Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor display panel and a method for manufacturing the same are provided to increase the optical transmittance by forming the thin protection layer on the top of the pixel opening part. CONSTITUTION: A thin film transistor display panel includes an insulation substrate, a gate line(121), a gate insulation layer, a semiconductor layer, a data line(171), a protection layer and a pixel electrode(190). The insulation substrate is provided with a trench. The gate line is formed on th insulation substrate. The gate insulation layer formed on the gate line. The semiconductor layer is formed on the gate insulation layer. The data line is formed on the gate insulation layer and is provided with a data line, a source electrode connected to the data line and the drain electrode facing to the source electrode. The protection layer is formed on the data line. And, the pixel electrode is formed on the protection layer and is electrically connected to the drain electrode.
Abstract:
First, a conductive material of aluminum-based material is deposited and patterned to form a gate wire including a gate line, a gate pad, and a gate electrode. A gate insulating layer is formed by depositing nitride silicon in the range of more than 300° C. for 5 minutes, and a semiconductor layer and an ohmic contact layer are sequentially formed. Next, a conductor layer of a metal such as Cr is deposited and patterned to form a data wire include a data line intersecting the gate line, a source electrode, a drain electrode and a data pad. Then, a passivation layer is deposited and patterned to form contact holes exposing the drain electrode, the gate pad and the data pad. Next, indium zinc oxide is deposited and patterned to form a pixel electrode, a redundant gate pad and a redundant data pad respectively connected to the drain electrode, the gate pad and the data pad.
Abstract:
A display substrate of a display panel is provided to improve the display quality by preventing ESD from being generated due to signal intersection. A plurality of pixels are formed on the display area. A plurality of gate driving units(112) are formed on outer place of the display area, and send gate signal to pixels. A display panel includes gate driving circuit having a second dummy driving units(116), and a first dummy driving units(114) which apply reset off signal to the gate driving units. The gate driving units are arranged parallelly along the one direction. The first dummy driving units are arranged at a side against the gate driving units. The second dummy driving units are arranged at the other side.
Abstract:
고온 에이징 검사과정에서의 구동 불량을 방지할 수 있는 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 게이트 구동회로는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지로 이루어져 구동신호를 순차적으로 출력한다. 각 스테이지는 외부로부터 제공되는 외부신호에 응답하여 제어신호를 출력하는 제어회로부 및 제어신호에 응답하여 구동신호를 출력단자로 출력하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 여기서, 제1 트랜지스터의 문턱전압은 제1 트랜지스터의 게이트 전극에서의 리플전압보다 크다. 따라서, 고온 에이징 검사과정에서 게이트 구동회로의 구동 불량을 방지할 수 있다.
Abstract:
쉬프트 레지스터와 이를 갖는 표시패널이 개시된다. 제1 클럭과 제2 클럭중 적어도 하나 이상이 스테이지들에 제공되고, 각 스테이지는 제어 전극, 제1 절연막, a-Si:H 층, n+ a-Si:H 층, 제1 전류 전극, 제2 전류 전극을 포함하는 복수의 a-Si:H TFT로 이루어진다. 제1 절연막은 1,500 내지 4,500Å의 두께를 갖고서, 제어 전극 위에 형성되고, a-Si:H 층은 제1 절연막 위에 형성되며, n+ a-Si:H 층은 a-Si:H 층위에 형성되고, 제1 전류 전극과 제2 전류 전극은 일정 간격 이격되어, n+ a-Si:H 층의 일부를 커버하면서 제1 절연막 위에 형성된다. 이에 따라, a-Si:H TFT로 구현되는 쉬프트 레지스터 회로를 패널상에 집적할 때, 게이트 절연막층, a-Si:H 층, n+ a-Si:H 층, 패시베이션층의 두께를 최적화하므로써, a-Si:H TFT의 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
쉬프트 레지스터와, 이를 갖는 스캔 구동 회로 및 표시 장치가 개시된다. 스테이지는 스캔개시신호 또는 전단 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호가 제공되는 버퍼부와, 버퍼부를 경유하는 스캔개시신호 또는 전단 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호를 충전하는 충전부와, 스캔개시신호 또는 전단 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호가 충전부에 충전됨에 따라 제1 클럭 또는 제2 클럭에 응답하여 출력신호를 출력하는 구동부와, 다음 스테이지들 중 한 스테이지의 출력신호에 응답하여 충전된 전하를 방전하는 방전부와, 제1 클럭 또는 제2 클럭이 액티브 상태일 때, 출력신호를 제1 전원전압으로 홀드하는 홀딩부를 포함한다. 이에 따라, 표시패널의 스캔 라인을 순차적으로 액티브시키는 스캔 신호를 출력한 후 발생되는 리플 파형의 악영향을 최소화할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) and a method for manufacturing the LCD are provided to form spacers using a plurality of color filters to omit a process of forming an overcoat film, to thereby simplify an LCD manufacturing process, reduce manufacturing cost and improve transmissivity of the LCD. CONSTITUTION: An LCD includes the first substrate(100), a plurality of color filters(130) formed on the first substrate, spacers(140) formed of the plurality of color filters, the second substrate(200) opposite to the first substrate, and a liquid crystal layer(300) formed between the first substrate and the second substrate.
Abstract:
PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to prevent particles of an alignment film, generated when the alignment film is rubbed from being introduced into a pixel region, to thereby prevent deterioration of picture quality. CONSTITUTION: An LCD includes the first substrate(100), the second substrate(200), a spacer(300), and a liquid crystal layer(400). The first substrate includes the first transparent substrate, the first pixel regions(PR1) formed on the first transparent substrate, and the first alignment film that is formed on the first pixel regions and has the first alignment grooves aligned in the first direction. The second substrate includes the second transparent substrate opposite to the first transparent substrate, the second pixel regions(PR2) formed on the second transparent substrate, facing the first pixel regions, and the second alignment film that is formed on the second pixel region and has the second alignment grooves aligned in the second direction. The spacer has the first end(302) arranged between neighboring first pixel regions and the second end(304) arranged between neighboring second pixel regions. The liquid crystal layer is interposed between the first and second transparent substrates. The first distance between the first pixel region and the edge of the first end of the spacer and the second distance between the second pixel region and the edge of the second end of the spacer are longer than the length of particles(227) accumulated on the side of the spacer.
Abstract:
먼저, 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 300℃ 이상의 온도 범위에서 5분 이상의 시간 동안 질화 규소를 적층하여 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬 등의 금속을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 표면의 반응층을 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어 IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 전기적으로 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.