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公开(公告)号：KR1020070063372A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050123526
申请日：2005-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) display panel is provided to prevent a low resistive metal line from being mechanically chemically damaged due to post processes by covering the low resistive metal line using a reflow process on a photoresist layer. A gate line is formed on a substrate(110). A gate insulating layer, an undoped amorphous silicon layer, a doped amorphous silicon layer and a conductive layer are sequentially deposited on the gate line. A photoresist pattern is formed on the conductive layer. The photoresist pattern includes a first portion(52a) and a second portion(54a). A conductor pattern is formed on the resultant structure by etching selectively a conductor using the photoresist pattern as an etch mask. A first reflow process is performed on the photoresist pattern.
Abstract translation: 提供一种用于制造TFT（薄膜晶体管）显示面板的方法，以通过在光致抗蚀剂层上使用回流工艺覆盖低电阻金属线来防止低电阻金属线由于后处理而被机械化学损坏。 在基板（110）上形成栅极线。 栅极绝缘层，未掺杂的非晶硅层，掺杂的非晶硅层和导电层依次沉积在栅极线上。 在导电层上形成光刻胶图形。 光致抗蚀剂图案包括第一部分（52a）和第二部分（54a）。 通过使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻导体作为蚀刻掩模，在所得结构上形成导体图案。 在光致抗蚀剂图案上进行第一回流处理。
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公开(公告)号：KR1020070054357A
公开(公告)日：2007-05-29
申请号：KR1020050112278
申请日：2005-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136 , G02F1/13458 , G02F2001/13625 , H01L21/306 , H01L27/1288
Abstract: 식각의 균일성(uniformity)을 향상시키는 도전 배선의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법이 개시된다. 도전 배선의 패턴 형성 방법은 기판 위에 도전성 물질층을 형성하는 단계와, 상기 도전성 물질층 위에 식각율 조절막을 형성하는 단계와, 상기 식각율 조절막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 식각율 조절막을 통해 상기 도전성 물질층을 습식식각 하여 도전 배선의 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 식각율 조절막은 도전성 물질층의 식각율을 감소시켜 식각의 균일성을 향상시킨다.
습식식각, 균일, 식각율, 구리, 은, 표시기판-
公开(公告)号：KR1020070018263A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050072750
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1262
Abstract: 본 발명에 따른 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 서로 교차하는 제1 및 제2 신호선, 상기 제1 및 제2 신호선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 신호선 중 적어도 하나는 제1 도전층, 그리고 상기 제1 도전층 위에 형성되어 있으며 구리로 만들어진 제2 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층의 표면과 측면을 덮으며, 상기 제2 도전층의 두께는 상기 제1 도전층의 표면과 측면에서 동일하고, 상기 제2 도전층의 비저항은 상기 제1 도전층보다 작고, 상기 제1 도전층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 상기 제2 도전층은 전기도금으로 만들 어질 수 있다. 이와 같이, 하부막과 상부막의 이중막 구조를 가지는 신호선에서 상부막을 비저항이 낮은 금속인 구리로 전기도금 방식으로 형성함으로써, 구리의 저저항성을 살리면서 금속과 구리의 식각 속도 차이에 의한 문제점을 해결하고, 양호한 측면 프로파일을 가지는 배선을 형성할 수 있다.
이중막, 구리, 전기도금, 저저항-
公开(公告)号：KR1020070009327A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050064486
申请日：2005-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: A line structure, a line forming method, a thin film transistor, and a manufacturing method are provided to secure reliability of a low-resistance copper line by preventing oxidation or corrosion of a copper conductive layer due to a chemical reaction while maintaining a good adhesive force of the cooper conductive layer. A barrier layer(2a) is formed on a lower structure(1). A copper conductive layer(2b) including copper or copper alloy is formed on the barrier layer. An intermediate layer(2c) including copper nitride is formed on the copper conductive layer. A capping layer(2d) is formed on the intermediate layer. The barrier layer includes Cr, Ti, Ta, V, Zr, W, Nb, Co, Ni, Pd, Pt or a mixture thereof.
Abstract translation: 提供线结构，线形成方法，薄膜晶体管和制造方法，以通过防止由于化学反应导致的铜导电层的氧化或腐蚀同时保持良好的粘合剂来确保低电阻铜线的可靠性 铜基导电层的力。 在下部结构（1）上形成阻挡层（2a）。 在阻挡层上形成包含铜或铜合金的铜导电层（2b）。 在铜导电层上形成包括氮化铜的中间层（2c）。 在中间层上形成覆盖层（2d）。 阻挡层包括Cr，Ti，Ta，V，Zr，W，Nb，Co，Ni，Pd，Pt或它们的混合物。
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公开(公告)号：KR1020070008923A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062828
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: A wiring structure, a forming method thereof, a thin film transistor including the wiring, and a fabrication method thereof are provided to improve an adhesion with a semiconductor layer including silicon by forming a wiring including an alloy of Ag and a metal for silicide on the semiconductor layer. A semiconductor layer(1) includes silicon. A conductive layer(2) is formed on the semiconductor layer, and is formed of an alloy of Ag and a metal that generates a silicide reaction at an interface of the semiconductor layer. A silicide layer(3a) or an agglomerated silicide(3b) is formed on a surface of the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供一种布线结构，其形成方法，包括该布线的薄膜晶体管及其制造方法，以通过在其上形成包含Ag和金属的合金的布线来提高与包括硅的半导体层的粘合性 半导体层。 半导体层（1）包括硅。 导电层（2）形成在半导体层上，并且由Ag和在半导体层的界面处产生硅化物反应的金属的合金形成。 在半导体层的表面上形成硅化物层（3a）或聚集的硅化物（3b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100670060B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020000021083
申请日：2000-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 절연 기판 위에 게이트선과 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성한다. 저항성 접촉층 및 게이트 절연막 위에 크롬, 티타늄 또는 몰리브덴 중 어느 하나를 포함하는 하부막과 알루미늄 합금막을 포함하는 상부막으로 이루어진 이중막으로 데이터선과 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 그 위에 보호막을 증착하고 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 보호막 위에 IZO와 같은 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다. 여기서, 게이트 배선과 데이터 배선의 상부막을 알루미늄 합금막으로 형성하되, 첨가 성분이 Ti, Ta, Zr 및 Cu와 같은 전이 금속 또는 Nd 및 Y와 같은 희토류 금속 중 하나 이상을 포함하도록 하고 그 함량을 1at% 내지 10at%, 더욱 바람직하게는 1at% 내지 6at%으로 하여 IZO 막과의 접촉 저항을 줄이며 제조 공정을 단순화한다.
알루미늄 합금막, 전이 금속, 희토류 금속, IZO, 접촉 저항-
公开(公告)号：KR1020060131071A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050051241
申请日：2005-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629
Abstract: A wire for a display device, a thin film transistor substrate comprising the same, and a method for manufacturing the same are provided to improve the adhesive characteristic of the wire while maintaining a low resistance of a copper layer, by forming the wire of a molybdenum layer, a copper layer, and a conductive oxide layer. A wire(131) for a display device is formed in a triple-layered type. The wire comprises a first conductive layer(131p) containing molybdenum or molybdenum alloy, a second conductive layer(131q) containing copper or copper alloy, and a third conductive layer(131r) containing a conductive oxide. The third conductive layer is formed of a material selected from ITO, IZO, AZO, and InSnZnO. The wire is used for a gate line or a data line for an LCD.
Abstract translation: 提供一种用于显示装置的导线，包括该导线的薄膜晶体管基板及其制造方法，用于通过形成钼丝的线来提高线的粘合特性，同时保持铜层的低电阻 层，铜层和导电氧化物层。 用于显示装置的导线（131）形成为三层型。 线包括含有钼或钼合金的第一导电层（131p），含有铜或铜合金的第二导电层（131q）和含有导电氧化物的第三导电层（131r）。 第三导电层由选自ITO，IZO，AZO和InSnZnO的材料形成。 线用于LCD线的栅极线或数据线。
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公开(公告)号：KR100646783B1
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1019990052171
申请日：1999-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창오
IPC: G02F1/136
Abstract: 기판 위에 ITO로 이루어진 화소 전극 및 게이트 패드와 게이트 버퍼층이 형성되어 있다. 게이트 버퍼층 위에는 게이트선과 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 그 위에 차례로 형성되어 있는 게이트 절연막, 반도체층, 저항성 접촉층에는 제1 내지 제4 접촉 구멍이 형성되어 있어 화소 전극이 드러나 있다. 저항성 접촉층 위에는 데이터선과 소스 전극, 제1 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 데이터 패드, 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되며 게이트선과 중첩되는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그 위에는 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍과 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍, 화소 전극을 드러내는 개구부를 갖는 보호막이 형성되어 있다. 보호막 위에는 배향막이 형성되어 있다. 이러한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 화소 전극, 게이트 버퍼층 및 게이트 패드, 게이트 배선을 한 번의 사진 공정으로 형성하고 보호막까지 형성하는데 모두 네 번의 사진 식각 공정으로 형성하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.
ITO, Cu, 사진 식각Abstract translation: 在衬底上形成由ITO制成的像素电极，栅极焊盘和栅极缓冲层。 在栅极缓冲层上，形成包括栅极线和栅极的栅极布线。 并且，在依次形成在其上的栅极绝缘膜，半导体层和欧姆接触层中形成第一至第四接触孔，使得像素电极暴露。 形成在欧姆接触层数据线和所述源电极，第一种是通过连接到像素电极的漏电极，数据焊盘，第二至第四接触孔，其通过连接像素电极导电存储电容器中的接触孔将被叠加线和栅极图案 在基材上形成。 在其上形成具有用于暴露数据焊盘的第五接触孔，用于暴露栅极焊盘的第六接触孔以及用于暴露像素电极的开口的保护膜。 在保护膜上形成取向膜。 这可以是一个液晶显示器形成像素电极，栅极缓冲器和栅极焊盘，从TFT阵列面板在一个单一的光刻工艺的栅极布线的设备和通过形成全部四个光刻工艺用于形成保护膜，以简化制造工艺。
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公开(公告)号：KR1020060059565A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098689
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/76838 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 다층 배선, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막트랜지스터가 개시된다. 다층 배선은 메인 배선 및 서브 배선을 포함한다. 메인 배선은 제 1 금속을 포함하고, 서브 배선은 메인 배선의 제 1 면에 배치되며, 제 1 면의 표면에 요철이 형성되는 것을 억제 및 투명한 도전막에 대한 콘택 특성을 향상시키고, 제 1 금속을 주성분으로 하는 합금을 포함한다. 이로써, 배선의 전기적 저항을 감소시키고, 배선에 힐락 또는 스파이킹이 발생하는 것을 억제하며, 다른 도전체와의 콘택 특성을 보다 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR1020050079429A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：KR1020040007678
申请日：2004-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 본 발명은, TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이를 이용한 TFT LCD 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 TFT LCD 기판의 알루미늄 배선 방법은, 산소, 질소, 탄소 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 불순물의 전구체 가스가 존재하는 분위기에서 기판 소재 상에 몰리브덴층을 증착하는 단계와, 상기 몰리브덴층의 상부에 알루미늄층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 내 힐록 특성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 TFT LCD 기판을 형성할 수 있다.
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