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公开(公告)号：KR1020140103565A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017090
申请日：2013-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04W24/04
Abstract: The present invention relates to a method for measuring a different cell or radio access technology (RAT) in a wireless communication system. A method for operating a terminal includes a process of measuring at least one frequency by using an RF path selected based on the activation state of a secondary cell.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在无线通信系统中测量不同小区或无线电接入技术（RAT）的方法。 用于操作终端的方法包括通过使用基于辅助小区的激活状态选择的RF路径来测量至少一个频率的处理。
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公开(公告)号：KR1020090050132A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：KR1020070116395
申请日：2007-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04L5/0007 , H04L1/0038 , H04L5/003 , H04L25/0238 , H04L27/2676
Abstract: 본 발명은 이동통신 시스템에서 채널 제어 요소 정렬 방법 및 장치에 관한 것으로서, 채널 제어 요소(Control Channel Element)를 사이즈와 개수에 따라 분류하여 배치하는 기지국과, 상기 기지국에 의해 배치된 상기 채널 제어 요소를 블라인드 검출 시 상기채널 제어 요소가 검출되는 위치를 이용하여 다음 검출 위치를 결정하는 단말기를 포함함으로써 상기 단말기의 블라인드 검출 시간을 줄이고 이에 따른 전력 소비를 감소할 수 있다.
PDCCH, CCE(Control Channel Element), 블라인드 검출, Blind Detection-
公开(公告)号：KR1020090018254A
公开(公告)日：2009-02-20
申请号：KR1020070082553
申请日：2007-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L1/1867 , H04L1/14 , H04L1/1621
Abstract: An apparatus and method are provided to transmit new data indicator efficiently at the time of supporting an uplink hybrid automatic repeat request in the mobile communications system. A hybrid automatic repeat request technique is used in mobile communications system. A transmission unit confirms whether data transmitted is new data or retransmission data. A retransmission control unit(210) outputs corresponding new data indicator(NDI). A reference signal controller(206) outputs a predetermined sequence, which is correspondent to the NDI output from the retransmission control unit, as a reference signal. A mapper(204) produces a symbol by combining the reference signal, which is receive from the reference signal controller, and a modulated data to be transmitted.
Abstract translation: 提供一种装置和方法，用于在支持移动通信系统中的上行链路混合自动重传请求时有效地发送新的数据指示符。 在移动通信系统中使用混合自动重传请求技术。 发送单元确认发送的数据是新数据还是重传数据。 重传控制单元（210）输出相应的新数据指示符（NDI）。 参考信号控制器（206）输出与来自重传控制单元的NDI输出相对应的预定序列作为参考信号。 映射器（204）通过组合从参考信号控制器接收的参考信号和待发送的调制数据来产生符号。
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公开(公告)号：KR1020090012881A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077081
申请日：2007-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2865 , H01L21/677 , H01L21/6838
Abstract: A picker and a transferring method of a semiconductor device using the same are provided to supply stably compressed air in an unloading state of the semiconductor device and to remove dust from a filter. An adsorbing pad(150) is formed to absorb a semiconductor device. An ejector(110) separates the semiconductor device from the pad by providing compressed air. A filter(120) is formed to filter foreign materials while the semiconductor is attached to a pad part. A constant pressure valve(130) is formed to transmit partially the compressed air provided from the ejector and to vent the residue of the compressed air.
Abstract translation: 提供使用该半导体装置的半导体装置的拾取器和转印方法，以在半导体装置的卸载状态下稳定地供给压缩空气并且从过滤器去除灰尘。 形成吸附垫（150）以吸收半导体器件。 喷射器（110）通过提供压缩空气将半导体器件与焊盘分离。 形成过滤器（120）以在将半导体附接到垫部件的同时过滤异物。 形成恒压阀（130）以部分地传递由喷射器提供的压缩空气并排出压缩空气的残余物。
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公开(公告)号：KR1020080100025A
公开(公告)日：2008-11-14
申请号：KR1020070046074
申请日：2007-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14625
Abstract: The collection efficiency of the incident light passing through the micro lens can be enhanced by forming the inner lens between the micro lens and photoelectric transform portion. Therefore, the incident light can be condensed in a region where the quantum efficiency is high by controlling the refractive index according to the curvature of the inner lens. Provided is the manufacturing method of the image sensor. The photoelectric transform portion(110) is formed in the semiconductor substrate(101). An interlayer insulating film(210) is formed to cover the entire semiconductor substrate. A first lens(222) of convex type is formed on the first interlayer insulating layer(240). An inner lens(225) is formed by forming conformally a second lens(224) on the first lens. A metal wiring(250) are formed on the interlayer insulating film having an inner lens. The color filter(280) is formed on the intermetal dielectric and metal.
Abstract translation: 可以通过在微透镜和光电转换部之间形成内透镜来增强通过微透镜的入射光的收集效率。 因此，通过根据内透镜的曲率控制折射率，能够使入射光在量子效率高的区域中进行浓缩。 提供了图像传感器的制造方法。 光电转换部分（110）形成在半导体衬底（101）中。 形成层间绝缘膜（210）以覆盖整个半导体衬底。 在第一层间绝缘层（240）上形成凸型的第一透镜（222）。 内透镜（225）通过在第一透镜上共形地形成第二透镜（224）而形成。 在具有内透镜的层间绝缘膜上形成金属布线（250）。 滤色器（280）形成在金属间电介质和金属上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100825774B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060026045
申请日：2006-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/2893 , G11C29/56016
Abstract: 일괄형 도어(batch type door)를 갖지 않고, 싱글 도어형 스토커를 포함는 반도체 소자의 전기적 검사를 위한 핸들러에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 반도체 소자의 전기적 검사에 사용되는 핸들러 시스템 본체와, 상기 핸들러 시스템 본체의 정면에 설치된 개방형 스토커부(stocker portion)와, 상기 개방된 스토커부 내부에 설치된 복수개의 스토커로서 상기 스토커는 전면(front)이 보호되고 상부에는 윈도우가 설치된 모양의 싱글 도어형(single door type) 스토커를 구비하는 것을 특징으로 하는 싱글 도어형 스토커를 갖는 핸들러를 제공한다.
핸들러, 병렬검사, 스토커, 윈도우.-
公开(公告)号：KR1020070075160A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060003604
申请日：2006-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: A method for fabricating an image sensor is provided to reduce a potential barrier generated by an impurity density difference between regions in a transfer gate pattern by forming an image sensor after impurities of a first conductivity type are implanted into a transfer gate pattern. A gate insulation layer and a gate conductive layer doped with impurities of a first conductivity type are formed on a semiconductor substrate(102). The gate insulation layer and the gate conductive layer are patterned to form a transfer gate pattern. A photodiode of the first conductivity type is formed at one side of the transfer gate pattern and a photodiode of a second conductivity type is formed on the photodiode of the first conductivity type. A floating diffusion region of the first conductivity type is formed in the substrate at the other side of the transfer gate pattern to complete a transfer gate electrode. In forming a gate conductive layer, the impurities of the first conductivity type can be doped at a dosage that can invert the impurities in the photodiode of the second conductivity type.
Abstract translation: 提供一种用于制造图像传感器的方法，用于通过在将第一导电类型的杂质注入传输栅极图案之后形成图像传感器来减小由传输栅极图案中的区域之间的杂质浓度差产生的势垒。 在半导体衬底（102）上形成栅极绝缘层和掺杂有第一导电类型的杂质的栅极导电层。 栅极绝缘层和栅极导电层被图案化以形成传输栅极图案。 第一导电类型的光电二极管形成在传输栅极图案的一侧，并且在第一导电类型的光电二极管上形成第二导电类型的光电二极管。 在传输栅极图案的另一侧的基板中形成第一导电类型的浮动扩散区域，以完成传输栅电极。 在形成栅极导电层时，可以以能够反转第二导电类型的光电二极管中的杂质的剂量来掺杂第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：KR100703987B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020060044372
申请日：2006-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 마스크 수를 줄일 수 있는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은 수광 영역과 비수광 영역이 정의된 기판을 제공하고, 비수광 영역 상에 다수의 게이트를 형성하고, 수광 영역 내에 제1 도전형의 불순물을 이온 주입하여, PPD(Pinned Photo Diode) 제1 불순물 영역을 형성하고, 기판 전면에 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물을 제1 이온 주입하고, 다수의 게이트의 양 측벽에 스페이서를 형성하고, 기판 전면에 스페이서가 형성된 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 제2 이온 주입하여, 수광 영역의 표면에 PPD 제2 불순물 영역을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 마스크, PPD, P형 불순물 영역Abstract translation: 提供了一种能够减少掩模数量的图像传感器的制造方法。 的图像传感器的制造方法是一个光接收区域，并且设置规定的基板上的非光接收区域，并且不形成多个所述光接收区栅极，和接收区域注入的在光的第一导电类型的杂质离子，PPD（铰接光 并且使用多个栅极作为掩模来注入与第一导电类型不同的第二导电类型的第一杂质以在多个栅极的两个侧壁上形成间隔物， 并且其包括第二导电型第二离子注入使用多个栅极隔离物的杂质，形成作为掩模，以完成基板的整个表面上的光接收区域的表面上的PPD第二杂质区。
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公开(公告)号：KR1020070013608A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068036
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor is provided to prevent the damage of a substrate by keeping the component of each etch object layer portion of a pixel region and a peripheral region in the same state using a selective silicide barrier removing process. A light receiving element(11) and a first transistor are formed within a pixel region of a substrate and a second transistor is formed within a peripheral region of the substrate. A silicide barrier layer is deposited on the substrate. A selective silicide barrier removing process is performed on the resultant structure. At this time, a silicide barrier pattern(50) for covering the light receiving element is completed on the resultant structure. A silicide layer is selectively formed thereon. An interlayer dielectric is formed on the resultant structure.
Abstract translation: 提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器，以通过使用选择性硅化物屏障去除处理将像素区域和外围区域的每个蚀刻对象层部分的分量保持在相同状态来防止基板的损坏。 在衬底的像素区域内形成光接收元件（11）和第一晶体管，并且在衬底的周边区域内形成第二晶体管。 在衬底上沉积硅化物阻挡层。 对所得结构进行选择性硅化物屏障去除处理。 此时，在所得到的结构上完成用于覆盖光接收元件的硅化物阻挡图案（50）。 在其上选择性地形成硅化物层。 在所得结构上形成层间电介质。
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公开(公告)号：KR1020050093061A
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020040018286
申请日：2004-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L21/823418 , H01L27/1461 , H01L27/14689
Abstract: CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 의한 CMOS 이미지 센서는, 핀드 포토 다이오드 및 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 액티브 픽셀 센서 영역과, 리셋 트랜지스터 영역과, 소스 팔로우 영역과, NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터를 구비하는 주변회로 CMOS 영역을 포함하되, 상기 액티브 픽셀 영역과 리셋 트랜지스터 영역과 소스 팔로우 영역의 소스 및 드레인은 N- 확산 영역으로 이루어지고, 상기 주변회로 CMOS 영역의 상기 NMOS 트랜지스터의 소스 및 드레인은 N- 확산 영역 및 N+ 확산 영역으로 이루어진다.
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