막 패턴을 형성한다. 이를 통해서, 상기 상전이막 패턴을 갖는 반도체 장치는 그 패턴이 갖는 구조를 이용해서 상 변화를 일으키는 전류의 량을 줄일 수 있다.
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