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公开(公告)号：WO2023282486A1
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/KR2022/008382
申请日：2022-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 냉장고는 본체, 상기 본체 내부에 전면이 개방되도록 마련되는 저장실, 상기 저장실 내부에 마련되고, 상기 저장실 내부로 냉기를 토출하는 냉기덕트를 포함하고, 상기 냉기덕트는 전면 상부에 조립홈이 형성되는 전면판, 상기 전면판의 후면에 조립되어 냉기를 가이드 하는 유로부 및 상부가 상기 조립홈에 끼워지고, 하부가 고정부재에 의해 상기 전면판에 분리 가능하게 조립되는 냉기덕트 커버를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022164005A1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：PCT/KR2021/018339
申请日：2021-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 키오스크 장치는, 내부에 프린터 및 상기 프린터의 상부에 회전 가능하게 마련되는 센서를 수용하는 수용공간을 포함하는 본체 하우징 및 본체 하우징의 전방 또는 후방을 향하는 방향으로 슬라이딩되며 수용공간을 개방 또는 폐쇄하는 도어를 포함하고, 도어는 센서가 일부 노출되도록 센서에 대응되는 위치에 마련되는 관통부를 포함하고, 사용자는 외부에서 관통부를 통해 센서를 밀어내어 공간을 확보한 후, 도어 후면의 관통부 주위를 당겨 도어를 개방할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150084262A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004095
申请日：2014-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32394 , G05B23/0283 , G05B2219/45031 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/86
Abstract: 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의관리방법은설비컴퓨터의반도체제조설비의관리방법에있어서, 챔버및 상기챔버내의부품들의예방정비를지시하는단계와, 상기챔버및 상기부품들의상기예방정비결과를확인하는단계와, 상기예방정비결과가정상적일경우, 상기챔버내의플라즈마반응을이용한생산공정을수행하는단계를포함한다. 여기서, 상기예방정비결과의확인단계는, 상기챔버및 상기부품들로부터검출되는전기적반사계수값들을이용하여상기플라즈마반응없이상기예방정비의결과를확인하는프리스크린방법을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于管理半导体制造设备的方法及其管理系统。 用于管理设备计算机的半导体制造设备的方法包括以下步骤：指示腔室中的腔室和部件的预防性维护; 确认了该室和组件的预防性维护的结果; 并且当预防性维护的结果正常时，使用室内的等离子体响应进行生产处理。 预防性维护结果的确认步骤可以包括通过使用从部件和腔室检测的电反射系数值来确认没有等离子体响应的预防性维护的结果的自由屏幕方法。
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公开(公告)号：KR1020140085113A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155320
申请日：2012-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1606 , C01B32/182
Abstract: Disclosed are a method of transferring graphene and a method of manufacturing a device using the same. The method of transferring graphene includes the steps of: forming a graphene layer on a substrate containing a base metal catalyst (for example, a semiconductor catalyst); forming a thin film on the graphene layer; and separating a lamination structure of the graphene layer and the thin film from the substrate. The base metal catalyst (for example, a semiconductor catalyst) may contain at least one among Ge and SiGe. The thin film may include an inorganic thin film and may have a single layered structure or a multi-layered structure. The step of separating a lamination structure from a substrate may be performed by a physical detachment process. After the step of separating the lamination structure from the substrate, a step of forming an organic film on the substrate may be further performed.
Abstract translation: 公开了转移石墨烯的方法和使用其制造器件的方法。 转移石墨烯的方法包括以下步骤：在含有贱金属催化剂（例如半导体催化剂）的基材上形成石墨烯层; 在石墨烯层上形成薄膜; 以及从所述基板分离所述石墨烯层和所述薄膜的层叠结构。 贱金属催化剂（例如，半导体催化剂）可以含有Ge和SiGe中的至少一种。 薄膜可以包括无机薄膜，并且可以具有单层结构或多层结构。 分离层压结构与基板的步骤可以通过物理分离工艺进行。 在将层叠结构与基板分离的步骤之后，可以进一步进行在基板上形成有机膜的工序。
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公开(公告)号：KR1020140051637A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117911
申请日：2012-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0009 , C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: Provided are a nanowire-graphene structure, a device including the same, and a manufacturing method thereof. The manufacturing method for a nanowire-graphene structure of the present invention includes: a step of growing a graphene layer on a substrate; a step of growing a plurality of nanowires on the graphene layer; and a step of separating the graphene layer from the substrate, wherein the substrate is made of a material which does not form a covalent bond with the graphene layer.
Abstract translation: 提供了纳米线 - 石墨烯结构，包括该纳米线 - 石墨烯结构的装置及其制造方法。 本发明的纳米线 - 石墨烯结构的制造方法包括：在基板上生长石墨烯层的工序; 在石墨烯层上生长多个纳米线的步骤; 以及从所述基板分离所述石墨烯层的步骤，其中所述基板由与所述石墨烯层不形成共价键的材料制成。
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公开(公告)号：KR101920720B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020120155320
申请日：2012-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 그래핀전사방법및 이를이용한소자의제조방법에관해개시되어있다. 개시된그래핀전사방법은비금속촉매(예컨대, 반도체촉매)를포함하는기판상에그래핀층을형성하는단계, 상기그래핀층상에박막을형성하는단계및 상기기판으로부터상기그래핀층과상기박막의적층구조물을분리하는단계를포함할수 있다. 상기비금속촉매(예컨대, 반도체촉매)는 Ge 및 SiGe 중적어도하나를포함할수 있다. 상기박막은무기물박막일수 있고, 단층또는다층구조로형성할수 있다. 상기기판으로부터상기적층구조물을분리하는단계는물리적박리공정으로수행할수 있다. 상기기판으로부터상기적층구조물을분리하는단계전, 상기박막상에유기막을형성하는단계를더 수행할수 있다.
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