公开(公告)号：KR101638977B1

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020090109692

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김창정 ,  박재철 ,  김선일

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는제1방향으로조성이변하는산화물반도체층을채널층으로포함할수 있다. 상기채널층은금속원소인제1 및제2원소와 Zn 을포함하는산화물층일수 있다. 상기채널층의적층방향으로상기제1 및제2원소와 Zn 중적어도하나의함량이변화될수 있다. 상기제1원소는 Hf, Y, Ta, Zr, Ga 및 Al 중어느하나일수 있다. 상기제2원소는 In 일수 있다. 상기채널층은서로다른조성을갖는적어도두 층을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101634252B1

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020100126356

申请日：2010-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L31/115 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227

Abstract: 웨이퍼스케일의엑스선검출기및 제조방법이개시된다. 개시된엑스선검출기는, 인쇄회로기판과전기적으로연결된이음매없는실리콘기판과상기실리콘기판상의각 칩영역의중앙부의복수의픽셀패드와가장자리에배치된복수의핀패드를구비한칩 어레이와, 상기픽셀패드와대응되게형성되는복수의픽셀전극과, 상기칩 어레이및 상기복수의픽셀전극사이에서상기픽셀패드로부터상기픽셀전극으로확산된영역의차이를보상하도록형성된수직배선및 수평배선과이들을이격시키는절연층을구비한재분배층과, 상기재분배층상에서상기픽셀전극을덮는포토컨덕터층과, 공통전극을구비한다.

公开(公告)号：KR101623956B1

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：KR1020100003927

申请日：2010-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박재철 ,  김상욱 ,  박영수 ,  김창정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는제1 페시베이션층및 제2 페시베이션층으로보호될수 있다. 상기트랜지스터상에상기제1 페시베이션층과상기제2 페시베이션층이순차로구비될수 있다. 상기제2 페시베이션층은불소(F)를포함하도록형성될수 있다. 상기 F를포함하는제2 페시베이션층에의해광 및수분등 외부환경에의한트랜지스터의특성변화가억제될수 있다. 상기제1 페시베이션층은 F를포함하지않을수 있다.

Abstract translation: 提供晶体管，制造晶体管的方法和包括晶体管的电子器件，晶体管包括沟道层，分别接触沟道层的相对端的源极和漏极，与沟道层对应的栅极，栅极绝缘层 在沟道层和栅极之间，以及顺序地设置在栅极绝缘层上的第一钝化层和第二钝化层。 第一钝化层覆盖源极，漏极，栅极，栅极绝缘层和沟道层。 第二钝化层包括氟（F）。

公开(公告)号：KR1020160042697A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020140136961

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두현 ,  이병규 ,  김선일 ,  박재철 ,  이동욱 ,  이창범

IPC: C08J7/04 ,  C08L29/14 ,  C08K3/16 ,  H01L31/115

CPC classification number: G01T1/244 ,  G01T1/24 ,  H01B1/02 ,  H01L27/14676

Abstract: 유기-무기복합박막및 그제조방법이제공된다. 개시된유기-무기복합박막은무기물파우더및 유기고분자바인더를포함하는페이스트를이용하여스크린프린팅공정에의하여형성된박막에대해, 가압공정및 가열공정을실시하하여형성될수 있다. 이러한박막의유기고분자바인더는열가소성수지로형성될수 있다. 상기가압공정은가압공정은 50kgf/cm~ 2000 kgf/cm범위에서실시될 수있으며, 상기가열공정은유기고분자파우더의유리전이온도또는그 이상의온도범위에서실시될수 있다.

Abstract translation: 提供一种有机 - 无机复合薄膜及其制造方法。 所公开的有机 - 无机复合薄膜可以通过使用含有无机粉末和有机聚合物粘合剂的糊剂通过丝网印刷法形成的薄膜加压和加热来制造。 这种薄膜的有机聚合物粘合剂可以加工成热塑性树脂，加压过程在50-2000kgf / cm ^ 2的范围内进行，而加热过程在玻璃化转变温度 有机聚合物粉末或超过温度。

公开(公告)号：KR101608887B1

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020090033845

申请日：2009-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  송이헌 ,  김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251

Abstract: 인버터와그 제조방법및 인버터를포함하는논리회로에관해개시되어있다. 개시된인버터는서로다른채널층구조를갖는제1 및제2트랜지스터를포함할수 있다. 상기제1트랜지스터의채널층은하부층과상부층을포함할수 있고, 상기제2트랜지스터의채널층은상기하부층과상부층중 어느하나와동일한층일수 있다. 상기하부층과상부층중 적어도하나는산화물층일수 있다. 상기인버터는 E/D 모드(enhancement/depletion mode) 인버터또는상보성(complementary) 인버터일수 있다.

公开(公告)号：KR1020160026570A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020140115687

申请日：2014-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  최칠성 ,  안중권 ,  모로조브,알렉산더브이 ,  이홍석 ,  푸틸린,앤드레이엔 ,  두비닌,게르만비 ,  두바이닌,세르게이이

IPC: G02B27/22 ,  G02F1/13357 ,  G03H1/04

CPC classification number: H04N13/32 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/003 ,  G02B6/0031 ,  G02B6/0053 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0083 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/2286 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/221 ,  G03H2001/2226 ,  G03H2001/2242 ,  G03H2222/34 ,  G03H2223/23 ,  G03H2225/33

Abstract: 백라이트유닛및 이를포함한홀로그래픽디스플레이가개시된다. 개시된백라이트유닛은도광판, 광의출사방향을조절할수 있는광원유닛및 도광판에서출사되는광의방향을제어할수 있는회절소자를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种背光单元和包括该背光单元的全息显示器。 背光单元包括：导光板; 配置为调整光的发射方向的光源单元; 以及被配置为控制从导光板发射的光的方向的衍射装置。

公开(公告)号：KR101468591B1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：KR1020080050466

申请日：2008-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 본발명은산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에관한것이다. Zn, In 및 Hf을포함하며, Zn, In 및 Hf 원자의전체함량대비 Hf 원자함량의조성비가 2 내지 16 at%인산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR1020140115168A

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：KR1020130029919

申请日：2013-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 변경석 ,  이병호 ,  김선일 ,  최칠성 ,  박순기 ,  안중권 ,  홍기훈 ,  염지운 ,  김종현

IPC: G11B7/0065 ,  G03H1/26

CPC classification number: G03H1/0476 ,  G03H2001/048

Abstract: Provided is a holographic recording method in which an interference fringe between a reference beam and a signal beam, modulated according to information regarding a plurality of hologram pixels, is recorded on a holographic recording medium. The holographic recording method includes a multiplexing-recording step for recording the hologram pixels for at least a part of the neighboring hologram pixels to overlap.

Abstract translation: 提供了一种全息记录方法，其中根据关于多个全息图像素的信息调制的参考光束和信号光束之间的干涉条纹被记录在全息记录介质上。 全息记录方法包括多路复用记录步骤，用于记录相邻全息图像素的至少一部分重叠的全息图象素。

公开(公告)号：KR101433899B1

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：KR1020080052712

申请日：2008-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백찬욱 ,  김종석 ,  김선일 ,  손영목

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C14/16 ,  C23C14/022 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/30655 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 기판의 식각부에 금속층을 형성하는 방법을 제공한다. 구체적으로, 기판의 식각부에 금속층을 형성하는 방법은, 기판을 식각하여 수직면을 갖는 식각부를 형성하는 단계, 식각부의 표면에 확산 물질층을 형성하는 단계, 확산 물질층을 열처리하여, 일부가 상기 식각부의 표면 아래로 확산된 씨드층을 형성하는 단계, 및 씨드층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기한 방법에 따르면, 씨드층에 의해 기판 식각부의 표면 특성이 개선되므로, 식각부의 수직면에 접착성이 우수하고 균일한 두께의 금속층을 형성할 수 있다.
기판, 식각, 금속층, 스캘럽, DRIE, 열처리, 확산

公开(公告)号：KR101410926B1

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：KR1020070016778

申请日：2007-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  박영수 ,  김선일

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78609

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 물질로 형성된 채널층, 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래에서 상기 채널층을 커버하도록 형성된 보호층, 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.