-
公开(公告)号：KR1019940020558A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019930002192
申请日：1993-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안태혁
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 고집적 메모리소자의 커패시터셀의 용량증대를 위한 커패시터전극 표면의 미세트렌치를 재현성있게 형성할 수 있는 반도체 메모리장치의 제조방법에 관한 것으로, 건식식각시의 커패시터 스토리지전극 이외의 넓은 부위에 비해 면적이 좁은 미세트렌치 내부의 식각속도가 저하되는 부하효과를 극대화하여 넓은 부위의 식각종점이 검출되었을 때 식각을 종료하여 트렌치 내부는 부하효과만큼 식각이 덜된 상태를 얻음으로써 재현성있게 미세트렌치를 형성하는 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1019940002299B1
公开(公告)日：1994-03-21
申请号：KR1019910018316
申请日：1991-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안태혁
IPC: H01L21/30
Abstract: The wet processing apparatus includes a vacuum chuck, a driving means for rotating the vacuum chuck, a container having a compression tube and receiving a processing solution, and a processing solution supply for withdrawing the processing solution to refine it and carrying the solution to the compression tube, thereby maximizing the processing efficiency.
Abstract translation: 湿式处理装置包括真空吸盘，用于使真空吸盘旋转的驱动装置，具有压缩管并容纳加工液的容器，以及用于取出处理液的处理液供给装置，以将其解压缩并将其运送到压缩 从而使加工效率最大化。
-
公开(公告)号：KR100057475B1
公开(公告)日：1992-12-21
申请号：KR1019880012876
申请日：1988-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00 , H01L27/108
-
公开(公告)号：KR100053950B1
公开(公告)日：1992-08-19
申请号：KR1019890008128
申请日：1989-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안태혁
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100046780B1
公开(公告)日：1991-12-07
申请号：KR1019880016529
申请日：1988-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
-
公开(公告)号：KR1019900011006A
公开(公告)日：1990-07-11
申请号：KR1019880016529
申请日：1988-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
-
公开(公告)号：KR101262225B1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020070106741
申请日：2007-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: 반도체소자및 그제조방법을개시한다. 본발명에따른반도체소자는셀 영역이정의된기판, 셀영역상부에형성되고각각제1 방향으로배열된복수의실린더형상의하부전극으로이루어지는복수의하부전극열, 하부전극상에형성된유전체막및 유전체막상에형성된상부전극을구비한복수개의커패시터및 서로인접하는한 쌍의하부전극열을이루는하부전극들을동시에지지하는띠(stripe) 형상인복수의지지대를포함하고, 기판에대하여수평방향으로상호인접하는 2개의지지대는기판으로부터서로다른높이를가지도록형성된다.
-
公开(公告)号：KR1020090041168A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106741
申请日：2007-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to surround a bottom electrode with a support stably by forming the support for supporting the bottom electrode of a capacitor between the bottom electrodes in a stripe shape to have different height in adjacent supports. After forming a bottom electrode(910), a first mold layer, a second mold layer and a protective mold layer are removed by the wet etching. The first mold layer, the second mold layer, the protective mold layer, and a buried layer are removed by using a lift-off process method by using the hydrofluoric acid or LAL(Limulus amoebocyte lysate). The bottom electrode is supported while being surrounded with a first support(600a) or a second support(610a). One bottom electrode is supported by one of the first support and the second support. After removing the first mold layer, the second moldy layer, the protective mold layer, and the buried layer, a capacitor(950) is made by forming a dielectric layer(920) and a top electrode(930) on the bottom electrode.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，通过在底部电极之间形成用于支撑电容器的底部电极的支撑件，以条形形状稳定地围绕底部电极，以便在相邻支撑件中具有不同的高度。 在形成底部电极（910）之后，通过湿蚀刻去除第一模具层，第二模具层和保护模具层。 通过使用氢氟酸或LAL（鲎变形细胞溶胞产物）的剥离法除去第一模具层，第二模具层，保护性模具层和掩埋层。 底部电极在被第一支撑件（600a）或第二支撑件（610a）围绕的同时被支撑。 一个底部电极由第一支撑件和第二支撑件中的一个支撑。 在去除第一模具层，第二发霉层，保护模具层和掩埋层之后，通过在底部电极上形成介电层（920）和顶部电极（930）来制造电容器（950）。
-
公开(公告)号：KR1020070034323A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050088874
申请日：2005-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 이 방법은 반도체 기판 상에 하부전극, 상변화막패턴, 상부전극, 하드마스크패턴을 형성하는 것을 포함한다. 본 발명에 의하면, 상기 상변화막패턴이 형성될 때 상기 상부전극과 상기 상변화막패턴 사이의 계면이 폴리머막 또는 스페이서막에 의해 보호되기 때문에 식각 손상을 받지 않는다.
상변화 메모리 장치, 상변화막, 상부전극, 하드마스크
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.023 seconds)
