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公开(公告)号：KR100590536B1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：KR1020040004681
申请日：2004-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/55
Abstract: 반도체 장치의 커패시터, 이를 포함하는 메모리 소자 및 커패시터 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 귀금속 합금 또는 그 산화물로된 단층의 하부전극, 상기 하부전극 상에 구비된 유전막 및 상기 유전막 상에 구비된 상부전극을 포함하되,상기 하부전극은 귀금속층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터 및 그 제조 방법을 제공하고, 상기 커패시터를 포함하는 메모리 소자도 제공한다.
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