公开(公告)号：KR1020020080745A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020010020498

申请日：2001-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병수 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34 ,  G03F1/29 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441

Abstract: PURPOSE: A mask for modifying an optical proximity effect(OPC) is provided to improve a whole focus margin, by making diffraction light of an isolated pattern have a diffraction type of diffraction light of a dense pattern. CONSTITUTION: A main pattern(310) has a light characteristic opposite to that of a mask substrate(300), formed on the mask substrate. A plurality of dummy phase shifters(320) change the phase of transmitted exposure light, formed on the mask substrate at both sides of the main pattern. A mask includes the main pattern and the plurality of phase shifters.

Abstract translation: 目的：提供用于修改光学邻近效应（OPC）的掩模，以通过使孤立图案的衍射光具有致密图案的衍射光的衍射光来提高整个焦距。 构成：形成在掩模基板上的主图案（310）具有与掩模基板（300）相反的光特性。 多个虚拟移相器（320）改变形成在主图案两侧的掩模基板上的透射曝光的相位。 掩模包括主图案和多个移相器。

公开(公告)号：KR1020020078086A

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1020010017947

申请日：2001-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  조한구

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10808 ,  G11C5/025 ,  H01L27/0207

Abstract: PURPOSE: A mask pattern for defining a semiconductor memory device is provided to remarkably decrease probability of a bridge, by upward or downward shifting even-numbered widthwise storage node electrodes among a plurality of storage node electrodes disposed on a semiconductor substrate by a predetermined length. CONSTITUTION: A transparent substrate(20) is prepared. A plurality of mask layers defining the type of the storage node electrode(22) are formed on the transparent substrate. An even-numbered widthwise mask layer among the plurality of mask layers is shifted upward or downward by a predetermined length.

Abstract translation: 目的：提供一种用于限定半导体存储器件的掩模图案，通过将布置在半导体衬底上的多个存储节点电极中的偶数横向存储节点电极向上或向下移动预定长度来显着降低桥的概率。 构成：制备透明基材（20）。 在透明基板上形成限定存储节点电极（22）的类型的多个掩模层。 多个掩模层中的偶数横向掩模层向上或向下移动预定长度。

公开(公告)号：KR1020020057573A

公开(公告)日：2002-07-11

申请号：KR1020010000671

申请日：2001-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성낙근 ,  조한구

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2059 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70558

Abstract: PURPOSE: Provided is a scanning exposure method for giving a uniform critical dimension(CD) in the whole scanning zone by increasing or reducing a scanning velocity. CONSTITUTION: The scanning exposure method for giving the uniform critical dimension is performed by increasing the scanning velocity and reducing the on/off frequency of a light source in the scanning zone having a relatively small critical dimension and by reducing the scanning velocity and increasing the on/off frequency of the light source in the scanning zone having a relatively large critical dimension.

Abstract translation: 目的：提供了通过增加或减少扫描速度在整个扫描区域中给出均匀临界尺寸（CD）的扫描曝光方法。 构成：提供均匀临界尺寸的扫描曝光方法是通过增加扫描速度并降低具有相对小的临界尺寸的扫描区域中的光源的开/关频率并且通过降低扫描速度并增加开 /关闭频率在扫描区域具有相对较大的临界尺寸。

公开(公告)号：KR1020010025985A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990037109

申请日：1999-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류만형 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/706

Abstract: PURPOSE: A bio-red pattern for measuring a coma aberration is provided to prevent an aberration measurement from being disturbed by other optical reasons such as a proximity effect, by using a pattern for measuring a coma aberration in which a dummy pattern having periodicity does not affect a photoresist layer between the first and second patterns. CONSTITUTION: The first pattern(42) of a quadrangle is located in the center of a bio-red pattern(40) for measuring coma aberration. The second pattern(44) of which a line width is relatively narrower than that of the first pattern is located in the circumference of the bio-red pattern. A dummy pattern(48) of which a line width is narrow as compared with the second pattern is located between the first and second patterns, wherein the dummy pattern does not interfere with a photoresist layer located under the dummy pattern in an exposure process.

Abstract translation: 目的：提供用于测量彗形像差的生物红色图案，以通过使用用于测量具有周期性的虚拟图案的彗形像差的图案来防止像差测量被诸如接近效应之类的其它光学原因所干扰 影响第一和第二图案之间的光致抗蚀剂层。 构成：四边形的第一图案（42）位于用于测量彗形像差的生物红色图案（40）的中心。 线宽相对于第一图案相对窄的第二图案（44）位于生物红图案的圆周中。 与第二图案相比，线宽窄的虚拟图案（48）位于第一图案和第二图案之间，其中虚设图案在曝光处理中不与位于虚设图案下方的光致抗蚀剂层干涉。

公开(公告)号：KR1020000003724A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019980024994

申请日：1998-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인성 ,  이중현 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/76802

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent effectively reflection of light from a reflective pattern. CONSTITUTION: The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate(100); a reflective pattern(104p, 106p) formed on the semiconductor device; an anti-reflective cap(110p) formed on the reflective pattern; and an anti-reflective spacer(130s) formed on a side wall of the reflective pattern. The anti-reflective cap(110p) functions as a interference type anti-reflective film reducing below 20% a reflection ratio by offsetting a reflection light reflected from the reflective pattern surface and a light reflected from the anti-reflective cap surface out of a light input from an upper area of the anti-reflective cap.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件以防止有效地反射来自反射图案的光。 构成：半导体器件包括：半导体衬底（100）; 形成在所述半导体器件上的反射图案（104p，106p） 形成在所述反射图案上的抗反射盖（110p） 以及形成在反射图案的侧壁上的抗反射间隔物（130s）。 抗反射盖（110p）用作通过偏移反射图案表面反射的反射光和从光反射盖表面反射的光而将反射率降低到反射率的20％以下的干涉型抗反射膜 从防反射盖的上部区域输入。

公开(公告)号：KR1019990074639A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008353

申请日：1998-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: H01L21/027

Abstract: 수명을 더욱 연장시킬 수 있는 전자선 직접 묘화(E-beam direct writing) 장비의 블록마스크에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 전자선 직접 묘화(E-beam direct writing) 장비의 블록마스크 본체 및 상기 블록마스크 본체 내부에 복수개로 구성되고 각각 다른 형상을 띈 단위 블록마스크 패턴을 갖는 전자선 직접 묘화(E-beam direct writing) 장비의 블록마스크에 있어서, 상기 단위 블록마스크 패턴은 사용 빈도수가 높은 단위 블록 마스크 패턴을 복수개로 구성하는 것을 특징으로 하는 전자선 직접 묘화(E-beam direct writing) 장비의 블록마스크를 제공한다.

公开(公告)号：KR100200730B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960042684

申请日：1996-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명의 정전 편향기( electrostatic deflector)는 종래기술에 의한 편향기가 한 세트의 긴 8극편으로 구성된 것과는 달리 길이가 짧은 정전 8극편으로 구성하지만, 이와 같은 편향기를 상기 칼럼내에 다수 구비하고 있다. 상기 칼럼내에 구성할 수 있는 편향기의 수는 상기 정전 8극편의 길이를 조절함으로써 증감시킬 수 있다.
따라서 본 발명에 의한 정전 편향기를 사용할 경우 상기 칼럼내에서 다양하고 플렉시블(flexible)한 필드분포를 만들 수 있다. 이와 같은 사실에 의해 상기 편향기내로 입사되는 하전입자들의 편향수차를 그 만큼 감소시킬 수 있음을 알 수 있다. 하전입자들의 편향수차를 작게할 수 있으므로 빔 스폿 사이즈를 최소화할 수 있고 반도체장치의 고 집적화를 적극 지원할 수 있다. 다른 측면으로 볼 때, 종래의 칼럼길이를 변화시키지 않고 그대로 사용하고 편향기만 교체하면 되므로 원가비용을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100190066B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019960029874

申请日：1996-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: H01L21/027

Abstract: FIB 시스템을 크게 변화시키지 않고 이상적인 수정을 실현시킬 수 있는 포토마스크의 결함 수정 방법을 개시한다.
마스크 제작시 생기는 오페이크 결함인 잉여(extra) 크롬을 FIB로 신뢰성 있게 수정하는 방법에 있어서, FIB의 이온 빔 도즈값을 고정시키지 않고 수정 영역을 래스터(raster) 에칭하는 단계; 정해진 수정 영역에서 정해진 화소(pixel) 크기로 여러번, 적어도 5회이상 반복해서 에칭하면서 검출되는 이차 이온 크롬과 실리콘의 신호를 각 화소에 대해서 기록하고 비교해서 크롬과 실리콘의 경계면을 결정하는 단계; 및 각각의 영역에 대해서 실리콘 이온의 신호를 검출하다가 대부분의 수정 영역에서 급격히 피크값이 감소할 때 이온 빔(beam)을 편향(deflection)시켜서 차광하는(blanking)단계를 포함하는 것을 특징으로하는 포토마스크의 결함 수정 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면 기존 FIB 시스템을 크게 변화시키지 않고 크롬과 실리콘의 이차이온의 신호 변화를 이용하여 크롬과 글래스의 경계면을 정확하게 찾아냄으로써 과도한 리버베드나 글래스 오버에치를 방지하여 성공적인 웨이퍼 프린팅을 이룰 수 있다.

公开(公告)号：KR101742815B1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：KR1020100071605

申请日：2010-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  나혜섭 ,  정칠희 ,  조한구

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11

Abstract: 본발명개념은알코올계용매인제 1 용매를포함하는용매 100 중량부; 및 193 nm의파장을갖는입사광에대하여 50 %/μm 이상의흡광도(degree of absorption)를갖는코팅용폴리머 0.05 중량부내지 5 중량부를포함하는 EUV (extreme ultraviolet) 해상도개선을위한 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명개념에따른 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법을이용하면미세한패턴을정밀하게형성할수 있다.

公开(公告)号：KR100891336B1

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：KR1020070067748

申请日：2007-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황찬 ,  조한구 ,  이석주

IPC: H01L21/027 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36

Abstract: 본 발명은 타겟 이미지로부터 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 이미지 생성 방법, 이를 생성하는 프로그램을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 이미징 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 생성 방법은 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 단계; 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계; 임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계; 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 포함한다.
광근접 효과, OPC, 인버스 리소그래피